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基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器
1
作者
南超州
虞小鹏
《机电工程》
CAS
2012年第6期714-717,共4页
针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求,提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器(LNA)。设计采用了新加坡特许半导体(CHRT)提供的0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺库,并对设计结果进行了流片测试验证。重点分析了基于...
针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求,提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器(LNA)。设计采用了新加坡特许半导体(CHRT)提供的0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺库,并对设计结果进行了流片测试验证。重点分析了基于源端电感退化的低噪声放大器的关键参数与性能折中,包括输入噪声匹配、密勒效应(miller effect)对噪声性能造成的影响,以及解决方案等在射频低噪声放大器设计中至关重要的因素。研究结果表明,噪声系数(NF)、线性度以及增益等关键指标皆可满足5GHz无线通信的需求;其中噪声系数(NF)在超低功耗条件下(Pcom<4 mW),可以达到3 dB以下。
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关键词
无线局域网
互补型金属氧化物半导体
低噪声放大器
密勒效应消除
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职称材料
题名
基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器
1
作者
南超州
虞小鹏
机构
浙江大学超大规模集成电路研究所
出处
《机电工程》
CAS
2012年第6期714-717,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61106034)
文摘
针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求,提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器(LNA)。设计采用了新加坡特许半导体(CHRT)提供的0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺库,并对设计结果进行了流片测试验证。重点分析了基于源端电感退化的低噪声放大器的关键参数与性能折中,包括输入噪声匹配、密勒效应(miller effect)对噪声性能造成的影响,以及解决方案等在射频低噪声放大器设计中至关重要的因素。研究结果表明,噪声系数(NF)、线性度以及增益等关键指标皆可满足5GHz无线通信的需求;其中噪声系数(NF)在超低功耗条件下(Pcom<4 mW),可以达到3 dB以下。
关键词
无线局域网
互补型金属氧化物半导体
低噪声放大器
密勒效应消除
Keywords
wireless LAN
complementary metal-oxide-semiconductor（CMOS）
low noise amplifier（LNA）
miller effect cancellation
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TM [电气工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器
南超州
虞小鹏
《机电工程》
CAS
2012
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