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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 (rf)cmos rf Bicmos 放大器 收/发机 rf能量收集器 压控振荡器 率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 (rf)cmos rf Bicmos 放大器 收/发机 rf能量收集器 压控振荡器 率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 (rf)cmos rf Bicmos 放大器 收/发机 rf能量收集器 压控振荡器 率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
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作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 能量收集 低阈值电压 rf-DC整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路 被引量:1
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作者 赵晓冬 《电讯技术》 北大核心 2024年第4期637-642,共6页
提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件... 提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件下实现较传统L型匹配电路更宽频率范围的输出阻抗匹配。推导了该LC输出匹配电路元件值的计算式,并根据提出的设计方法,采用65 nm CMOS工艺设计了一款K频段放大器,其输出匹配电路尺寸仅98μm×150μm。仿真结果表明,在16.5~22.1 GHz频率范围内放大器的S 22<-10 dB,阻抗匹配带宽相比L型匹配电路增加166%。放大器实测S参数和仿真结果相符,验证了该LC匹配电路可实现紧凑的宽带阻抗匹配。 展开更多
关键词 紧凑匹配电路 cmos放大器 宽带阻抗匹配 LC谐振网络
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2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试 被引量:11
6
作者 林敏 王海永 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1278-1281,共4页
本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好... 本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合. 展开更多
关键词 cmos集成电路 低噪声放大器 噪声 无线通信
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射频锁相环型频率合成器的CMOS实现 被引量:6
7
作者 池保勇 石秉学 王志华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1761-1765,共5页
本论文实现了一个射频锁相环型频率合成器 ,它集成了压控振荡器、双模预分频器、鉴频鉴相器、电荷泵、各种数字计数器、数字寄存器和控制电路以及与基带电路的串行接口 .它的鉴频鉴相频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过串行接... 本论文实现了一个射频锁相环型频率合成器 ,它集成了压控振荡器、双模预分频器、鉴频鉴相器、电荷泵、各种数字计数器、数字寄存器和控制电路以及与基带电路的串行接口 .它的鉴频鉴相频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过串行接口进行控制 ,还实现了内部压控振荡器和外部压控振荡器选择、功耗控制等功能 ,这些都使得该频率合成器具有极大的适应性 ,可以应用于多种通信系统中 .该锁相环型频率合成器已经采用 0 2 5 μmCMOS工艺实现 ,测试结果表明 ,该频率合成器使用内部压控振荡器时的锁定范围为 1 82GHz~ 1 96GHz,在偏离中心频率2 5MHz处的相位噪声可以达到 - 119 2 5dBc/Hz .该频率合成器的模拟部分采用 2 7V的电源电压 ,消耗的电流约为4 8mA . 展开更多
关键词 锁相环 率合成器 cmos
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一种适用于IEEE802.15.4(ZigBee)标准的2.4GHz CMOS射频收发机设计 被引量:4
8
作者 李迪 杨银堂 +1 位作者 石佐辰 柳扬 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1021-1027,共7页
本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造... 本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V.测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97d Bm,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3d Bm.接收模式和发射模式下的电流功耗分别为17m A和19m A,芯片面积3.3mm×2.8mm. 展开更多
关键词 cmos集成电路 Zig BEE IEEE802.15.4 收发机
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CMOS射频集成电路的现状与进展 被引量:10
9
作者 王志华 吴恩德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期233-238,共6页
随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指... 随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指出在设计中要考虑的一些问题 .其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元 ,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器 .对各单元模块在设计中的技术指标 ,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论 .此外 ,论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法 .最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法 . 展开更多
