期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
电晕探测中的紫外对焦控制系统 被引量:2
1
作者 袁红艳 闫丰 +1 位作者 陈俊江 张涛 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期93-97,共5页
本文简要介绍了电晕探测的原理,采用可见光与紫外双光谱探测方法来检测电晕信号的存在并对其进行定位。文中介绍了电晕探测系统紫外对焦控制模块,并阐述了对焦的双闭环控制过程及其软硬件实现方法。分析了对焦控制过程中误差产生的原因... 本文简要介绍了电晕探测的原理,采用可见光与紫外双光谱探测方法来检测电晕信号的存在并对其进行定位。文中介绍了电晕探测系统紫外对焦控制模块,并阐述了对焦的双闭环控制过程及其软硬件实现方法。分析了对焦控制过程中误差产生的原因,主要包括传动机构的空回及系统的过冲量。通过实验测量得到传动机构的空回和过冲量,将其加入紫外对焦过程的总对焦量。采用上述方法可以减小紫外对焦系统的对焦误差,使紫外相机像面始终处于焦深之内。最后,利用电晕探测系统对高压电厂中的电晕信号进行检测并定位。 展开更多
关键词 电晕探测 紫外对焦控制 误差分析 信号分析
在线阅读 下载PDF
电子束硅片图形检测系统中的纳米级对焦控制技术 被引量:3
2
作者 郭杰 李世光 +1 位作者 赵焱 宗明成 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期242-255,共14页
带电粒子束成像检测技术是一种可以提供纳米级测量精度的技术,广泛应用于半导体检测中。在进行硅片检测时,要求待测硅片在扫描检测过程中一直处于电子束的焦深范围(DoF)内。本文提出一种毫米级控制范围、纳米级控制精度、高度测量时间... 带电粒子束成像检测技术是一种可以提供纳米级测量精度的技术,广泛应用于半导体检测中。在进行硅片检测时,要求待测硅片在扫描检测过程中一直处于电子束的焦深范围(DoF)内。本文提出一种毫米级控制范围、纳米级控制精度、高度测量时间在亚毫秒量级的粗精结合的闭环硅片高度控制技术。它的核心子系统是一套光学硅片高度测量系统,在进行粗控制时,数字相机的成像面作为一个光栅图像接收面,硅片的高度信息通过测量光栅线条在成像面上的位移获得。在接近目标高度时,数字相机的成像面作为一个虚拟的数字光栅使用。它与光学光栅图像存在一定周期差,两者构成类似机械游标卡尺的结构,本文称为光学游标卡尺,实验表明该技术可以在成像面上细分像素尺寸10×以上。当用其测量硅片高度时,粗测范围达毫米量级,粗测时间小于0. 38 ms,精测分辨率小于80 nm,精测时间小于0. 09 ms。利用该硅片高度测量系统进行硅片高度的初步闭环反馈控制,控制精度达到15 nm,在电子束硅片图形检测系统中具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 对焦控制 高度测量 高度控制 带电粒子束检测 电子束检测 光学游标卡尺 焦深
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部