ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究 被引量：1

1

作者 邱晓龙 孙兴伟 +3 位作者 刘寅 杨赫然 董祉序 张维锋 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期354-362,共9页

为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与... 为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。 展开更多

关键词 ITO导电玻璃 材料去除机理 切削力 残余应力

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ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理 被引量：9

2

作者 汤儆 田晓春 +2 位作者 周富庆 刘跃强 林建航 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第3期641-646,共6页

用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现A... 用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响. 展开更多

关键词 氧化铟锡导电玻璃 金纳米粒子 电沉积 成核机理

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导电玻璃上室温沉积钛膜及TiO_2纳米管阵列的制备与表征 被引量：9

3

作者 汤育欣 陶杰 +3 位作者 张焱焱 吴涛 陶海军 包祖国 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2191-2197,共7页

在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜,以NH4F/甘油为电解液,经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列/FTO复合结构,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)以及光电化学... 在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜,以NH4F/甘油为电解液,经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列/FTO复合结构,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)以及光电化学的方法对纳米管阵列进行了表征.研究表明,在氩气气压为0.5Pa,功率为150W,时间为0.5h条件下在导电玻璃上室温沉积获得钛膜的结构为晶带T型组织,表面均匀性好且致密度较高;在电压为30V下,随着阳极氧化时间从1h延长至3h,纳米管的管径从50nm增加到75nm,纳米管的长度从750nm增至1100nm后减至800nm,管壁由平滑变为波纹状;随氧化电压的升高,纳米管管径逐渐增大,而表面覆盖物逐渐减少,可通过在稀的HF溶液(0.05%(w,质量分数))中超声清洗去除;此外,瞬态光电流测试表明结晶的电极表现出更好的光电转换性能,紫外光照射下能促进TiO2光生载流子有效分离,在热处理温度为450℃时,具有较高的光电化学性能. 展开更多

关键词 射频磁控溅射 室温 FTO导电玻璃 TIO2纳米管阵列 NH4F/甘油

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氢燃料电池电解质P_2O_5-SiO_2快质子导电玻璃的Sol-Gel法合成 被引量：8

4

作者 于宝刚 李启甲 殷海荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期742-745,共4页

采用Sol Gel法制备了P2 O5 SiO2 快质子导电玻璃 ,用四探针薄层电阻测试仪、XRD、IR等手段对玻璃的电性能、物相结构和组成进行了表征 ,并探讨了质子导电机理。结果表明P2 O5 SiO2 快质子导电玻璃中的强氢键、分子水、结构的不完整性是... 采用Sol Gel法制备了P2 O5 SiO2 快质子导电玻璃 ,用四探针薄层电阻测试仪、XRD、IR等手段对玻璃的电性能、物相结构和组成进行了表征 ,并探讨了质子导电机理。结果表明P2 O5 SiO2 快质子导电玻璃中的强氢键、分子水、结构的不完整性是导致高质子导电率的主要原因。 展开更多

关键词 氢燃料电池 溶胶-凝胶 磷酸盐玻璃 快质子 导电玻璃

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硅烷偶联剂在导电玻璃纤维制备中的应用 被引量：8

5

作者 黄英 时刻 +3 位作者 廖梓珺 王艳丽 王利 宋纪蓉 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期624-628,共5页

导电玻璃纤维是性能优良的电损耗型吸收剂,前处理是利用化学镀方法制备该材料的关键步骤。文中提出了一种用硅烷偶联剂对玻璃纤维进行前处理,基于分子自组装膜(SAM s)吸附胶体钯颗粒的方法,成功地引发了在玻璃纤维表面的化学镀。研究了... 导电玻璃纤维是性能优良的电损耗型吸收剂,前处理是利用化学镀方法制备该材料的关键步骤。文中提出了一种用硅烷偶联剂对玻璃纤维进行前处理,基于分子自组装膜(SAM s)吸附胶体钯颗粒的方法,成功地引发了在玻璃纤维表面的化学镀。研究了几种不同结构的硅烷偶联剂对玻璃纤维表面的修饰改性。XPS分析表明,经过偶联处理后,不同结构的硅烷偶联剂都和玻璃纤维表面的硅发生了化学键合作用。论文首次利用G aussian98软件对不同结构硅烷偶联剂和玻璃纤维表面发生作用的理论模型进行了分析。计算结果表明,不同结构的硅烷偶联剂和玻璃纤维表面发生的化学键合作用力存在着明显差异,KH 550与玻璃纤维表面硅的结合力要强于KH 560和S i602。SEM分析进一步表明,硅烷偶联剂对导电玻璃纤维的镀层形貌有着重要的影响,KH 550处理后的玻璃纤维,其镀层的完整性和均匀性更好。该诱发化学镀的方法具有镀层厚度均匀、附着力强的优点。 展开更多

