期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
1
作者
郭维
丁扣宝
+2 位作者
韩成功
朱大中
韩雁
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1038-1042,共5页
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided...
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
展开更多
关键词
横向双扩散N型MOS器件
雪崩击穿
导通电阻退化
电荷泵
在线阅读
下载PDF
职称材料
p-GaN HEMT器件动态栅应力下的性能退化机理
2
作者
黄静雯
李胜
+2 位作者
张弛
刘斯扬
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期1130-1136,共7页
为了研究p型栅氮化镓高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)在动态栅应力下的电学特性退化机理,设计了一种双管控制快速切换测试电路,在施加动态栅应力后300 ns内快速测量器件的导通电阻,并进行了对比实验和仿真分析.结果表明,在施加300 s有...
为了研究p型栅氮化镓高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)在动态栅应力下的电学特性退化机理,设计了一种双管控制快速切换测试电路,在施加动态栅应力后300 ns内快速测量器件的导通电阻,并进行了对比实验和仿真分析.结果表明,在施加300 s有效动态栅应力后,器件的阈值电压基本保持不变,而导通电阻随应力施加时间、频率的增大呈明显增加趋势,且退化率最高达到10.82%.在器件的开启、关断阶段,空穴热载流子会注入到沟道层,最终导致器件导通电阻的退化;但是在导通持续、关断持续阶段由于没有热载流子产生,该应力下器件电学参数保持稳定.综上,器件导通电阻在动态栅应力下的退化主要是由开启、关断阶段的空穴热载流子注入引起的.
展开更多
关键词
p-GaN
HEMT
测试电路
动态栅应力
导通电阻退化
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
1
作者
郭维
丁扣宝
韩成功
朱大中
韩雁
机构
浙江大学信息与电子工程学系
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1038-1042,共5页
基金
浙江省科学技术厅科技计划资助项目(2006C11007)
文摘
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
关键词
横向双扩散N型MOS器件
雪崩击穿
导通电阻退化
电荷泵
Keywords
NLDMOS
avalanche breakdown
on-resistance degradation
charge-pumping
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
p-GaN HEMT器件动态栅应力下的性能退化机理
2
作者
黄静雯
李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期1130-1136,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(2020YFF0218501)。
文摘
为了研究p型栅氮化镓高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)在动态栅应力下的电学特性退化机理,设计了一种双管控制快速切换测试电路,在施加动态栅应力后300 ns内快速测量器件的导通电阻,并进行了对比实验和仿真分析.结果表明,在施加300 s有效动态栅应力后,器件的阈值电压基本保持不变,而导通电阻随应力施加时间、频率的增大呈明显增加趋势,且退化率最高达到10.82%.在器件的开启、关断阶段,空穴热载流子会注入到沟道层,最终导致器件导通电阻的退化;但是在导通持续、关断持续阶段由于没有热载流子产生,该应力下器件电学参数保持稳定.综上,器件导通电阻在动态栅应力下的退化主要是由开启、关断阶段的空穴热载流子注入引起的.
关键词
p-GaN
HEMT
测试电路
动态栅应力
导通电阻退化
Keywords
gallium nitride based p-type gate high electron mobility transistor(p-GaN HEMT)
test circuit
dynamic gate stress
degradation of on-state resistance
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
郭维
丁扣宝
韩成功
朱大中
韩雁
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
p-GaN HEMT器件动态栅应力下的性能退化机理
黄静雯
李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
