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面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述
1
作者
杨瀚
刘国柱
+7 位作者
魏轶聃
赵伟
魏应强
周颖
隋志远
刘美杰
尤兴宇
魏敬和
《材料导报》
北大核心
2025年第21期116-127,共12页
导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储...
导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储器技术应运而生。本文阐述了CBRAM的基本概念与基本结构;详细分析了不同介质层中导电细丝的形成机理;对比了不同电极材料和介质层材料制备的器件电学性能的差异;介绍了CBRAM在存储器及神经形态计算领域的应用;总结了忆阻器面临的挑战并对未来的进一步发展提出了建议。
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关键词
导电桥式随机存储器
阻变机制
介质层材料
电极材料
存储器
神经形态计算
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职称材料
题名
面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述
1
作者
杨瀚
刘国柱
魏轶聃
赵伟
魏应强
周颖
隋志远
刘美杰
尤兴宇
魏敬和
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
集成电路与微系统全国重点实验室
空天集成电路与微系统工信部重点实验室
出处
《材料导报》
北大核心
2025年第21期116-127,共12页
基金
国家自然科学基金(U24B6015,62204233,62174150)
江苏省重点研发计划(BE2023005)
+1 种基金
“太湖之光”科技攻关(K20221055)
集成电路与微系统全国重点实验室(JCYQ2310803-1)。
文摘
导电桥式随机存储器(CBRAM)作为一种新兴的非易失性存储器技术,近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网(IoT)、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展,对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求,CBRAM等新一代存储器技术应运而生。本文阐述了CBRAM的基本概念与基本结构;详细分析了不同介质层中导电细丝的形成机理;对比了不同电极材料和介质层材料制备的器件电学性能的差异;介绍了CBRAM在存储器及神经形态计算领域的应用;总结了忆阻器面临的挑战并对未来的进一步发展提出了建议。
关键词
导电桥式随机存储器
阻变机制
介质层材料
电极材料
存储器
神经形态计算
Keywords
conductive bridge random access memory
resistance switching mechanism
dielectric layer material
electrode material
memory
neuromorphic computing
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述
杨瀚
刘国柱
魏轶聃
赵伟
魏应强
周颖
隋志远
刘美杰
尤兴宇
魏敬和
《材料导报》
北大核心
2025
0
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