内部导体结构对GIS母线损耗发热的影响 被引量：19

1

作者 范镇南 罗永刚 +3 位作者 赵斌 张德威 陈显坡 杨皓麟 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期22-27,共6页

为研究内部导体结构对GIS母线的损耗发热的影响,运用有限元方法,以单相GIS母线为例,建立其损耗发热的电磁场—流场—温度场求解模型。在综合考虑集肤效应、涡流损耗、电导率温度效应、对流与辐射散热、以及重力加速度等多种因素影响的... 为研究内部导体结构对GIS母线的损耗发热的影响,运用有限元方法,以单相GIS母线为例,建立其损耗发热的电磁场—流场—温度场求解模型。在综合考虑集肤效应、涡流损耗、电导率温度效应、对流与辐射散热、以及重力加速度等多种因素影响的基础上,针对圆环、八边形、开缝圆环及开缝八边形等内部导体结构设计方案,计算分析了母线的热源和温度分布规律,并与测量数据进行了比较。结果表明:对于上述4种单相GIS母线内部导体结构,当母线水平放置时,其温度分布的大致规律为:内部导体与金属外壳的温度分布呈上高下低,左右对称的规律,在两者之间的气体空间,等温线呈弯曲的S型分布,同一圆周上温度分布并不均匀,整个母线最高温度位于内部导体。而内部导体开缝,对加强气体流动散热,降低自身温度,具有明显的效果。没有棱角或棱角较少的内部导体,由于最大电流密度、最大损耗密度及总损耗均低于棱角较多的内部导体,从而在开缝后具有较低的温度。 展开更多

关键词 导体结构 GIS母线 损耗 发热 电磁场 流场 有限元

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角向多导体结构中TM波分析

2

作者 李响 李宏福 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期352-358,共7页

研究了角向多导体结构中的 TM 波,求出了系统中的场分布表达式与这种结构 TM 波的特征方程,对特征方程进行了数值求解。

关键词 电子回转脉塞 多导体结构 TM波

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在172K下显示强磁性的半导体结构

3

《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期70-70,共1页

关键词 半导体结构 强磁性 日本东京大学 混晶半导体

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一种制备金红石型二氧化钛及其形成半导体结构的方法

4

《无机盐工业》 CAS 北大核心 2014年第1期30-30,共1页

本发明公布了一种金红石型二氧化钛的制备方法。具体方法：1）将过渡金属（如钒、铬、钨、锰、钌、锇、铑、铱、铂、锗、锡或铅）置于氧气（O2）氛围使之氧化，反应温度为200—400℃；

关键词 金红石型二氧化钛 制备方法 半导体结构 过渡金属 反应温度 氧气

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双频带柔性人工磁导体结构研究

5

作者 王蒙军 杨泽 +2 位作者 刘建颖 郑宏兴 蔡露露 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期15-20,共6页

人工磁导体能够减小人体生物组织对人体通信天线性能的影响。根据等效电路模型以及软件优化仿真明确3×3人工磁导体结构单元形状和尺寸参数。结合人体手臂生物组织模型进行仿真,以0.05 mm厚度聚酰亚胺为基底材料、铜为导电材料,加... 人工磁导体能够减小人体生物组织对人体通信天线性能的影响。根据等效电路模型以及软件优化仿真明确3×3人工磁导体结构单元形状和尺寸参数。结合人体手臂生物组织模型进行仿真,以0.05 mm厚度聚酰亚胺为基底材料、铜为导电材料,加工制作正方形人工磁导体结构辐射单元和天线并在人体手臂进行实测。仿真与测试结果表明辐射单元结构尺寸设计为S1=24 mm,S2=23 mm,S3=12 mm,S4=7 mm,能够确保天线工作在2.45 GHz和5.80 GHz双频段,将人体SAR值在2.45 GHz时降低了86%,在5.8 GHz降低了64%,AMC结构和天线相距5 mm时,实测天线回波损耗S（11）参数曲线与理论结果相符,可以满足双频带安全人体通信的应用需求。 展开更多

关键词 柔性基底材料 人工磁导体结构 双频段天线 比吸收率值

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毫米波多内导体布喇格结构电磁特性研究

6

作者 丁学用 王石峰 +1 位作者 王连胜 袁帅 《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期142-147,共6页

