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加权主元分析在统计互连寄生参数提取中的应用
1
作者
胡超
喻文健
Sheldon X D Tan
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2010年第11期1990-1997,共8页
针对随机工艺变动引起的统计寄生参数提取问题,采用Hermite多项式配置法提出加权主元分析技术来对随机变量进行消减,以减少独立变量数目,提高计算效率.在此基础上,利用并行计算技术,进一步减少统计寄生参数提取的运行时间.数值实验结果...
针对随机工艺变动引起的统计寄生参数提取问题,采用Hermite多项式配置法提出加权主元分析技术来对随机变量进行消减,以减少独立变量数目,提高计算效率.在此基础上,利用并行计算技术,进一步减少统计寄生参数提取的运行时间.数值实验结果表明,相对于普通的主元分析,采用文中的加权主元分析能在同等精度情况下使寄生参数提取速度提高几倍至几十倍,而在含8个CPU计算机上的并行计算也取得了6.7倍的加速比.
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关键词
考虑工艺变动的
寄生参数提取
Hermite多项式配置
加权主元分析
并行计算
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职称材料
SiC MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合
被引量：
3
2
作者
曾伊浓
易映萍
董晓帅
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期138-149,共12页
为了对碳化硅(SiC) MOSFET功率器件的特性参数进行全面的研究,提出了一种碳化硅(SiC) MOSFET变温度参数模型,该模型考虑了功率器件中封装引脚寄生电感、内部寄生电容、体二极管等特性参数,并根据器件的开关过程中的不同阶段,将功率器件...
为了对碳化硅(SiC) MOSFET功率器件的特性参数进行全面的研究,提出了一种碳化硅(SiC) MOSFET变温度参数模型,该模型考虑了功率器件中封装引脚寄生电感、内部寄生电容、体二极管等特性参数,并根据器件的开关过程中的不同阶段,将功率器件中的导电沟道等效为不同电路模型。为获取该模型中的涉及的特性参数,搭建了基于Agilent B1505A功率半导体分析仪和矢量网络分析仪(VNA)的测试平台对SiC MOSFET功率器件的静态特性参数进行了全面测量,然后使用基于贝叶斯正则化LM算法的改进BP人工神经网络对所测的数据进行非线性拟合。结果表明,相较于传统拟合方法,该方法具有更高的精确度与泛化能力,为SiC MOSFET功率器件建模与参数分析提供了重要依据。
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关键词
碳化硅
MOSFET
寄生参数提取
温度特性
贝叶斯正则化
人工神经网络
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职称材料
电磁干扰滤波器中共模扼流圈的高频模型
被引量：
1
3
作者
兰宇杰
曾晓辉
+1 位作者
陈为
陈庆彬
《电工技术学报》
北大核心
2025年第6期1805-1815,共11页
在电磁干扰(EMI)滤波器的设计和功率变换器的EMI噪声预测中,共模扼流圈的精确建模至关重要。然而,在高频下受共模扼流圈寄生参数的影响,现有模型难以准确表征其滤波特性。该文分析现有模型的缺点在于无法完整反映共模扼流圈的内部电场特...
在电磁干扰(EMI)滤波器的设计和功率变换器的EMI噪声预测中,共模扼流圈的精确建模至关重要。然而,在高频下受共模扼流圈寄生参数的影响,现有模型难以准确表征其滤波特性。该文分析现有模型的缺点在于无法完整反映共模扼流圈的内部电场特性,因此根据共模扼流圈差模分量在高频下的插入损耗谐振点特性提出一种新的高频模型,该模型通过综合考虑端部和绕组中间寄生电容的影响从而完整表征差模分量的电场特性,并解析新模型电路结构给出模型中寄生参数的提取流程。实验结果表明,新模型在150 kHz~30 MHz下具有良好的拟合精度,证明了该模型的准确性。
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关键词
电磁干扰
滤波器
共模电感
寄生参数提取
建模
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职称材料
题名
加权主元分析在统计互连寄生参数提取中的应用
1
作者
胡超
喻文健
Sheldon X D Tan
机构
清华大学计算机科学与技术系
清华信息科学与技术国家实验室(筹)
Department of Electrical Engineering
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2010年第11期1990-1997,共8页
基金
中国科学院计算机系统结构重点实验室开放课题(ICT-ARCH2009)
清华信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金(200903)
文摘
针对随机工艺变动引起的统计寄生参数提取问题,采用Hermite多项式配置法提出加权主元分析技术来对随机变量进行消减,以减少独立变量数目,提高计算效率.在此基础上,利用并行计算技术,进一步减少统计寄生参数提取的运行时间.数值实验结果表明,相对于普通的主元分析,采用文中的加权主元分析能在同等精度情况下使寄生参数提取速度提高几倍至几十倍,而在含8个CPU计算机上的并行计算也取得了6.7倍的加速比.
