介绍一种阻尼材料——以聚苯胺为导电通道的压电陶瓷/聚合物阻尼复合材料 被引量：5

1

作者 贺江平 钟发春 庄表中 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2005年第6期131-131,共1页

关键词 互穿聚合物网络 阻尼材料 复合材料 压电陶瓷 导电通道 聚苯胺 损耗系数 机械振动 玻璃化转变 聚合物材料

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三熔化极MIG焊的燃弧形式及共有导电通道的建立 被引量：1

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作者 向婷 李桓 +2 位作者 韦辉亮 高莹 娄丽艳 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期44-48,共5页

试验中搭建了单电源三熔化极MIG焊系统,利用电信号采集系统检测焊接电流和电弧电压,借助高速摄像系统同步拍摄电弧形态及熔滴过渡过程.通过改变不同的预设电压值,观察到了三种基本的燃弧形式,以此分析三电弧共有导电通道的建立.结果表明... 试验中搭建了单电源三熔化极MIG焊系统,利用电信号采集系统检测焊接电流和电弧电压,借助高速摄像系统同步拍摄电弧形态及熔滴过渡过程.通过改变不同的预设电压值,观察到了三种基本的燃弧形式,以此分析三电弧共有导电通道的建立.结果表明,三种基本的燃弧形式依次为单丝燃弧、双丝燃弧及三丝燃弧.共有导电通道的建立分三个阶段,首先三个电极与母材之间形成各自的导电通道,其次三个导电通道在电磁引力的作用下彼此倾斜,打破各自原有导电通道建立共同的导电通道,最后新的导电通道调整至稳定状态.共有导电通道的建立更有利于电弧稳定燃烧. 展开更多

关键词 三熔化极MIG焊 燃弧形式 预设电压 导电通道

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Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的模型分析 被引量：1

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作者 罗劲明 《科学技术与工程》 北大核心 2017年第9期103-106,共4页

通过建立一个模型,简单地讨论了Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的临界电压特性。该模型考虑了Cu离子在SiO_2薄膜的迁移扩散和Cu离子在薄膜内引起的空间电荷效应,同时考虑了电子电导机制。模型的计算表明,薄膜的结构参数(厚... 通过建立一个模型,简单地讨论了Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的临界电压特性。该模型考虑了Cu离子在SiO_2薄膜的迁移扩散和Cu离子在薄膜内引起的空间电荷效应,同时考虑了电子电导机制。模型的计算表明,薄膜的结构参数(厚度、电极功函数、掺杂等)对导电通道的形成过程有很大的影响,其临界电压随薄膜厚度和电极功函数的增加而增大,而随Cu离子掺杂浓度增大而减小。这一结果对未来存储器件的性能设计和制造具有一定的指导意义。 展开更多

关键词 SIO2 导电通道 阻变 击穿

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一种半导体玻璃及其制作的体导电微通道板的特性表征 被引量：1

4

作者 潘京生 徐伟 +3 位作者 郑涛 张正君 孙建宁 吕景文 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1103-1108,共6页

将微通道阵列移植到体导电基体可使微通道板(Microchannel Plate,MCP)免受离子反馈难题的困绕,而半导体玻璃可在不改变MCP的传统制作方法的基础上制作体导电MCP。一种特定组分的钒铁铅铝磷酸盐的半导体玻璃,采用与传统的还原铅硅酸盐玻... 将微通道阵列移植到体导电基体可使微通道板(Microchannel Plate,MCP)免受离子反馈难题的困绕,而半导体玻璃可在不改变MCP的传统制作方法的基础上制作体导电MCP。一种特定组分的钒铁铅铝磷酸盐的半导体玻璃,采用与传统的还原铅硅酸盐玻璃MCP完全相同的制作方法,但不经过氢还原处理,制作成通道间距为12μm的25 mm直径的无实体边的MCP样品,这种半导体玻璃制作的MCP样品,在加载1 kV的恒稳态电压下,有稳定的微安级的传导电流和102量级的电流增益。本文对这种钒铁铅铝磷酸盐的半导体玻璃及其制作的体导电MCP样品的基本性能和表现进行了表征和分析,并讨论了进一步改进措施。 展开更多