关键词 自组装膜(SAMs) 硅烷偶联剂 导电玻璃纤维 Gaussian98软件 化学镀

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硫系锂离子导电玻璃及微晶玻璃的研究 被引量：2

6

作者 王衍行 祖成奎 +4 位作者 何坤 刘永华 陈江 赵慧峰 韩滨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期23-27,34,共6页

硫系锂离子导电玻璃及微晶玻璃具有离子电导率高、成形简单、组成和性能在一定范围内连续可调、不可燃等特点,被视为实现全固态锂离子电池的理想电解质材料。综述了硫系锂离子导电玻璃及微晶玻璃的制备工艺、结构、导电性能以及在锂离... 硫系锂离子导电玻璃及微晶玻璃具有离子电导率高、成形简单、组成和性能在一定范围内连续可调、不可燃等特点,被视为实现全固态锂离子电池的理想电解质材料。综述了硫系锂离子导电玻璃及微晶玻璃的制备工艺、结构、导电性能以及在锂离子电池中的应用,最后指出了其发展趋势。 展开更多

关键词 离子导电玻璃 固体电解质 硫系玻璃 微晶玻璃

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室温快质子导电玻璃 被引量：2

7

作者 张中太 张俊英 唐子龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-3,共3页

本文介绍了室温质子导电玻璃及提高质子导电率的几种方法 :H+ 注入法 ,sol -gel(溶胶 -凝胶 )工艺和复合强化法。与传统熔融 -淬火玻璃相比 ,从大量研究成果总结出各种方法对导电率的提高 ,并从基体的结构变化和导电机制方面分析各种方... 本文介绍了室温质子导电玻璃及提高质子导电率的几种方法 :H+ 注入法 ,sol -gel(溶胶 -凝胶 )工艺和复合强化法。与传统熔融 -淬火玻璃相比 ,从大量研究成果总结出各种方法对导电率的提高 ,并从基体的结构变化和导电机制方面分析各种方法提高质子导电率的原因 ,为发展新型快质子导体提供理论基础。对室温快质子导电进行了展望 ,以期发展实用性低温燃料电池。 展开更多

关键词 质子导电 玻璃 质子注入 导电玻璃 燃料电泄 sol-gel工艺

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SnO_2膜导电玻璃性能的研究 被引量：5

8

作者 朱月秀 王德苗 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期72-74,共3页

采用喷镀法制备SnO2 膜导电玻璃 ,研究了膜厚、基底温度对薄膜电阻和透光率的影响。用SEM、XPS和XRD分析了SnO2 膜的形貌与导电性能 ,并研究了其透光性、反射性及热稳定性。结果表明 :SnO2 膜是多晶结构氧空位导电的N型半导体 ,在可见... 采用喷镀法制备SnO2 膜导电玻璃 ,研究了膜厚、基底温度对薄膜电阻和透光率的影响。用SEM、XPS和XRD分析了SnO2 膜的形貌与导电性能 ,并研究了其透光性、反射性及热稳定性。结果表明 :SnO2 膜是多晶结构氧空位导电的N型半导体 ,在可见光范围内透光率达 展开更多

关键词 SnO2膜 谱图分析 透光率 热稳定性 导电玻璃 喷镀法 二氧化锡膜

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除油和蚀刻对ITO导电玻璃化学镀镍的影响 被引量：2

9

作者 焦亚萍 项腾飞 +1 位作者 梅天庆 任春春 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2015年第8期35-39,共5页

实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污，用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力，以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍。研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响，确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数。结果表明，用碱... 实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污，用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力，以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍。研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响，确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数。结果表明，用碱性化学除油液在25～35℃，除油6min，用磷酸溶液在40℃左右，蚀刻3min的条件下进行前处理，所得镀层覆盖率高、选择性优，与基体的结合力良好。 展开更多

关键词 ITO导电玻璃 化学镀镍 前处理 除油 蚀刻

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ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用 被引量：16

10

作者 马颖 张方辉 牟强 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2003年第1期106-109,共4页

主要介绍了 ITO膜透明导电玻璃的主要特性、结构、导电机理、半导化机理、制备方法 。

关键词 ITO膜透明导电玻璃 制备 导电机理 半导化机理 液晶显示器 溶胶-凝胶法

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ITO透明导电玻璃的隔热实验研究 被引量：1

11

作者 常天海 江豪成 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期139-142,146,共5页

本文介绍了氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的隔热和试验结果，给出了具体的温差数据和比例。

关键词 ITO 透明导电玻璃 隔热实验

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柔性AZO/NiCr/Ag/NiCr/AZO透明导电玻璃结构对性能的影响 被引量：1