基于多模耦合理论,利用三维电磁仿真软件CST对毫米波双内导体和三内导体布喇格结构电磁特性分别进行了比较研究。结果表明:双内导体布喇格结构相比同轴布喇格结构可以抑制竞争模式,反射率稳定并接近1,对称性结构电磁特性优于非对称性结... 基于多模耦合理论,利用三维电磁仿真软件CST对毫米波双内导体和三内导体布喇格结构电磁特性分别进行了比较研究。结果表明:双内导体布喇格结构相比同轴布喇格结构可以抑制竞争模式,反射率稳定并接近1,对称性结构电磁特性优于非对称性结构;随着内导体距离同轴轴心距离的增大,双内导体布喇格结构频率响应带宽变宽,且当内导体距离同轴轴心距离较远时,带宽变宽趋势明显,而反射率值趋于稳定;对于三内导体布喇格结构,随着内导体距离同轴轴心距离的增大,频率响应带宽变窄,且当内导体距离同轴轴心距离较近时,带宽变宽趋势明显。因此,可根据实际需要恰当选择毫米波多内导体布喇格结构参数,拓宽其作为反射器或者滤波器的性能,提高模式的选择性及模式的纯度,改善布喇格结构的性能。 展开更多

关键词 同轴布喇格结构 双内导体结构 三内导体结构 频率响应 电场分布云图

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CdS/MS(M=Ag,Pb,Cu,Zn)半导体纳米复合结构的制备 被引量：8

7

作者 匡汉茂 邓兆祥 +2 位作者 李春辉 孙晓明 李亚栋 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期133-137,共5页

利用金属硫化物在水溶液中溶度积的差异和通过水热及超声波等辅助方式,利用离子置换法与共沉淀法,对CdS纳米棒上金属离子(Cd2+)的部分置换而对纳米微粒进行侵蚀或包覆,形成镶嵌式点缀结构或完全包覆层的异质核-壳结构CdS/MS(M=Ag+,Cu2+,... 利用金属硫化物在水溶液中溶度积的差异和通过水热及超声波等辅助方式,利用离子置换法与共沉淀法,对CdS纳米棒上金属离子(Cd2+)的部分置换而对纳米微粒进行侵蚀或包覆,形成镶嵌式点缀结构或完全包覆层的异质核-壳结构CdS/MS(M=Ag+,Cu2+,Pb2+,Zn2+)。使用XRD和TEM对所得样品进行了表征。 展开更多

关键词 硫化镉 离子置换法 共沉淀法 核-壳结构 硫化镉 半导体纳米复合结构 制备 表征 CDS

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三维导体介质复合结构电磁辐射与散射的MLFMA分析 被引量：2

8

作者 阙肖峰 聂在平 胡俊 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期893-898,共6页

利用多层快速多极子方法(MLFMA)分析三维导体介质复合结构的电磁辐射与散射特性。根据等效原理,介质表面构造Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu(PMCHW)方程,导体表面建立电场积分方程(EFIE)。分析了含介质目标MLFMA算法中远区组矩阵矢... 利用多层快速多极子方法(MLFMA)分析三维导体介质复合结构的电磁辐射与散射特性。根据等效原理,介质表面构造Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu(PMCHW)方程,导体表面建立电场积分方程(EFIE)。分析了含介质目标MLFMA算法中远区组矩阵矢量相乘运算以及有耗媒质空间中格林函数的平面波展开。利用该方法研究了涂敷目标电磁散射特性以及天线罩对直线阵天线辐射特性的影响。MLFMA的应用降低了计算量和存储量,实现了对电大尺寸目标快速、准确的求解。 展开更多

关键词 导体介质复合结构 多层快速多极子方法 涂敷目标 电磁散射 天线罩

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半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展 被引量：6

9

作者 黄美纯 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期242-250,共9页

评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于 Si基光电子材料设计方面的重要进展 .着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望 .最近关于 Si纳米晶光增益和纳米硅 /氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具... 评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于 Si基光电子材料设计方面的重要进展 .着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望 .最近关于 Si纳米晶光增益和纳米硅 /氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义 .对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于 Si/ O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道 .这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破 . 展开更多

关键词 半导体量子结构 硅基光电子材料 纳米硅/氧超晶格 硅纳米晶 电子态理论 设计

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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

10

作者 孔月婵 薛舫时 +2 位作者 周建军 李亮 陈辰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期83-86,共4页

采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变... 采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BST/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BST极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BST的平均极化方向仍与Al-GaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。 展开更多

关键词 铁电/半导体异质结构 极化调制 二维电子气

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半导体异质结构中的极化子理论研究

11

作者 刘自信 楚兴丽 +1 位作者 刘亚 秦志杰 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2001年第4期125-125,共1页

关键词 半导体异质结构 极化子理论 变分法

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大直径波纹内导体同轴慢波结构特性的研究

12

作者 于新华 蒙林 +3 位作者 鄢扬 袁家德 蒲友雷 顾小卫 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期566-569,共4页