关键词 微通道板 半导体玻璃 体导电微通道板 离子反馈

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四钨极TIG电弧耦合物理特性及高效稳定燃烧机制分析

5

作者 梁晓梅 杜兵 +4 位作者 周鑫 滕彬 黄瑞生 张彦东 陈晓宇 《焊接学报》 北大核心 2025年第6期81-88,97,共9页

借助高速摄像采集四钨极TIG电弧引燃放电、稳定燃烧过程中电弧的图像信号,并将特征参数进行定量化转变,分析钨极间距、电弧弧长、沉积电流对四TIG电弧耦合过程及其稳定性的影响,获得了四TIG电弧稳定燃烧作用机理及影响多电弧热效应的关... 借助高速摄像采集四钨极TIG电弧引燃放电、稳定燃烧过程中电弧的图像信号,并将特征参数进行定量化转变,分析钨极间距、电弧弧长、沉积电流对四TIG电弧耦合过程及其稳定性的影响,获得了四TIG电弧稳定燃烧作用机理及影响多电弧热效应的关键影响因素.结果表明,单一钨极沉积电流≤160 A、电弧弧长≤5 mm、钨极间距≤6 mm时电弧稳定性较好,且与钨极间距的作用相比,电弧弧长、沉积电流对电弧形态的影响相对较小,钨极间距可以显著影响四钨极TIG电弧稳定性;当钨极间距为2 mm时,四钨极TIG电弧在自磁收缩和安培力的作用下相互吸引,四钨极TIG电弧形成公共导电通道,此时四钨极TIG电弧稳定性最好、电弧热源有效利用率最高,当钨极间距为8、10 mm时电弧稳定性和热源有效利用效率均显著降低,钨极间距为2 mm时,熔化能约为钨极间距为10 mm时熔化能的9.2倍. 展开更多

关键词 四钨极TIG电弧 诱导放电 公共导电通道 物理机制

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煤样受载破坏电阻率−应力−损伤耦合规律及机制研究

6

作者 孙康 刘强 +5 位作者 邱黎明 李振雷 王超杰 孙谦 刘海瑞 王立涛 《工矿自动化》 北大核心 2025年第2期155-162,共8页

煤岩动力灾害的产生与煤岩应力集中息息相关,不同应力状态下煤样电阻率存在着明显的差异。为分析煤样加载破坏过程中各阶段电阻率的变化与损伤规律,建立了煤体电阻率加载测试系统,并进行了不同阶段电阻率−应力相关性及损伤规律分析,得... 煤岩动力灾害的产生与煤岩应力集中息息相关,不同应力状态下煤样电阻率存在着明显的差异。为分析煤样加载破坏过程中各阶段电阻率的变化与损伤规律,建立了煤体电阻率加载测试系统,并进行了不同阶段电阻率−应力相关性及损伤规律分析,得出以下结论:①煤样电阻率与煤岩应力在不同阶段有着不同的对应关系,在压缩阶段电阻率呈不断减小的趋势,在弹性阶段与塑性阶段电阻率变化速度降低,在破坏阶段随着煤样的破坏发生突增。②不同煤样在压缩阶段、弹性阶段、塑性阶段的应力−电阻率相关性均大于0.6,表现出强相关性;而在破坏阶段,应力−电阻率相关性小于0.4。③电阻率变化率在整个加载过程中分为平稳期与突变期2个部分,在平稳期电阻率变化率波动较小并基本保持一致,在破坏阶段电阻率变化率发生突增。④在塑性阶段之前,电阻率取决于煤样基质本身的导电性质;在塑性阶段和破坏阶段则是由孔隙扩展、贯通及断裂破坏引起的。 展开更多

关键词 煤岩动力灾害 煤样破坏 煤样电阻率 煤岩应力 相关性分析 导电通道

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193nm激光脉冲空气电离及导电特性研究

7

作者 张华 方照勋 +1 位作者 陈德章 路英宾 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1179-1182,共4页

实验研究了193 nm激光脉冲空气电离及其形成的等离子体导电通道导电特性,采用闪光法测得193 nm激光脉冲空气电离阈值约为9.58×109 W/cm2,用单脉冲能量约145 mJ的纳秒级193 nm紫外激光脉冲在实验室空气中建立了长度约2 m的等离子体... 实验研究了193 nm激光脉冲空气电离及其形成的等离子体导电通道导电特性,采用闪光法测得193 nm激光脉冲空气电离阈值约为9.58×109 W/cm2,用单脉冲能量约145 mJ的纳秒级193 nm紫外激光脉冲在实验室空气中建立了长度约2 m的等离子体导电通道,实验测得通道的等效电阻值可达109Ω量级,通道导电寿命约为30μs。 展开更多

关键词 激光等离子体 紫外激光空气电离 空气电离阈值 等离子体导电通道

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电路基板用AlN-TiN-BN复相导电陶瓷的制备及性能研究 被引量：5

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作者 汪怀蓉 李军 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期31-34,共4页

