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富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究
被引量：
1
1
作者
肖淑娟
《上海海运学院学报》
北大核心
2003年第1期60-62,共3页
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 ...
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。
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关键词
富硅二氧化硅薄膜
蓝光发射
非桥键氧空穴中心
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职称材料
题名
富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究
被引量：
1
1
作者
肖淑娟
机构
上海海运学院工学院
出处
《上海海运学院学报》
北大核心
2003年第1期60-62,共3页
文摘
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。
关键词
富硅二氧化硅薄膜
蓝光发射
非桥键氧空穴中心
Keywords
Si rich SiO 2 films
blue luminescence
nonbridging oxygen hole center
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
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作者
出处
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1
富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究
肖淑娟
《上海海运学院学报》
北大核心
2003
1
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