检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

锗基金属卤化物钙钛矿电光效应的第一性原理研究: 1; 作者石学梅杨光赛叶宁《人工晶体学报》北大核心 2025年第10期1764-1771,共8页; 随着光学调制器需求的增长和发展,电光晶体的研究与探索日益重要。然而,目前实际可用的电光晶体种类有限,因此探索新型电光晶体成为一项紧迫任务。本文采用第一性原理计算软件ABINIT,结合密度泛函微扰理论和2n+1定理,系统研究了ABO_(3)... 展开更多; 关键词密度泛函微扰理论钙钛矿结构电光系数拉曼模式红外模式第一性原理锗基金属卤化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

MnHg(SCN)_4晶体的能带结构和非线性光学性质的研究: 2; 作者张鹏卢贵武 +4 位作者孔垂岗郑超宋庆翔冯金波王新强《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1715-1719,共5页; 用密度泛函微扰理论(DFPT)和GW近似方法计算了MnHg(SCN)4(MMTC)晶体的几何结构、能带结构和二阶非线性光学系数。计算得到MMTC晶体的禁带宽度为3.21 eV,结果接近实验值3.33 eV,其二阶非线性系数为d14=3.09 pm/V、d15=6.02 pm/V。结果表... 展开更多; 关键词 MMTC晶体非线性光学性质禁带宽度 GW近似密度泛函微扰理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究: 3; 作者邓发明高涛《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期240-246,共7页; 为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—... 展开更多; 关键词激光技术电子特性密度泛函微扰理论 4H—SiC 激光照射; 在线阅读下载PDF 职称材料

强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响: 4; 作者邓发明高涛《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期681-687,共7页; 运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移... 展开更多; 关键词 3C-SIC 电子特性激光照射密度泛函微扰理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

MgB_2薄膜的超导电性被引量：1: 5; 作者朱静波黄桂芹《南京师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期58-61,共4页; 采用平面波赝势方法计算了MgB2超导薄膜的电子结构.结果发现,表面层B(S)在费米能级处的态密度显著增强.在线性响应的密度泛函微扰理论框架下计算了MgB2薄膜的动力学性质及电—声子相互作用,分析了MgB2超导薄膜在Γ点的振动模的频率.结... 展开更多; 关键词 MgB2薄膜电-声子相互作用密度泛函微扰理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗基金属卤化物钙钛矿电光效应的第一性原理研究: 1; 作者石学梅杨光赛叶宁; 机构天津理工大学功能晶体研究院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第10期1764-1771,共8页; 基金国家自然科学基金重点项目(7020160201)。; 文摘随着光学调制器需求的增长和发展,电光晶体的研究与探索日益重要。然而,目前实际可用的电光晶体种类有限,因此探索新型电光晶体成为一项紧迫任务。本文采用第一性原理计算软件ABINIT,结合密度泛函微扰理论和2n+1定理,系统研究了ABO_(3)型钙钛矿结构的绿色能源材料代表CsGeX_(3)(X=Cl、Br、I)晶体,通过分析电子和离子贡献对电光系数的影响,发现离子位移是影响电光系数的主要因素,其中Ge原子与卤素原子间的伸缩振动起主导作用,该振动增强了畸变八面体的极化率,从而提升了材料的电光性能。计算结果表明,空间群为R3m的CsGeI_(3)晶体电光系数可达-30.51 pm/V,与典型电光晶体铌酸锂相当,展现出作为潜在电光晶体的应用前景。; 关键词密度泛函微扰理论钙钛矿结构电光系数拉曼模式红外模式第一性原理锗基金属卤化物; Keywords density functional perturbation theory perovskite structure electro-optic coefficient Raman mode Infrared mode first-principle germanium-based vetal halide; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程] O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MnHg(SCN)_4晶体的能带结构和非线性光学性质的研究: 2; 作者张鹏卢贵武孔垂岗郑超宋庆翔冯金波王新强; 机构中国石油大学(北京)理学院山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1715-1719,共5页; 基金国家自然科学基金(51372140) 中国石油大学(北京)基础学科研究基金(01JB0169); 文摘用密度泛函微扰理论(DFPT)和GW近似方法计算了MnHg(SCN)4(MMTC)晶体的几何结构、能带结构和二阶非线性光学系数。计算得到MMTC晶体的禁带宽度为3.21 eV,结果接近实验值3.33 eV,其二阶非线性系数为d14=3.09 pm/V、d15=6.02 pm/V。结果表明Mn-3d、Hg-5d态是价带的主要成分,C-2p、N-2p和S-3p态是价带顶和导带底的主要成分,而阴离子基团(SCN)-内部的电子跃迁是MnHg(SCN)4晶体中二阶非线性效应的主要来源。; 关键词 MMTC晶体非线性光学性质禁带宽度 GW近似密度泛函微扰理论; Keywords MMTC crystal nonlinear optical property band gap GW approximation DFPT; 分类号 O734 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究: 3; 作者邓发明高涛; 机构四川民族学院数学系四川大学原子与分子物理研究所; 出处《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期240-246,共7页; 基金国家科技支撑计划资助项目(2014GB111001 2014GB125000) 四川省教育厅自然科学基金重点资助项目(16ZA0363); 文摘为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV^2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV^3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H—SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。; 关键词激光技术电子特性密度泛函微扰理论 4H—SiC 激光照射; Keywords laser technique electronic property density functional perturbation theory 4H—SiC laser irradiation; 分类号 O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响: 4; 作者邓发明高涛; 机构四川民族学院数学系四川大学原子与分子物理研究所; 出处《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期681-687,共7页; 基金国家科技支撑计划项目(2014GB111001 2014GB125000)资助四川省教育厅自然科学项目(16ZA0363)资助; 文摘运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当T_e>1.5e V以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当T_e在0e V^5e V范围内时,带隙随电子温度升高也增大。T_e超过5.1e V后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强。在T_e=0e V和T_e=8e V处,计算了3C-SiC晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明T_e=0e V时,3C-SiC是一个带有带隙为1.31e V的间接带隙半导体;在T_e=8e V时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态。; 关键词 3C-SIC 电子特性激光照射密度泛函微扰理论; Keywords 3c-SiC electronic properties laser irradiation density functional perturbation theory; 分类号 O613.72 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MgB_2薄膜的超导电性被引量：1: 5; 作者朱静波黄桂芹; 机构南京师范大学物理科学与技术学院; 出处《南京师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期58-61,共4页; 基金国家自然科学基金科学部主任基金(10447115)资助项目.; 文摘采用平面波赝势方法计算了MgB2超导薄膜的电子结构.结果发现,表面层B(S)在费米能级处的态密度显著增强.在线性响应的密度泛函微扰理论框架下计算了MgB2薄膜的动力学性质及电—声子相互作用,分析了MgB2超导薄膜在Γ点的振动模的频率.结果发现,MgB2薄膜中的声子存在软化现象,并且声子的软化提高了电-声子相互作用,从而增强了薄膜的超导电性.; 关键词 MgB2薄膜电-声子相互作用密度泛函微扰理论; Keywords MgB2 film, electron-phonon interaction, density-functional perturbation theory; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	锗基金属卤化物钙钛矿电光效应的第一性原理研究	石学梅杨光赛叶宁	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	MnHg(SCN)_4晶体的能带结构和非线性光学性质的研究	张鹏卢贵武孔垂岗郑超宋庆翔冯金波王新强	《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究	邓发明高涛	《激光技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响	邓发明高涛	《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	MgB_2薄膜的超导电性	朱静波黄桂芹	《南京师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料