以微米TiN、AlN以及BN为主要原料,以微米B_4C、纳米Si粉以及微米Y_2O_3为添加剂,在N_2气氛保护下热压烧结制备了AlN-TiN-BN复相导电陶瓷。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值以及导电性能。结果表明,最佳的导... 以微米TiN、AlN以及BN为主要原料,以微米B_4C、纳米Si粉以及微米Y_2O_3为添加剂,在N_2气氛保护下热压烧结制备了AlN-TiN-BN复相导电陶瓷。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值以及导电性能。结果表明,最佳的导电陶瓷配比中微米Ti N添加量(wt%)为40%,微米Al N添加量为30%,微米BN为15%。当烧结温度为1800℃时,样品性能最佳,其相对密度为95.7%,弯曲强度为415.3 MPa,断裂韧性为5.54 MPa·m^(1/2),维氏硬度为HRA 83.1,电阻率值为781.5μΩ·cm。 展开更多

关键词 电路基板 热压烧结 力学性能 导电性能 导电通道

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单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制 被引量：1

9

作者 王雪亮 徐建萍 +6 位作者 石少波 张晓松 张旭光 赵相国 石鑫 李淑彬 李岚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期795-800,共6页

制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽... 制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。 展开更多

关键词 ZNO纳米棒 荧光光谱 氧空位 导电细丝通道

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f-Ti_(3)C_(2)T_(x)/ZIF-8异质结构增强NO_(2)气体传感器的敏感性能

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作者 杜倩 侯明 +3 位作者 高冀芸 杨黎 鲁元佳 郭胜惠 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期3946-3954,共9页

采用自组装法合成了具有异质界面的f-Ti_(3)C_(2)T_(x)/ZIF-8复合材料,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、N_(2)等温吸脱附测试对合成样品的物相结构和微观结构进行了表征,并通过自行设计的四通道气敏测试设备对其气敏性能进行了研... 采用自组装法合成了具有异质界面的f-Ti_(3)C_(2)T_(x)/ZIF-8复合材料,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、N_(2)等温吸脱附测试对合成样品的物相结构和微观结构进行了表征,并通过自行设计的四通道气敏测试设备对其气敏性能进行了研究。材料分析测试发现,形状规则的ZIF-8材料均匀分布于二维少层Ti_(3)C_(2)T_(x)的表面与层间,在界面处存在典型的异质结构。气敏性能测试表明:在225℃下,该复合材料对100μL/L NO_(2)的气敏响应高达98.35%,且是ZIF-8材料气敏响应的2.1倍。认为强导电的f-Ti_(3)C_(2)T_(x)与ZIF-8复合后形成的异质结构,不仅为ZIF-8与气体表面反应产生的自由电子提供导电通道,而且通过界面效应强化了复合材料表面气固反应时电子与空穴的分离效率,进而显著提升了复合材料对NO_(2)气体的气敏性能。同时,f-Ti_(3)C_(2)T_(x)/ZIF-8复合材料的层状结构可以为目标气体分子向ZIF-8的扩散提供方便路径。 展开更多

关键词 复合材料 异质结构 气敏性能 导电通道 分离效率

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触头分离瞬间真空金属蒸气电弧形成过程的仿真 被引量：25

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作者 付思 曹云东 +2 位作者 李静 刘树鑫 韩颖 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第13期2922-2931,共10页

维持真空金属蒸气电弧所需的导电介质由触头提供,故真空间隙中金属蒸气分布情况影响电弧等离子体形成全过程。统一真空开关触头分离瞬间导电触点热过程和液桥断裂后间隙击穿过程,以热传导方程为基础,考虑触点相变过程,获得间隙极小空间... 维持真空金属蒸气电弧所需的导电介质由触头提供,故真空间隙中金属蒸气分布情况影响电弧等离子体形成全过程。统一真空开关触头分离瞬间导电触点热过程和液桥断裂后间隙击穿过程,以热传导方程为基础,考虑触点相变过程,获得间隙极小空间内金属蒸气非均匀的分布情况;建立真实金属蒸气分布情况下真空微观粒子动力学模型,求解电子、重粒子输运方程,揭示非均匀分布金属蒸气影响下电弧形成过程。仿真结果表明,分离瞬间导电触点相变产生金属蒸气密度由中心沿径向呈迅速衰减的非均匀分布;在非均布金属蒸气情况下,电弧形成过程经历电子崩发展、近极区形成和初始导电通道三个阶段;真空间隙导电通道形成取决于金属蒸气高密度区所在位置,是空间电荷密集区产生的源泉。 展开更多

