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题名3300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制
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作者
刘国友
罗海辉
李诚瞻
宋瓘
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机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
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出处
《中国电力》
CSCD
北大核心
2021年第12期81-85,93,共6页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400503)。
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文摘
研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现,当二极管电流密度J_(SD)=100 A/cm^(2)时,嵌入式二极管电压降V_(SD)(SBD)=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET"双极退化"风险。另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm^(2)和3955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景。
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关键词
碳化硅
SBD
MOSFET
寄生二极管
双极退化
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Keywords
silicon carbide
SBD
MOSFET
parasitic diode
bipolar degradation
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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