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氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响
被引量：
4
1
作者
乌仁图雅
周炳卿
+2 位作者
张林睿
高爱明
张娜
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期3449-3454,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H...
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H2流量,可以提高反应过程中H离子与Si、N悬挂键的键合几率,从而起到钝化薄膜悬键的作用。当H_2流量从10 sccm变化到20 sccm时,H主要起到钝化薄膜悬挂键作用,因而缺陷态减少,缺陷态发光减弱,薄膜的光学带隙缓慢展宽。继续增加H_2流量,薄膜中的氮原子持续增加,伴随着缺陷态再次增多,辐射加强,并导致光学带隙迅速展宽。当H_2流量达到30 sccm时,薄膜中的氮化硅晶粒增大,数目增多,缺陷态发光消失,出现了氮化硅中由非晶硅量子点团簇引起的发光现象,说明薄膜中出现了非晶硅量子点团簇。因此,适量的增加氢流量能够对薄膜起到钝化的作用,并实现从富硅-氮化硅向Si_3N_4相转变的过程中形成氮化硅基质包埋的非晶硅量子点团簇结构。
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关键词
等离子增强化学气相沉积
富硅-氮化硅薄膜
非晶
硅
量子点
光致发光
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职称材料
射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响
被引量：
2
2
作者
乌仁图雅
周炳卿
+2 位作者
高爱明
部芯芯
丁德松
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期2322-2325,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征。实验表明,随着射频功率的逐渐增...
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征。实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多。分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差。
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关键词
富硅-氮化硅薄膜
等离子增强化学气相沉积
射频功率
沉积速率
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职称材料
题名
氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响
被引量：
4
1
作者
乌仁图雅
周炳卿
张林睿
高爱明
张娜
机构
内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期3449-3454,共6页
基金
国家自然科学基金(51262022)
内蒙古师范大学"十百千"人才工程资助项目(RCPY-2-2012-K-041)
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H2流量,可以提高反应过程中H离子与Si、N悬挂键的键合几率,从而起到钝化薄膜悬键的作用。当H_2流量从10 sccm变化到20 sccm时,H主要起到钝化薄膜悬挂键作用,因而缺陷态减少,缺陷态发光减弱,薄膜的光学带隙缓慢展宽。继续增加H_2流量,薄膜中的氮原子持续增加,伴随着缺陷态再次增多,辐射加强,并导致光学带隙迅速展宽。当H_2流量达到30 sccm时,薄膜中的氮化硅晶粒增大,数目增多,缺陷态发光消失,出现了氮化硅中由非晶硅量子点团簇引起的发光现象,说明薄膜中出现了非晶硅量子点团簇。因此,适量的增加氢流量能够对薄膜起到钝化的作用,并实现从富硅-氮化硅向Si_3N_4相转变的过程中形成氮化硅基质包埋的非晶硅量子点团簇结构。
关键词
等离子增强化学气相沉积
富硅-氮化硅薄膜
非晶
硅
量子点
光致发光
Keywords
plasma enhanced chemical vapor deposition method
silicon
-
rich nitride thin film
amorphous silicon quantum dot
photoluminescence
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响
被引量：
2
2
作者
乌仁图雅
周炳卿
高爱明
部芯芯
丁德松
机构
内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期2322-2325,共4页
基金
国家自然科学基金(51262022)
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征。实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多。分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差。
关键词
富硅-氮化硅薄膜
等离子增强化学气相沉积
射频功率
沉积速率
Keywords
silicon
-
rich silicon nitride thin film
plasma enhanced chemical vapor deposition
radio
-
frequency power
deposition rate
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响
乌仁图雅
周炳卿
张林睿
高爱明
张娜
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
在线阅读
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职称材料
2
射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响
乌仁图雅
周炳卿
高爱明
部芯芯
丁德松
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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