提出了易以加工的大直径波纹内导体相对论返波振荡器慢波结构,推导了这种慢波结构的冷色散方程和耦合阻抗计算公式,数值计算并详细分析了相关结构参数对TM0n模式色散曲线分离度以及TM02模式的高频场耦合阻抗的影响.结果表明:慢波结构周... 提出了易以加工的大直径波纹内导体相对论返波振荡器慢波结构,推导了这种慢波结构的冷色散方程和耦合阻抗计算公式,数值计算并详细分析了相关结构参数对TM0n模式色散曲线分离度以及TM02模式的高频场耦合阻抗的影响.结果表明:慢波结构周期、波纹深度以及电子注平均半径都对高频场耦合阻抗有影响;这种慢波结构在抑制模式竞争、以及在低引导磁场下工作等方面都有较大的优势. 展开更多

关键词 波纹内导体慢波结构 模式竞争 耦合阻抗 低磁场

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三维多导体互连结构交扰问题的时域分析

13

作者 邵振海 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期43-45,共3页

本文利用时域有限差分法对多导体互连结构的交扰问题进行了分析 ,提取了各端口的S参数 .利用AR模型中的Marple方法及参数提取、修正技术对解进行了优化 ,从而缩短了计算时间 ,提高了计算的精度 .利用超吸收边界条件大大的减少了网格剖分... 本文利用时域有限差分法对多导体互连结构的交扰问题进行了分析 ,提取了各端口的S参数 .利用AR模型中的Marple方法及参数提取、修正技术对解进行了优化 ,从而缩短了计算时间 ,提高了计算的精度 .利用超吸收边界条件大大的减少了网格剖分数 ,节省了计算机的内存 . 展开更多

关键词 多导体互连结构 时域分析 交扰 集成电路

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三维交错结构短导体在输电杆塔接地装置中的应用方法 被引量：5

14

作者 杨泰 杨鑫 +3 位作者 刘宇彬 朱子茵 谢炀 周秀 《电力科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期259-266,共8页

降低杆塔的冲击接地电阻是提高输电线路反击耐雷水平的有效措施,而目前的各种降阻方法普遍存在技术经济性及施工难度难以兼顾的问题。在接地体上添加短导体,兼具降阻和施工简便的优势。为此,研究利用三维交错结构短导体降低杆塔冲击接... 降低杆塔的冲击接地电阻是提高输电线路反击耐雷水平的有效措施,而目前的各种降阻方法普遍存在技术经济性及施工难度难以兼顾的问题。在接地体上添加短导体,兼具降阻和施工简便的优势。为此,研究利用三维交错结构短导体降低杆塔冲击接地电阻的方法,并给出短导体的参数优化方法。首先,考虑土壤非线性电离影响在内,采用CDEGS软件对添加短导体接地装置时的冲击接地电阻进行计算,计算结果表明三维交错结构短导体具有更好的降阻效果;然后,以单位长度降阻率和最小冲击接地电阻为指标,对三维交错结构短导体的长度和间隔进行参数优化;最后,以1000Ω⋅m土壤电阻率为例,求得短导体的最优长度和最优间隔分别为1.1、2.8 m,添加三维交错结构短导体的接地装置可降低16.52%的冲击接地电阻。研究结果可为输电杆塔接地装置的设计提供方法指导。 展开更多

关键词 三维交错结构短导体 接地优化设计 杆塔接地装置 降阻 CDEGS软件

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物理系吴惠桢课题组在半导体量子结构的光、电特性研究中取得的新进展

15

《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2014年第4期F0003-F0003,共1页

半导体量子点是半导体照明工程、太阳能电池、量子通信等领域的重要基础材料．最近，物理系博士生胡炼等在导师吴惠桢教授的指导下完成了对半导体量子点-金属纳米结构等离激元耦合态的精确调控，应用该耦合态可实现单一尺寸半导体量子... 半导体量子点是半导体照明工程、太阳能电池、量子通信等领域的重要基础材料．最近，物理系博士生胡炼等在导师吴惠桢教授的指导下完成了对半导体量子点-金属纳米结构等离激元耦合态的精确调控，应用该耦合态可实现单一尺寸半导体量子点的白光发光，并可应用于LED器件中[Small，DOI：10．1002／smll．201400094]． 展开更多

关键词 半导体量子结构 物理系 课题组 电特性 半导体量子点 太阳能电池 LED器件 照明工程

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基于MATLAB的超导体异质结构隧穿效应模拟实验的设计与实践

16

作者 李红 杨新建 +2 位作者 徐志杰 刘冰 朱化凤 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第9期191-194,共4页

