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荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究
被引量：
3
1
作者
杨兰兰
屠彦
+2 位作者
李青
朱振华
王保平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期122-127,共6页
高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延...
高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律。研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比。而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要影响因素。研究表明荫罩式等离子体显示屏即使在50%氙比例时,仍可实现1.6μs的寻址。
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关键词
荫罩式等离子体显示板
高氙浓度
寻址
形成
性
延迟
寻址统计性延迟
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职称材料
荫罩式等离子体显示板重置期放电
2
作者
杨兰兰
屠彦
+3 位作者
张雄
奚培琳
夏兴隆
王保平
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1124-1129,共6页
采用7英寸(17.8cm)小屏实验平台研究荫罩式PDP重置期的放电及其对寻址放电的影响,分析了重置期的斜率和电压变化对寻址的形成性延迟和统计性延迟的影响.研究结果表明,重置期的放电为多个弱放电脉冲组成,弱放电脉冲的个数和强度与重置期...
采用7英寸(17.8cm)小屏实验平台研究荫罩式PDP重置期的放电及其对寻址放电的影响,分析了重置期的斜率和电压变化对寻址的形成性延迟和统计性延迟的影响.研究结果表明,重置期的放电为多个弱放电脉冲组成,弱放电脉冲的个数和强度与重置期的电压和斜率相关.负向斜坡阶段的电压和斜率会直接影响寻址期的放电,而正向斜坡阶段的电压和斜率对寻址放电的影响较小,主要通过壁电压影响负向阶段的放电情况而间接影响寻址期放电.重置期波形的参数设置和实验屏的着火电压以及电压动态范围密切相关,这也就意味着和实验屏的工艺参数、气体成分等密切相关,对于不同参数的屏,需根据具体情况调试重置期波形.
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关键词
荫罩式等离子体显示板
重置期
寻址
形成
性
延迟
寻址统计性延迟
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职称材料
题名
荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究
被引量：
3
1
作者
杨兰兰
屠彦
李青
朱振华
王保平
机构
东南大学电子科学与工程学院显示中心
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期122-127,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60871015
No.60571033)
高等学校创新引智计划(111)资助
文摘
高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律。研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比。而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要影响因素。研究表明荫罩式等离子体显示屏即使在50%氙比例时,仍可实现1.6μs的寻址。
关键词
荫罩式等离子体显示板
高氙浓度
寻址
形成
性
延迟
寻址统计性延迟
Keywords
Shadow mask plasma display panel, High xenon content, The formative delay, The statistical delay
分类号
TN136 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
荫罩式等离子体显示板重置期放电
2
作者
杨兰兰
屠彦
张雄
奚培琳
夏兴隆
王保平
机构
东南大学电子科学与工程学院
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1124-1129,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60871015)
文摘
采用7英寸(17.8cm)小屏实验平台研究荫罩式PDP重置期的放电及其对寻址放电的影响,分析了重置期的斜率和电压变化对寻址的形成性延迟和统计性延迟的影响.研究结果表明,重置期的放电为多个弱放电脉冲组成,弱放电脉冲的个数和强度与重置期的电压和斜率相关.负向斜坡阶段的电压和斜率会直接影响寻址期的放电,而正向斜坡阶段的电压和斜率对寻址放电的影响较小,主要通过壁电压影响负向阶段的放电情况而间接影响寻址期放电.重置期波形的参数设置和实验屏的着火电压以及电压动态范围密切相关,这也就意味着和实验屏的工艺参数、气体成分等密切相关,对于不同参数的屏,需根据具体情况调试重置期波形.
关键词
荫罩式等离子体显示板
重置期
寻址
形成
性
延迟
寻址统计性延迟
Keywords
shadow mask plasma display panel ramp-reset period formative delay statistical delay
分类号
TN136 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究
杨兰兰
屠彦
李青
朱振华
王保平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
荫罩式等离子体显示板重置期放电
杨兰兰
屠彦
张雄
奚培琳
夏兴隆
王保平
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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