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基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较 被引量:4
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作者 吴菲菲 张亚茹 +1 位作者 黄鲁成 苗红 《情报杂志》 CSSCI 北大核心 2015年第11期62-68,149,共8页
利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较,根据主要竞争国家的综合竞争地位分析,发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高,但高质量专利较少,研... 利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较,根据主要竞争国家的综合竞争地位分析,发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高,但高质量专利较少,研发机构竞争实力不足,属于技术相对落后者。最后利用SWOT分析对提高氧化锌宽禁带半导体技术的创新水平给出相应的建议。 展开更多
关键词 氧化锌 宽禁带半导体材料 专利分析 中外比较
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超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶 被引量:1
2
作者 王琦琨 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第7期1346-1346,共1页
氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也... 氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外,氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,是GHz级声表面波器件的优选压电材料。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 声表面波器件 衬底材料 氮化铝 击穿场强 传播速度 压电材料 机电耦合系数
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“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践
3
作者 齐红基 贾志泰 +4 位作者 张洪良 董鑫 程红娟 周弘 徐光伟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期I0004-I0005,I0002,I0003,共4页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低热导率、p型掺杂困难、大尺寸单晶制备困难等问题。近年来,国家“十四五”规划将超宽禁带半导体列为重点攻关方向,“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件”研究获国家重点研发计划支持,亟需学术界与产业界通过协同创新打通从材料到器件的全链条技术壁垒。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 氧化镓 P型掺杂 半导体 国家重点研发计划 创新实践 协同创新 技术壁垒
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第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用 被引量:10
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作者 雷通 王小平 +3 位作者 王丽军 张雷 吕承瑞 王隆洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-11,共5页
LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,... LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟。综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料SiC GAN ZnO金刚石发光二极管
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“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事
5
作者 谢少军 《电源学报》 CSCD 2015年第5期I0002-I0002,共1页
基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案... 基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而,高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题,同时,器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 功率电子器件 应用 征文 专辑 高功率密度 工作温度 功率技术
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第十二届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2018’中国半导体器件技术创新及产业发展论坛第一轮会议通知
6
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期431-431,共1页
一、征文范围与截稿日期 1.半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2.半导体分立器件的创新产品、创新技术;3.半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4.宽禁带半导体材料、器件及应用;5.电力电子... 一、征文范围与截稿日期 1.半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2.半导体分立器件的创新产品、创新技术;3.半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4.宽禁带半导体材料、器件及应用;5.电力电子器件及模块;6.半导体探测器、半导体激光器、固态照明、半导体光伏及相关技术;7.微电子机械系统(MEMS);8.汽车电子、医疗电子、生物电子和物联网等领域技术、产业的最新进展;9.半导体分立器件技术的知识产权保护。 展开更多
关键词 半导体分立器件 半导体器件 技术创新 产业 行业协会 宽禁带半导体材料 中国 电力电子器件
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广州南砂晶圆半导体技术有限公司
7
《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期628-628,共1页
碳化硅是宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽、临界击穿电场高、热导率高等优异的物理性质,是制造高功率、高温半导体器件的理想半导体材料,也是现阶段从单晶衬底、外延、器件和应用产业链条技术全面发展的第三代半导体材料。广州... 碳化硅是宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽、临界击穿电场高、热导率高等优异的物理性质,是制造高功率、高温半导体器件的理想半导体材料,也是现阶段从单晶衬底、外延、器件和应用产业链条技术全面发展的第三代半导体材料。广州南砂晶圆半导体技术有限公司(简称南砂晶圆)成立于2018年。 展开更多
关键词 半导体技术 宽禁带半导体材料 砂晶 产业链条 物理性质
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第十五届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2021年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知
8
《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期580-580,共1页
二、征文范围1、半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2、半导体分立器件的创新产品、创新技术;3、半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4、宽禁带半导体材料、器件及应用;5、电力电子器件及模... 二、征文范围1、半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2、半导体分立器件的创新产品、创新技术;3、半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4、宽禁带半导体材料、器件及应用;5、电力电子器件及模块;6、半导体探测器、半导体激光器、固态照明、半导体光伏及相关技术. 展开更多
关键词 产业发展论坛 半导体分立器件 产业发展思路 半导体器件 电力电子器件 宽禁带半导体材料 半导体激光器 固态照明
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“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事
9
《电源学报》 CSCD 2016年第1期131-131,共1页
基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。
关键词 宽禁带半导体材料 功率电子器件 征文 专辑 应用 高功率密度 工作温度 功率技术
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Optical Spectroscopy Methods for Determining Semiconductor Bandgaps
10
作者 ZHANG Yong 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1271-1282,共12页