关键词 真空 分离瞬间 金属蒸气 空间电荷 导电通道

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瓦斯压力对煤体电阻率影响规律与机制 被引量：7

12

作者 陈鹏 陈学习 +1 位作者 刘永杰 杨涛 《煤炭科学技术》 CAS 北大核心 2018年第7期109-114,共6页

为了研究瓦斯对煤体电阻率的影响规律,建立了含瓦斯煤体电阻率测试系统,测试分析了不同瓦斯压力下不同矿区煤样电阻率的变化规律,系统阐述了瓦斯压力对煤体电阻率的作用机制。结果表明:随着瓦斯压力的增大,煤体电阻率均呈下降趋势,电阻... 为了研究瓦斯对煤体电阻率的影响规律,建立了含瓦斯煤体电阻率测试系统,测试分析了不同瓦斯压力下不同矿区煤样电阻率的变化规律,系统阐述了瓦斯压力对煤体电阻率的作用机制。结果表明:随着瓦斯压力的增大,煤体电阻率均呈下降趋势,电阻率y与瓦斯压力x符合y=a+bln(x+c)(a,b,c为常数)的关系,且相关系数较高,电阻率在试验前期下降幅度较大,后期下降幅度变小并趋于平稳;瓦斯对煤体电阻率的影响可分为热力学、电学、力学3种机制,含瓦斯煤体视电阻率的呈现是3种机制共同作用的结果,煤的吸附放热过程、导电能垒的下降和应力对煤分子的作用都会导致含瓦斯煤体电阻率的下降,其中应力对煤分子的作用即应力作用机制为主导机制。 展开更多

关键词 瓦斯压力 电阻率 吸附 导电通道

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缺陷对RRAM材料阻变机理的影响 被引量：1

13

作者 杨金 代月花 +5 位作者 徐太龙 蒋先伟 许会芳 卢金龙 罗京 陈军宁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第17期2481-2485,共5页

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成... 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。 展开更多

关键词 VASP 阻变效应 缺陷 导电通道 RRAM

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硫氰酸银钾复合薄膜的制备及其电存储特性 被引量：1

14

作者 季欣 董元伟 徐伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期230-236,共7页

采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定... 采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定的可逆电双稳特性,高、低电阻状态的电阻比高达106,并能实现连续"写-读-擦-读"操作.器件的可逆擦写特性归因于外电场作用下AgK2(SCN)3复合介质层内导电通道的形成-断裂;电流-电压曲线拟合显示,低电阻状态符合欧姆传输,而高电阻状态表现出空间电荷限制电流传输模式.在导电通道断裂的过程中,电离作用和焦耳热效应会共同起作用. 展开更多

关键词 电化学电离 电双稳态 导电通道 界面反应 真空热蒸发 焦耳热效应

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基于BCG-MCP的四代微光像增强技术 被引量：6

15

作者 姜德龙 吴奎 +4 位作者 王国政 李野 富丽晨 端木庆铎 田景全 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期45-48,共4页

介绍了Ⅲ代微光像管中的防离子反馈膜技术 ,阐述了美国Litton公司基于BCG MCP的Ⅳ代像管的近期发展及应用概况 ,给出了实际应用中的对比情况 ,指出了BCG MCP。

关键词 BCG-MCP 自动门控电源 无晕技术 体导电玻璃微通道板 BCGMCP 四代微光像管 离子反馈 晕光效应

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不同粒径软磁颗粒掺杂磁敏弹性体的磁致电导特性 被引量：1

16

作者 居本祥 庄秋慧 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期10-14,共5页

以磁化硅橡胶为基体,在有磁场和无磁场条件下制备了多种组分微米级(粒径5~8μm)和亚微米级(粒径200 nm)软磁颗粒掺杂的磁敏弹性体(MSE)试样,通过电导试验装置和磁致电导测试系统研究了不同MSE试样的磁致电导特性,探究磁致电导机理。结... 以磁化硅橡胶为基体,在有磁场和无磁场条件下制备了多种组分微米级(粒径5~8μm)和亚微米级(粒径200 nm)软磁颗粒掺杂的磁敏弹性体(MSE)试样,通过电导试验装置和磁致电导测试系统研究了不同MSE试样的磁致电导特性,探究磁致电导机理。结果表明:在有磁场条件下制备微米级颗粒填充的MSE的磁致电导特性随着颗粒含量的增加而显著增强;随着亚微米级颗粒掺杂量的增加,在有磁场条件下制备微米级和亚微米级颗粒掺杂的MSE中微米与亚微米颗粒间产生吸附效应,零场电导与磁致电导增加值均大幅度衰减,磁致电导特性较弱;在无磁场条件下制备不同粒径颗粒掺杂的MSE中无法形成有效导电通道,磁致电导特性明显低于在有磁场条件下制备相同含量颗粒掺杂MSE。 展开更多

关键词 磁敏弹性体 颗粒掺杂 磁致电导 导电通道

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