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新型的功率器件——射频LDMOS 被引量：13: 1; 作者黄江王卫华《微波学报》 CSCD 北大核心 2006年第3期48-51,共4页; 射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMO... 展开更多; 关键词射频功率器件横向扩散金属氧化物半导体热稳定性击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET: 2; 作者杨林安于春利张义门《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 2001年第3期69-72,共4页; 根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这... 展开更多; 关键词空基相控阵雷达 SIC MESFET 射频功率器件非线性大信号模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

恩智浦正式启动高性能射频设计大赛: 3; 《电子与电脑》 2011年第2期108-108,共1页; 恩智浦半导体NXP近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序．诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域，而随着RFLDMO... 展开更多; 关键词射频设计性能 RF功率晶体管 LDMOS技术射频功率器件注册程序航空航天基础设施; 在线阅读下载PDF 职称材料

RF LDMOS功率器件研制: 4; 作者陈蕾王帅 +2 位作者姜一波李科杜寰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期968-972,共5页; 基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移... 展开更多; 关键词射频LDMOS功率器件击穿电压栅极金属总线截止频率最大振荡频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究: 5; 作者李浩任建伟杜寰《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期2317-2322,共6页; 提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的... 展开更多; 关键词射频功率器件 LDMOS 芯片设计 BCD制程 TLP 碰撞电离 P型埋层; 在线阅读下载PDF 职称材料

英飞凌以8.5亿美元的现金收购Wolfspeed: 6; 《中国集成电路》 2016年第8期6-6,共1页; 英飞凌科技股份公司和Cree公司日前宣布，英飞凌已签订最终协议，收购Cree旗下Wolfspeed功率和射频业务部。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务。这笔全现金交易的收购价格为8．5亿美元（约合7.4亿欧元）.; 关键词收购价格现金射频功率器件 Cree公司股份公司硅晶圆业务衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型的功率器件——射频LDMOS 被引量：13: 1; 作者黄江王卫华; 机构南京电子技术研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2006年第3期48-51,共4页; 文摘射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。; 关键词射频功率器件横向扩散金属氧化物半导体热稳定性击穿电压; Keywords RF power devices, LDMOS, Heat stability, Breakdown voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET: 2; 作者杨林安于春利张义门; 机构空军工程大学电讯工程学院空军工程大学工程学院西安电子科技大学; 出处《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD 2001年第3期69-72,共4页; 基金总装备部国防预研项目 (8 1 7 3); 文摘根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析。; 关键词空基相控阵雷达 SIC MESFET 射频功率器件非线性大信号模型; Keywords airborne phased array radar SiC MESFET RF power device nonlinear large signal model; 分类号 TN958.92 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名恩智浦正式启动高性能射频设计大赛: 3; 出处《电子与电脑》 2011年第2期108-108,共1页; 文摘恩智浦半导体NXP近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序．诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域，而随着RFLDMOS技术的功能更加强大、耐受力更高、成本更低，射频驱动灯等新型应用也成为了可能。; 关键词射频设计性能 RF功率晶体管 LDMOS技术射频功率器件注册程序航空航天基础设施; 分类号 TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RF LDMOS功率器件研制: 4; 作者陈蕾王帅姜一波李科杜寰; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期968-972,共5页; 文摘基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。; 关键词射频LDMOS功率器件击穿电压栅极金属总线截止频率最大振荡频率; Keywords RF power LDMOS breakdown voltage gate bus cutoff frequency max oscillator frequency; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究: 5; 作者李浩任建伟杜寰; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院大学; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期2317-2322,共6页; 文摘提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP (Transmission Line Pulse)应力下的电学机理.利用0.18μm BCD (Bipolar/CMOS/DMOS)先进制程,实现了特定尺寸器件的设计与流片.通过实测与仿真的对比,发现静电放电失效的随机性、芯片内部的热效应是导致仿真和实测差异的非理想因素.通过对TLP仿真的各阶段重要节点的分析,证明了源极下方的P型埋层有利于提高空穴电流的泄放能力,从而提高RF-LDMOS的鲁棒性.; 关键词射频功率器件 LDMOS 芯片设计 BCD制程 TLP 碰撞电离 P型埋层; Keywords RF power device LDMOS chip design BCD process TLP impact ionization P buried layer; 分类号 TN386.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名英飞凌以8.5亿美元的现金收购Wolfspeed: 6; 出处《中国集成电路》 2016年第8期6-6,共1页; 文摘英飞凌科技股份公司和Cree公司日前宣布，英飞凌已签订最终协议，收购Cree旗下Wolfspeed功率和射频业务部。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务。这笔全现金交易的收购价格为8．5亿美元（约合7.4亿欧元）.; 关键词收购价格现金射频功率器件 Cree公司股份公司硅晶圆业务衬底; 分类号 TN958.92 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	新型的功率器件——射频LDMOS	黄江王卫华	《微波学报》 CSCD 北大核心	2006	13	在线阅读下载PDF 职称材料
2	应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET	杨林安于春利张义门	《空军工程大学学报（自然科学版）》 CSCD	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	恩智浦正式启动高性能射频设计大赛		《电子与电脑》	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	RF LDMOS功率器件研制	陈蕾王帅姜一波李科杜寰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究	李浩任建伟杜寰	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	英飞凌以8.5亿美元的现金收购Wolfspeed		《中国集成电路》	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料