关键词
考虑工艺变动的
寄生参数提取
Hermite多项式配置
加权主元分析
并行计算
Keywords
variation-aware parasitic extraction
Hermite polynomial collocation method
weighted principal factor analysis
parallel computation
分类号
TN391.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiC MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合
被引量：
3
2
作者
曾伊浓
易映萍
董晓帅
机构
上海理工大学机械工程学院
国家电网许继集团有限公司
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期138-149,共12页
基金
国家重点研发计划(2018YFB0106300)。
文摘
为了对碳化硅(SiC) MOSFET功率器件的特性参数进行全面的研究,提出了一种碳化硅(SiC) MOSFET变温度参数模型,该模型考虑了功率器件中封装引脚寄生电感、内部寄生电容、体二极管等特性参数,并根据器件的开关过程中的不同阶段,将功率器件中的导电沟道等效为不同电路模型。为获取该模型中的涉及的特性参数,搭建了基于Agilent B1505A功率半导体分析仪和矢量网络分析仪(VNA)的测试平台对SiC MOSFET功率器件的静态特性参数进行了全面测量,然后使用基于贝叶斯正则化LM算法的改进BP人工神经网络对所测的数据进行非线性拟合。结果表明,相较于传统拟合方法,该方法具有更高的精确度与泛化能力,为SiC MOSFET功率器件建模与参数分析提供了重要依据。
关键词
碳化硅
MOSFET
寄生参数提取
温度特性
贝叶斯正则化
人工神经网络
Keywords
silicon carbide
MOSFET
parasitic parameters extraction
temperature characteristics
Bayesian regularization
artificial neural network
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电磁干扰滤波器中共模扼流圈的高频模型
被引量：
1
3
作者
兰宇杰
曾晓辉
陈为
陈庆彬
机构
福州大学电气工程与自动化学院
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第6期1805-1815,共11页
基金
国家自然科学基金(51777036)
《台达电力电子科教发展计划》资助项目。
文摘
在电磁干扰(EMI)滤波器的设计和功率变换器的EMI噪声预测中,共模扼流圈的精确建模至关重要。然而,在高频下受共模扼流圈寄生参数的影响,现有模型难以准确表征其滤波特性。该文分析现有模型的缺点在于无法完整反映共模扼流圈的内部电场特性,因此根据共模扼流圈差模分量在高频下的插入损耗谐振点特性提出一种新的高频模型,该模型通过综合考虑端部和绕组中间寄生电容的影响从而完整表征差模分量的电场特性,并解析新模型电路结构给出模型中寄生参数的提取流程。实验结果表明,新模型在150 kHz~30 MHz下具有良好的拟合精度,证明了该模型的准确性。
关键词
电磁干扰
滤波器
共模电感
寄生参数提取
建模
Keywords
Electromagnetic interference
filter
common-mode chokes
extraction of parasitic parameters
modeling
分类号
TM614 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
加权主元分析在统计互连寄生参数提取中的应用
胡超
喻文健
Sheldon X D Tan
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiC MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合
曾伊浓
易映萍
董晓帅
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
电磁干扰滤波器中共模扼流圈的高频模型
兰宇杰
曾晓辉
陈为
陈庆彬
《电工技术学报》
北大核心
2025
1
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职称材料
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