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施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量:6
1
作者 张立 谢洪鲸 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期437-440,共4页
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同... 利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。 展开更多
关键词 二阶非线性光学极化率 半抛物量子阱 电场强度 光整流系数 紧致密度矩阵方法 数值计算 量子光学
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Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变 被引量:4
2
作者 于凤梅 郭康贤 王克强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期569-574,共6页
利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势... 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。 展开更多
关键词 非线性光学 光折射率改变 MORSE势阱 密度矩阵方法
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非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究 被引量:5
3
作者 王光辉 郭康贤 郭旗 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期429-433,共5页
主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表... 主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响,从而为实验研究提供理论依据。 展开更多
关键词 非线性光学 非线性光吸收系数 非对称量子阱 密度矩阵方法
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非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量:9
4
作者 王光辉 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1314-1317,共4页
本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较... 本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 。 展开更多
关键词 二次谐波极化率 非对称量子阱 密度矩阵方法 量子光学 二阶非线性光学极化率
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加偏置电场的双曲线量子阱中的光整流效应(英文) 被引量:2
5
作者 谭鹏 郭康贤 路洪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期812-815,共4页
用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以... 用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以及外加偏置电场,在该势阱中可获得一个大的光整流系数. 展开更多
关键词 非线性光学 双曲线量子阱 密度矩阵方法 光整流效应
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双曲型量子阱中非线性光学吸收率的计算 被引量:2
6
作者 谭鹏 路洪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期80-84,共5页
量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起了人们的广泛的关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器等光电子器件具有重要的理论指导意义.用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了双曲型量子阱中的线性与三阶非... 量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起了人们的广泛的关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器等光电子器件具有重要的理论指导意义.用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了双曲型量子阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式.因双曲型量子阱中有一个可调参数。随着参数的增加,阱宽将相应增加,因此势阱的形状以及阱内的非线性光学吸收率将随参数变化而发生规律性的变化,并且当入射光强增强到一定程度会出现较强的饱和吸收现象,通过对这些规律的研究从而为实验研究提供了必要的理论依据。 展开更多
关键词 非线性光学 双曲型量子阱 吸收系数 密度矩阵方法
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电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响 被引量:2
7
作者 张立 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期378-380,385,共4页
利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、... 利用量子力学中密度矩阵及谐振子变换与数值求解相结合的方法,理论考察了带偏置电场的非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变特性.以GaAs材料参数计算了总折射率改变对入射光的强度、半抛物量子阱受限势频率、外加直流电场强度的依赖关系.结果发现,总折射率改变敏感地依赖于这些因素. 展开更多
关键词 非线性光学 半抛物量子阱 密度矩阵方法 电场 折射率改变
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非对称量子阱中非线性光学吸收系数的计算
8
作者 谭鹏 郭康贤 路洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期303-307,共5页
非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因... 非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以P schl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因素。考虑到带间的电子弛豫,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式。因该势阱中有两个可调参数,通过调节系统的参数,发现该系统的非线性光学吸收系数呈规律性的变化。以典型的GaAs/A lGaAs非对称量子阱为例作了数值计算,通过调节系统的参数,数值计算结果表明,入射光强以及系统的非对称性对量子阱的非线性光学吸收系数有较大的影响,从而为实验上研究非对称量子阱的非线性光学效应提供了必要的理论依据。 展开更多
关键词 非对称量子阱 非线性光学吸收 密度矩阵方法
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分子动力学优化控制的线性理论
9
作者 赵仪 韩克利 +1 位作者 何国钟 Y.J.Yan 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期161-162,共2页
从密度矩阵方法出发,得出了分子动力学优化控制的线性公式,并进一步简化得到数值上容易实现的简单公式。
关键词 分子动力学 优化控制 线性控制理论 密度矩阵方法 波函数 控制过程 分子系统 大连化学物理研究所 数值方法 优化控制理论
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有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收(英文)
10
作者 张立 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期538-544,共7页
采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式... 采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着Lw,Lb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与最近的实验观察完全一致. 展开更多
关键词 密度矩阵方法 吸收系数 内电场
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氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
11
作者 张立 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期251-255,共5页
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸... 理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率. 展开更多
关键词 密度矩阵方法 氮化物耦合量子阱 内建电场 二次谐振波产生
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正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的计算 被引量:1
12
作者 周丽萍 于凤梅 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期690-695,共6页
研究了正切平方势阱中的子带光吸收,用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法推导出了正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs正切平方量子阱为例进行数值计算。计算结果表明,该势阱中的势阱宽... 研究了正切平方势阱中的子带光吸收,用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法推导出了正切平方势阱中线性和三阶非线性光学吸收系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs正切平方量子阱为例进行数值计算。计算结果表明,该势阱中的势阱宽度b、势阱深度V_0和入射光强I对吸收系数有很大影响。随着势阱宽度b的增加和势阱深度V_0的减小,总吸收系数的峰值减小并且向低能方向移动。随着入射光强I的增加,总吸收系数会减小,出现了光饱和吸收现象,同时吸收谱线的线宽随着入射光强的增大而增大。 展开更多
关键词 非线性光学 光吸收系数 密度矩阵方法 正切平方势阱
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位相共轭、自聚焦等相关效应
13
《中国光学》 EI CAS 2001年第1期44-45,共2页
O437 2001010295电磁感应双光子光透明及共振吸收增强= Electromagnetically induced two-photontransparency and absorption enhancement[刊,中]/杨苏辉,国秀珍,王冬,高锦岳(吉林大学物理系.吉林,长春(130023))∥光学学报.-2000,20(3)... O437 2001010295电磁感应双光子光透明及共振吸收增强= Electromagnetically induced two-photontransparency and absorption enhancement[刊,中]/杨苏辉,国秀珍,王冬,高锦岳(吉林大学物理系.吉林,长春(130023))∥光学学报.-2000,20(3),-309-314研究了相干场控制下的电磁感应双光子光透明。讨论了外加相干场对双光子吸收特性的影响,分析了电磁感应双光子光透明及共振吸收增强的物理机制。应用密度矩阵方法推导出相干场作用下双光子吸收上能级粒子数的二阶近似表达式。 展开更多
关键词 电磁感应 双光子吸收 自聚焦 共振吸收 梯度折射率 相干场 密度矩阵方法 玻色爱因斯坦凝聚体 物理系 学报
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