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题名无结器件的单粒子辐射效应
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作者
唐琰
王颖
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机构
哈尔滨工程大学
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期308-311,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51371063)
黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD201413)
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文摘
介绍了一种新型沟道非均匀掺杂的双栅无结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用Sentaurus TCAD仿真软件对不同沟道掺杂浓度(NSC)的沟道非均匀掺杂双栅无结MOSFET和传统双栅无结MOSFET进行了电特性与单粒子辐射效应对比研究,并分析了不同源端沟道掺杂与源端沟道长度(LSC)下新型双栅无结MOSFET的单粒子辐射特性。仿真结果表明,新型双栅无结MOSFET的电学特性与传统双栅无结MOSFET相差不大,但在抗单粒子辐射方面具有优良的性能,在受到单粒子辐射时,可有效降低沟道内电子-空穴对的产生概率,漏极电流与收集电荷都低于传统无结器件,同时还可以降低寄生三极管效应对器件的影响。
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关键词
无结器件
双栅器件
沟道非均匀掺杂
单粒子辐射
寄生三极管效应
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Keywords
junctionless device
double-gate device
non-uniformly doped channel
single event effect
parasitic transistor effect
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名低功耗高效率升压型电荷泵电路设计
被引量：3
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作者
丁雨彤
夏晓娟
易磊
庄玉成
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机构
南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院
南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室
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出处
《南京邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2020年第3期59-65,共7页
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文摘
设计了一种基于PFM调制模式的低功耗高效率升压电荷泵。电路采用耗尽基准减小静态电流,通过PFM控制方式,减小开关管动态损耗。为进一步提高转换效率,采用动态衬底选择电路,抑制寄生三极管效应,同时提出一种新的非交叠时钟产生电路,避免造成电源到输出端或者到地的通路。芯片测试结果表明,电路静态消耗电流为35μA,电源转换效率达到90%。
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关键词
耗尽基准
寄生三极管效应
脉冲频率调制
非交叠时钟
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Keywords
depletion reference
parasitic triode effect
pulse frequency modulation(PFM)
non-overlapping clock
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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