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题名含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光
被引量：1
- 1
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作者
孙甲明
钟国柱
范希武
李长华
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机构
中国科学院长春物理研究所
中国科学院激发态物理开放研究实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期227-229,共3页
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基金
国家高技术新材料委员会资助
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文摘
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光．通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关．
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关键词
硅量子点
富硅二氧化硅
电致发光
纳米硅
薄膜
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Keywords
Si quantum dots, Si rich silicon dioxide, electroluminescence
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分类号
O482.31
[理学—固体物理]
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题名富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究
被引量：1
- 2
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作者
肖淑娟
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机构
上海海运学院工学院
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出处
《上海海运学院学报》
北大核心
2003年第1期60-62,共3页
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文摘
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。
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关键词
富硅二氧化硅薄膜
蓝光发射
非桥键氧空穴中心
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Keywords
Si rich SiO 2 films
blue luminescence
nonbridging oxygen hole center
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
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题名掺铒硅基材料发光的研究进展
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作者
丁瑞钦
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机构
五邑大学薄膜与纳米材料研究所
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第2期15-17,20,共4页
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文摘
对近几年来几种掺饵硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法。
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关键词
硅基材料
铒
能量转移
掺杂
光致发光
电致发光
氢化非晶硅
富硅二氧化硅
晶体硅
多晶硅
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Keywords
luminescence of Si-based materials,erbium,exciton,energy transfer
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
O482.31
[理学—固体物理]
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