12

作者 姚婷婷 王天齐 +3 位作者 王伟 汪冰洁 李刚 甘治平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期449-455,共7页

目的室温制备柔性透明导电玻璃并提高其光电性能。方法采用直流磁控溅射法,以柔性玻璃为基底,在室温下沉积(Aluminum-doped ZnO,AZO)/NiCr/Ag/NiCr/AZO多层结构透明导电玻璃。通过探针轮廓仪测试、X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)... 目的室温制备柔性透明导电玻璃并提高其光电性能。方法采用直流磁控溅射法,以柔性玻璃为基底,在室温下沉积(Aluminum-doped ZnO,AZO)/NiCr/Ag/NiCr/AZO多层结构透明导电玻璃。通过探针轮廓仪测试、X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测试、拉曼光谱仪测试、分光光度计测量、四探针测试和霍尔效应测试,分别获得了样品的各层薄膜厚度、X射线衍射图谱、拉曼光谱、透光率、方块电阻和电学性能。经过参数优化,选取Ag膜厚度为3~15 nm的样品,研究Ag膜厚度对玻璃样品的结构特征及光电性能的影响。结果样品光电性能与Ag层厚度密切相关,随着中间Ag层厚度的增加,样品在380~760 nm波长范围内的平均光透光率先增加后降低,吸收边依次发生了红移,样品的方块电阻则随着Ag层厚度的增加单调减小。Ag膜厚度为12 nm的样品综合光电性能最佳,其平均透光率为82.4%,载流子浓度为8.32×10^(21) cm^(‒3),载流子迁移率为8.21 cm^(2)/(V·s),电阻率为9.15×10^(‒5)Ω·cm,方块电阻为8.8Ω/sq,品质因子可达16.4×10^(–3)Ω^(–1)。结论说明可以通过透明导电薄膜结合金属薄膜在室温下获得柔性透明导电玻璃,并具有较好的透光性能和导电性。 展开更多

关键词 柔性 透明导电玻璃 AZO/NiCr/Ag/NiCr/AZO Ag厚度 透光率 品质因子

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导电玻璃ITO上有机薄膜的受激发射

13

作者 王子群 刘星元 等 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第Z01期396-398,共3页

本文以有机薄膜Perylene:PS为增益介质，在透明导电薄膜ITO衬底上，实现了在光泵浦条件下光增益放大。观察到的放大自发发射峰位于478nm，光谱半高全宽为7nm。

关键词 有机薄膜 导电玻璃ITO 受激发射 光泵浦

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Cul-Cu_2O-WO_3快离子导电玻璃的制备和电性质

14

作者 李光明 干福熹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第6期1-4,共4页

采用双辊快速急冷(rapid twin-roller quenching)法获得了新的非晶态CuI-Cu_2O-WO_3快离子Cu^+导体,其室温电导率高达10^(-2)Ω^(-1)cm^(-1)。离子电导和电子电导的测量表明,在二元Cu_2O-WO_3玻璃中,随着Cu_2O含量的增加,玻璃的离子电... 采用双辊快速急冷(rapid twin-roller quenching)法获得了新的非晶态CuI-Cu_2O-WO_3快离子Cu^+导体,其室温电导率高达10^(-2)Ω^(-1)cm^(-1)。离子电导和电子电导的测量表明,在二元Cu_2O-WO_3玻璃中,随着Cu_2O含量的增加,玻璃的离子电导增加,电子电导减小。准二元CuI-Cu_2WO_4玻璃则为纯离子导体。根据玻璃结构变化对电导率的变化进行了解释。 展开更多

关键词 导电玻璃 制备 电性质 快离子导体

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氧化锌在ITO导电玻璃上电沉积生长过程研究 被引量：2

15

作者 周晓平 马琳 +1 位作者 冯宗财 谢木标 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1091-1094,1107,共5页

采用恒电流电解法,以0.1mol/LNH4NO3、0.01mol/LZn(CH3COO)2水溶液为电解液,成功将ZnO电沉积于ITO导电玻璃的表面。利用扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO晶核在ITO导电玻璃表面上的生长过程,对其生长取向、排列方式及微观形貌等方面发生的... 采用恒电流电解法,以0.1mol/LNH4NO3、0.01mol/LZn(CH3COO)2水溶液为电解液,成功将ZnO电沉积于ITO导电玻璃的表面。利用扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO晶核在ITO导电玻璃表面上的生长过程,对其生长取向、排列方式及微观形貌等方面发生的一系列变化的规律进行了研究和讨论。利用X射线衍射分析(XRD)研究了电沉积时间对ZnO结晶性的影响。结果表明:ZnO在ITO导电玻璃上的电沉积过程,经历了晶核生成、增长成片、片状组合、定向排列、团聚成花、团聚成块等连续过程;随着沉积时间的增长,沉积厚度增加,使得ZnO晶体的结晶性变差。 展开更多

