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宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
被引量：
6
1
作者
徐军
谢家纯
+3 位作者
董小波
王克彦
李垚
易波
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期320-323,共4页
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏...
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .
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关键词
宽禁带sic肖特基势垒二极管
碳化硅
半导体器件
微电子平面工艺
正向整流特性
反向漏电流
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职称材料
低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
2
作者
宋昱杉
陈浩
+7 位作者
李松
杨明超
杨松泉
杨森
周磊簜
耿莉
郝跃
欧阳晓平
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第9期1574-1583,共10页
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MP...
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。
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关键词
低温超临界流体工艺
超
宽
禁
带
半导体
β-Ga_(2)O_(3)
肖特
基
势垒
二极管
界面态密度
电学性能
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职称材料
Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势
被引量：
8
3
作者
孙学耕
张智群
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期241-249,284,共10页
氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研...
氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状。详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果。归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标。最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议。
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关键词
GA2O3
超
宽
禁
带
半导体
功率器件
Ga2O3
肖特
基
势垒
二极管
(SBD)
Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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职称材料
题名
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
被引量：
6
1
作者
徐军
谢家纯
董小波
王克彦
李垚
易波
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期320-323,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (5D132 0 40 )
文摘
采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .
关键词
宽禁带sic肖特基势垒二极管
碳化硅
半导体器件
微电子平面工艺
正向整流特性
反向漏电流
Keywords
Wide Forbidden Band
sic
Schottky Barrier
Diode
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
2
作者
宋昱杉
陈浩
李松
杨明超
杨松泉
杨森
周磊簜
耿莉
郝跃
欧阳晓平
机构
西安交通大学微电子学院
西安电子科技大学微电子学院
西北核技术研究所
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第9期1574-1583,共10页
基金
国家重点实验室稳定支持基金(JBSY252800260)
宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室开放基金(2413S121)
国家自然科学基金(62204198)。
文摘
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。
关键词
低温超临界流体工艺
超
宽
禁
带
半导体
β-Ga_(2)O_(3)
肖特
基
势垒
二极管
界面态密度
电学性能
Keywords
low-temperature supercritical fluid process
ultrawide bandgap semiconductor
β-Ga_(2)O_(3)
Schottky barrier diode
interface state density
electrical performance
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
TN355 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势
被引量：
8
3
作者
孙学耕
张智群
机构
厦门海洋职业技术学院
福建信息职业技术学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期241-249,284,共10页
文摘
氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状。详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果。归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标。最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议。
关键词
GA2O3
超
宽
禁
带
半导体
功率器件
Ga2O3
肖特
基
势垒
二极管
(SBD)
Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
Keywords
Ga2O3
ultra-wide bandgap semiconductor
power device
Ga2O3 Schottky barrierdiode （SBD）
Ga2O3 metal oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET）
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
徐军
谢家纯
董小波
王克彦
李垚
易波
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
宋昱杉
陈浩
李松
杨明超
杨松泉
杨森
周磊簜
耿莉
郝跃
欧阳晓平
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势
孙学耕
张智群
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
8
在线阅读
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职称材料
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