为了丰富大学物理实验教学内容,将科学研究与教学有机结合,设计了"基于MATLAB的超导体异质结构隧穿效应"模拟实验教学项目。教学过程包括理论模型构建、MATLAB软件编程计算、计算结果模拟与讨论等环节,以正常金属硅烯基/铁磁d... 为了丰富大学物理实验教学内容,将科学研究与教学有机结合,设计了"基于MATLAB的超导体异质结构隧穿效应"模拟实验教学项目。教学过程包括理论模型构建、MATLAB软件编程计算、计算结果模拟与讨论等环节,以正常金属硅烯基/铁磁d-波超导隧道结的输运性质研究为例开展。该研究型实验教学项目的引入,使学生对超导体的配对机制和量子隧穿效应有了更深刻而直观的理解,大大激发了学生对科学研究的兴趣。 展开更多

关键词 超导体异质结构 硅烯/铁磁d-波超导隧道结 ANDREEV反射 MATLAB软件

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中科院化学所在制备具有“半导体-半导体异质结构”的纳米材料方面取得重要研究进展

17

《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期107-107,共1页

在国家自然科学基金委、科技部以及中科院的资助下，中科院化学所胶体、界面与化学热力学院重点实验室高明远课题组在具有特殊结构和形貌的纳米材料的合成发面开展了系列研究工作。

关键词 中科院化学所 半导体异质结构 纳米材料 国家自然科学基金 制备 重点实验室 特殊结构 科技部

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大截面高压电缆导体交流电阻的优化 被引量：25

18

作者 邓显波 欧阳本红 +2 位作者 孔祥海 赵健康 夏荣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期522-527,共6页

由于集肤效应的影响,大截面高压电缆导体的交流电阻远大于直流电阻,不仅会导致电缆线路的载流能力降低,还会产生更大的线路损耗。为解决该问题,通过分析电缆导体集肤效应的产生原理和影响因素,探索降低导体交流电阻的措施,试制了不同设... 由于集肤效应的影响,大截面高压电缆导体的交流电阻远大于直流电阻,不仅会导致电缆线路的载流能力降低,还会产生更大的线路损耗。为解决该问题,通过分析电缆导体集肤效应的产生原理和影响因素,探索降低导体交流电阻的措施,试制了不同设计结构的导体样品,并采用电压电流相位差法对样品进行交流电阻测量研究。结果表明:截面积为800 mm2的电缆分割导体的交流电阻比紧压圆形结构降低了约7.5%;截面积≤1 600 mm2的瓦楞形分割导体与扇形分割导体的交流电阻相差不大;采用单线绝缘可以有效降低交流电阻,其中漆包单线比氧化单线对交流电阻的降低效果更明显,但前者的生产成本和安装成本更高;对于紧压圆形和分割导体,同向绞合均比异向绞合结构更能有效降低交流电阻,适当提高紧压系数和增加单线根数也均能降低交流电阻。 展开更多

关键词 电缆导体 交流电阻 集肤效应 导体结构 单线绝缘 电压电流相位差法

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层叠导体脉冲涡流检测中探头瞬态响应的快速计算 被引量：10

19

作者 张玉华 孙慧贤 罗飞路 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第36期129-134,共6页

针对飞机多层金属结构中各类隐藏腐蚀导致的金属层减薄、层离间隙变化等问题,建立任意n层层叠导体结构脉冲涡流检测的电磁场理论模型,应用矢量磁势A推导得到了导体结构对线圈探头的反射系数,将之归纳为n个矩阵相乘的形式。进一步导出了... 针对飞机多层金属结构中各类隐藏腐蚀导致的金属层减薄、层离间隙变化等问题,建立任意n层层叠导体结构脉冲涡流检测的电磁场理论模型,应用矢量磁势A推导得到了导体结构对线圈探头的反射系数,将之归纳为n个矩阵相乘的形式。进一步导出了同轴双线圈探头频域响应的积分表达式,并根据低频电磁场传播特性和偏微分方程理论,将二重广义积分转化为级数求和,采用快速傅里叶变换计算探头的瞬态响应,并与有限元时步法进行对比,验证理论推导的正确性,结果表明级数展开结合快速傅里叶变换是一种更快速有效的求解方法。 展开更多

关键词 脉冲涡流检测 层叠导体结构 瞬态响应 反射系数 级数展开 傅里叶变换 时步法

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InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究

20

作者 李超荣 吕威 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期17-22,共6页

应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出... 应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定。这就激发了从实验上予以研究的要求。另外,含N的III V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究。本文应用高分辨X射线衍射和透射电子显微技术研究了InGaN GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响。得出InGaN GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度更适合基于介稳外延半导体结构应变弛豫的Fischer模型;失配位错为纯刃型位错,可通过滑移面的改变而形成穿透位错;弛豫发生后,非常明显地影响发光性能,尤其是室温下的发光性能。 展开更多

关键词 INGAN/GAN 量子阱结构 失配 临界厚度 半导体结构 发光性能 器件设计 弛豫 配位 超晶格

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