关键词 cmos集成电路 低噪声放大器 率综合器 功率放大器 无线通信系统
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基于单弯引线互连的CQFP射频传输性能
10
作者 杨振涛 余希猛 +2 位作者 于斐 任昊迪 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期948-954,共7页
为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 m... 为满足新一代高频率、高速率及高散热射频(RF)微波器件的封装需求,提出了一种采用单弯引线互连结构的陶瓷四边扁平封装(CQFP)。单弯引线互连结构的引线端头直接与引线焊盘焊接,相较于传统的翼型引线互连结构,其可将引线焊盘长度由1.00 mm缩短至0.50 mm,有效改善了焊盘的阻抗匹配效果。通过仿真分析了信号线中心距、焊盘尺寸、垂直通孔直径和焊料量对射频传输性能的影响,确定最优参数分别为:信号线中心距0.65 mm、焊盘尺寸0.28 mm×0.50 mm、垂直通孔直径为0.05 mm、焊料量为0.35 mm×0.20 mm×0.10 mm。仿真分析与样品测试结果表明,采用单弯引线互连结构可以将射频传输带宽由35 GHz提高至50 GHz,有效拓宽了CQFP在高频领域中的应用范围,为高性能陶瓷封装结构的优化设计提供了参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 陶瓷四边扁平封装(CQFP) 单弯引线 阻抗匹配 (rf)性能
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0.25μm CMOS蓝牙射频接收机前端
11
作者 徐亮 王文骐 +1 位作者 唐学锋 詹福春 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期239-243,共5页
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一种2.4 GHz CMOS低中频结构的蓝牙射频接收机前端.整个接收机前端包含全差分低噪声放大器、混频器以及产生正交信号的多相滤波器.叙述了主要设计过程并给出了优化仿真结果.采用Cadence SpectreRF进行... 采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一种2.4 GHz CMOS低中频结构的蓝牙射频接收机前端.整个接收机前端包含全差分低噪声放大器、混频器以及产生正交信号的多相滤波器.叙述了主要设计过程并给出了优化仿真结果.采用Cadence SpectreRF进行仿真,获得了如下结果:在2.5 V工作电压下,中频输出增益为21 dB,噪声系数为7 dB,输入P1-dB为-21.3 dBm,IIP3为-9.78 dBm,接收机前端总的电流消耗为16.1 mA. 展开更多
关键词 蓝牙 接收机前端 cmos 低噪声放大器 多相滤波器
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采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计
12
作者 胡伟 陈金福 +1 位作者 张振勇 杨莲兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期48-50,共3页
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.
关键词 高线性度 电路 0.18μm cmos 电路 工作原理
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一款CMOS多模多频导航射接收芯片的设计与实现
13
作者 陈丹 刘峰 刘德喜 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期87-89,共3页
本文介绍了一款具有自主知识产权的多模多频导航射频芯片产品,芯片可根据管脚电平设定对B1、B2、B3及GPS L1中任意一个导航信号进行下变频处理,内部集成了LNA、MIXER、PLL、ADC、AGC、SPI等电路单元,具有较高的集成度,对于促进导航设备... 本文介绍了一款具有自主知识产权的多模多频导航射频芯片产品,芯片可根据管脚电平设定对B1、B2、B3及GPS L1中任意一个导航信号进行下变频处理,内部集成了LNA、MIXER、PLL、ADC、AGC、SPI等电路单元,具有较高的集成度,对于促进导航设备的小型化及核心器件的国产自主可控具有积极意义。 展开更多
关键词 cmos 芯片 卫星导航 全集成
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低压CMOS折叠共源共栅混频器的设计 被引量:3
14
作者 宋丹 张晓林 夏温博 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1452-1455,1468,共5页
基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难... 基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165μm×75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42 MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益(GC)为15dB,双边带噪声系数为12.5dB,输入三阶截断点为-0.4dBm,在1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mW,可用于航空航天领域的电子系统中. 展开更多
关键词 cmos集成电路 接收机 导航 电源 低压 折叠共源共栅
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UHF RFID标签芯片模拟射频前端设计 被引量:2
15
作者 李建 曾辉 +3 位作者 王颖 何珠玉 朱学勇 文光俊 《现代电子技术》 2010年第6期8-11,共4页