关键词 恒电流电解法 氧化锌 电沉积 ITO导电玻璃 生长过程

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碳纤维导电玻璃钢阳极管的设计与制作 被引量：1

16

作者 李娜 《玻璃钢／复合材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期101-104,共4页

介绍了碳纤维导电玻璃钢阳极管在湿式静电除尘领域中的应用状况及性能要求。根据导电玻璃钢制品的特点,分析了阳极管的设计及成型工艺。

关键词 湿式静电除尘 导电玻璃钢 阳极管 成型工艺

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在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜

17

作者 涂洁磊 陈庭金 +2 位作者 章晨静 吴长树 施兆顺 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期82-85,共4页

该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、... 该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃. 展开更多

关键词 GaAs/导电玻璃 热壁外延 太阳电池 薄膜材料

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导电玻璃浸涂废液的回收利用

18

作者 潘志信 王玉娟 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期308-308,共1页

导电玻璃浸涂废液的回收利用导电玻璃用于制造液晶显示器件在电子行业获得广泛应用。浸涂法生产导电玻璃过程中产生一种废液称为浸涂废液，其组成见表１。表１浸涂废液组成成分质量分数／％成分质量分数／％硅酸乙酯乙酸乙酯乙酰丙酮正... 导电玻璃浸涂废液的回收利用导电玻璃用于制造液晶显示器件在电子行业获得广泛应用。浸涂法生产导电玻璃过程中产生一种废液称为浸涂废液，其组成见表１。表１浸涂废液组成成分质量分数／％成分质量分数／％硅酸乙酯乙酸乙酯乙酰丙酮正戍醇水１８．７５１９．３８０．３１... 展开更多

关键词 导电玻璃 浸涂废液 回收利用

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易加工的FRP(玻璃纤维增强塑料)导电玻璃纤维

19

作者 王永山 《工业技术经济》 1985年第6期50-,共1页

日东纺绩公司首次在世界上开发出导电玻璃纤维。玻璃纤维本来是具有绝缘性的,但公司通过特殊的处理技术在玻璃纤维的表面进行均匀的镀镍,使之具有导电性。这种导电玻璃纤维、线与纺织物等,既使是任何形状都具有导电性、具有与各种塑料... 日东纺绩公司首次在世界上开发出导电玻璃纤维。玻璃纤维本来是具有绝缘性的,但公司通过特殊的处理技术在玻璃纤维的表面进行均匀的镀镍,使之具有导电性。这种导电玻璃纤维、线与纺织物等,既使是任何形状都具有导电性、具有与各种塑料亲和容易,对FRP加工容易的特点。 展开更多

关键词 FRP 镀镍 导电玻璃 绝缘玻璃 板弹簧 纺织物 热固化 加热强度 基本一样 商用车

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导电玻璃上原位电化学沉积有序聚吡咯纳米阵列及电化学性能

20

作者 陈奥 胡广 +4 位作者 盛全康 陈龙 张禹 陈韶云 胡成龙 《化工进展》 2025年第11期6534-6541,共8页

导电支撑电极上原位生长有序纳米结构,可以加改善级电容器电极材料中法拉第反应进行电荷存储,并解决高性能赝电容器电极“死体积”限制。本文报道了在未经任何处理的掺氟二氧化锡(FTO)导电玻璃表面上,利用原位电化学沉积法制备有序聚吡... 导电支撑电极上原位生长有序纳米结构,可以加改善级电容器电极材料中法拉第反应进行电荷存储,并解决高性能赝电容器电极“死体积”限制。本文报道了在未经任何处理的掺氟二氧化锡(FTO)导电玻璃表面上,利用原位电化学沉积法制备有序聚吡咯(polypyrrole,PPy)纳米棒阵列(PPy/FTO),构建简单电极上有序电活性聚合物纳米阵列结构。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、循环伏安、恒电流充放电和电化学阻抗谱研究了PPy的形态和电荷存储性能。有序PPy/FTO纳米阵列电极在1A/g电流密度下,本征真实比电容为120F/g;电流密度为5A/g下其可以保持52%的比电容。有序PPy/FTO纳米阵列电极在中性LiCl水溶液电解液中循环充放电1000次后,电容保持率仅为41.1%,这是因为本征PPy纳米阵列在循环反复充放电过程中,容易发生分子链的膨胀与收缩而产生机械断裂,降低了电极的循环稳定性。本文为导电聚合物阵列结构的制备提供了思路,同时也阐明本征导电聚合物纳米结构作为电极材料的缺点,为导电聚合物复合电极材料的制备提供数据支撑。 展开更多

关键词 导电玻璃 聚吡咯 纳米阵列 电化学性能 电极材料

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