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题名高压多芯片并联IGBT模块故障监测方法
被引量：13
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作者
王晨苑
何怡刚
王传坤
李猎
李济源
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机构
武汉大学电气与自动化学院
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2020年第10期98-106,共9页
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基金
国家自然科学基金(51977153,51977161,51577046)
国家自然科学基金重点项目(51637004)
+1 种基金
国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”项目(2016YFF0102200)
装备预先研究重点项目(41402040301)资助。
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文摘
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子装置的关键核心器件,其高可靠性是系统长久稳定运行的重要保障,对IGBT模块进行故障监测是提高系统可靠性的有效方式之一。提出一种新的健康敏感参数-栅极-发射极导通前电压VGE(pre-on),用于监测高压多芯片并联IGBT模块中的IGBT芯片故障。首先,对现有故障监测方法进行比较,然后建立导通前电压可靠性模型,再通过监测导通瞬态期间的VGE(pre-on)来检测高压多芯片并联IGBT模块中的IGBT芯片故障。为验证该方法的可行性,对16芯片DIM800NSM33-F IGBT模块进行了仿真,结果显示,在不同外部条件下,每个并联IGBT芯片故障所产生的导通前电压VGE(pre-on)的平均偏移约为900 mV,且具有较高的灵敏度和抗干扰能力,可有效监测IGBT模块芯片故障。
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关键词
高压多芯片IGBT模块
导通前电压vge(pre-on)
IGBT芯片故障
故障监测
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Keywords
high-voltage multichip insulated gate bipolar transistor(IGBT)module
pre-on voltage vge(pre-on)
IGBT chip failure
fault monitoring
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
TM930
[电气工程—电力电子与电力传动]
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