对射频识别标签芯片系统结构及工作原理进行分析,设计应用于符合ISO18000-6C/B两种标准的UHF RFID标签芯片的模拟射频前端,主要包括整流电路、稳压电路、调制/解调电路、上电复位及时钟产生电路。模拟射频前端芯片采用TSMC0.18μm CMOS... 对射频识别标签芯片系统结构及工作原理进行分析,设计应用于符合ISO18000-6C/B两种标准的UHF RFID标签芯片的模拟射频前端,主要包括整流电路、稳压电路、调制/解调电路、上电复位及时钟产生电路。模拟射频前端芯片采用TSMC0.18μm CMOS混合信号工艺流片验证。测试结果表明,所研制的模拟射频前端性能满足UHF RFID标签芯片系统要求。 展开更多
关键词 超高 识别 ISO18000—6C/B标准 cmos
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深亚微米工艺CMOS Gilbert混频器噪声分析 被引量:1
16
作者 唐守龙 吴建辉 罗岚 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期372-376,共5页
深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最... 深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,该预测的噪声系数理论值与仿真结果相差最大为1.5 dB,相对误差最大为12.5%. 展开更多
关键词 cmos集成电路 深亚微米工艺 噪声
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5G毫米波反向阵极简构架与CMOS芯片实现
17
作者 郭嘉诚 胡三明 +4 位作者 沈一竹 钱昀 胡楚悠 黄永明 尤肖虎 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1570-1581,共12页
该文首次报道了一种极简构架的5G毫米波反向阵设计原理及其CMOS芯片实现技术。该毫米波反向阵极简构架,利用次谐波混频器提供相位共轭和阵列反向功能,无需移相电路及波束控制系统,便可实现波束自动回溯移动通信功能。该文采用国产0.18μ... 该文首次报道了一种极简构架的5G毫米波反向阵设计原理及其CMOS芯片实现技术。该毫米波反向阵极简构架,利用次谐波混频器提供相位共轭和阵列反向功能,无需移相电路及波束控制系统,便可实现波束自动回溯移动通信功能。该文采用国产0.18μm CMOS工艺研制了5G毫米波反向阵芯片,包括发射前端、接收前端及跟踪锁相环等核心模块,其中发射及接收前端芯片采用次谐波混频及跨导增强等技术,分别实现了19.5 d B和18.7 d B的实测转换增益。所实现的跟踪锁相环芯片具备双模工作优势,可根据不同参考信号支持幅度调制及相位调制,实测输出信号相噪优于–125 dBc/Hz@100 kHz。该文给出的测试结果验证了所提5G毫米波反向阵通信架构及其CMOS芯片实现的可行性,从而为5G/6G毫米波通信探索了一种架构极简、成本极低、拓展性强的新方案。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 cmos 反向阵 前端
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0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器 被引量:1
18
作者 陈新华 陈志恒 +3 位作者 王志功 姚胡静 方芳 谢婷婷 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期10-13,共4页
分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模... 分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模拟结果 :三阶互调IIP3为 1 0dBm ,转换增益大于 1 0dB .已经利用Cadence工具进行版图设计和验证 ,最后通过美国MOSIS工程流片 .芯片面积大约为 0 6mm2 .目前初步的性能测试已经完成 .芯片混频效果良好 .在单电源 +3 3V供电情况下 ,功耗小于 6 0mW .进一步的测试将在近期完成 . 展开更多
关键词 集成电路 模拟cmos集成电路
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一种Ka波段多通道RF集成微系统封装
19
作者 杨振涛 余希猛 +3 位作者 于斐 刘莹玉 段强 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期723-729,共7页
随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的... 随着各类信息载荷集成系统性能的提升,射频(RF)集成微系统向多通道、高集成、高频率、低噪声、多功能、小型化的方向发展。基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,提出了一种应用于Ka波段的多通道RF集成微系统封装,多通道RF模块通过直径0.60 mm的焊球与数字处理模块连接,以实现三维堆叠。结合理论计算和仿真优化,合理设计屏蔽层和接地层,以实现低损耗、高屏蔽的带状线传输结构。测试结果表明,在DC~40 GHz频段,多通道RF模块的传输路径回波损耗≤-10 dB、插入损耗≥-1.5 dB。理论计算与实测结果的均方根误差为0.0027,二者具有较好的一致性。本研究结果可为RF集成微系统陶瓷封装设计提供参考。 展开更多
关键词 高温共烧陶瓷(HTCC) 倒装芯片 (rf)集成微系统 三维堆叠 传输损耗
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射频前端声学滤波器研发态势研究
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作者 李秾 蒲文华 孙慧娄 《高技术通讯》 北大核心 2024年第12期1318-1329,共12页
射频(RF)前端是无线通信系统的关键组成部分,而射频前端滤波器则是射频前端中的核心元器件。声学滤波器因其在性能、成本和尺寸上的综合优势,已成为移动通信领域应用的主流滤波器。本文基于专利数据,结合产业数据,对射频前端声学滤波器... 射频(RF)前端是无线通信系统的关键组成部分,而射频前端滤波器则是射频前端中的核心元器件。声学滤波器因其在性能、成本和尺寸上的综合优势,已成为移动通信领域应用的主流滤波器。本文基于专利数据,结合产业数据,对射频前端声学滤波器领域研发态势进行分析,并得到相关结论。 展开更多
关键词 (rf)前端 声学滤波器 声表面波(SAW) 体声波(BAW) 专利分析
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