Although there are numerous optical spectroscopy techniques and methods that have been used to extract the fundamental bandgap of a semiconductor,most of them belong to one of these three approaches:(1)the excitonic a... Although there are numerous optical spectroscopy techniques and methods that have been used to extract the fundamental bandgap of a semiconductor,most of them belong to one of these three approaches:(1)the excitonic absorption,(2)modulation spectroscopy,and(3)the most widely used Tauc-plot.The excitonic absorption is based on a many-particle theory,which is physically the most correct approach,but requires more stringent crystalline quality and appropriate sample preparation and experimental implementation.The Tauc-plot is based on a single-particle theo⁃ry that neglects the many-electron effects.Modulation spectroscopy analyzes the spectroscopy features in the derivative spectrum,typically,of the reflectance and transmission under an external perturbation.Empirically,the bandgap ener⁃gy derived from the three approaches follow the order of E_(ex)>E_(MS)>E_(TP),where three transition energies are from exci⁃tonic absorption,modulation spectroscopy,and Tauc-plot,respectively.In principle,defining E_(g) as the single-elec⁃tron bandgap,we expect E_(g)>E_(ex),thus,E_(g)>E_(TP).In the literature,E_(TP) is often interpreted as E_(g),which is conceptual⁃ly problematic.However,in many cases,because the excitonic peaks are not readily identifiable,the inconsistency be⁃tween E_(g) and E_(TP) becomes invisible.In this brief review,real world examples are used(1)to illustrate how excitonic absorption features depend sensitively on the sample and measurement conditions;(2)to demonstrate the differences between E_(ex),E_(MS),and E_(TP) when they can be extracted simultaneously for one sample;and(3)to show how the popular⁃ly adopted Tauc-plot could lead to misleading results.Finally,it is pointed out that if the excitonic absorption is not ob⁃servable,the modulation spectroscopy can often yield a more useful and reasonable bandgap than Tauc-plot. 展开更多
关键词 semiconductor material bandgap excitonic absorption modulation spectroscopy Tauc plot
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透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展 被引量:4
11
作者 王丽 方亮 +2 位作者 吴芳 谌夏 阮海波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期522-527,543,共7页
ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。其中,Ga掺杂是提高ZnO性能的一种有效手段。从制备方法、掺杂浓度、生长条件等方... ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。其中,Ga掺杂是提高ZnO性能的一种有效手段。从制备方法、掺杂浓度、生长条件等方面综述了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜光电性能的研究进展,归纳总结后发现:适当增加掺杂量、提高衬底温度等都有利于薄膜光学和电学性能的提高。目前,GZO薄膜电阻率最低可达10-3~10-4Ω.cm,透光率一般可达80%以上,光电性能可以满足透明导电膜的要求,但其性能的稳定性还不如广泛使用的ITO。因此,GZO薄膜要达到实际应用要求,尚需进一步优化工艺,提高其性能的稳定性。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 GZO薄膜 光学性质 电学性质 掺杂浓度
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ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维的制备及性能分析 被引量:1
12
作者 张晶晶 张海明 +3 位作者 杨金梅 王旭 王彩霞 秦飞飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期699-702,共4页
采用绿色化学方法、通过使用对环境友好无危害的橄榄油,结合静电纺丝技术,成功制备了ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维。通过扫描电镜和X射线衍射对复合纳米纤维结构进行表征,通过光致发光研究了复合纳米纤维的光学性质。扫描电镜结果表明ZnS∶M... 采用绿色化学方法、通过使用对环境友好无危害的橄榄油,结合静电纺丝技术,成功制备了ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维。通过扫描电镜和X射线衍射对复合纳米纤维结构进行表征,通过光致发光研究了复合纳米纤维的光学性质。扫描电镜结果表明ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维的直径约为300 nm,X射线衍射仪结果显示ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维具有ZnS立方闪锌矿结构。光致发光光谱表明ZnS∶Mn/PVA复合纳米纤维在590 nm处具有较强的尖锐发射峰,实现了Mn2+的特征发射。ZnS∶Mn/PVA复合纳米材料是一种非常好的发光材料,有望在光电领域得到应用。 展开更多
关键词 ZnS∶Mn 聚乙烯醇 静电纺丝 宽禁带半导体材料 纳米纤维
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机载有源相控阵火控雷达的新进展及发展趋势 被引量:26
13
作者 贲德 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2008年第1期1-4,共4页
回顾了有源相控阵火控雷达的发展历史,介绍了从1964年开始,国内历经30余年研制成功实用的机载有源相控阵火控雷达。机载相控阵技术的突破,引发了多种型号战斗机的火控雷达升级换代。讨论了有源相控阵体制雷达的卓越性能及未来将要采用... 回顾了有源相控阵火控雷达的发展历史,介绍了从1964年开始,国内历经30余年研制成功实用的机载有源相控阵火控雷达。机载相控阵技术的突破,引发了多种型号战斗机的火控雷达升级换代。讨论了有源相控阵体制雷达的卓越性能及未来将要采用的新技术、新材料、新器件,以满足对机载火控雷达更新更高的要求。 展开更多
关键词 有源相控阵 T/R组件 宽禁带半导体材料氮化镓、碳化硅和铝镓氮 微电子机械系统
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透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展
14
作者 方亮 彭丽萍 +2 位作者 杨小飞 周科 吴芳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期29-34,共6页
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展... 本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO∶In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 ZnO∶In薄膜 光学性质 电学性质
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3C-SiC薄膜中单个层错的TEM观察
15
作者 刘金强 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期85-86,共2页
关键词 SIC薄膜 TEM观察 宽禁带半导体材料 功率电子器件 层错 击穿场强 高热导率 漂移速率
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热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射性质研究 被引量:2
16
作者 余雯 刘曰利 潘春旭 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期40-41,共2页
关键词 纳米材料 ZNO 发射性质 热氧化法 微结构 宽禁带半导体材料 制备 激子结合能
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功率MOSFET的研究与进展 被引量:12
17
作者 褚华斌 钟小刚 +2 位作者 吴志伟 戴鼎足 苏祥有 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期363-367,413,共6页
器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一... 器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。 展开更多
关键词 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 器件设计工艺 智能功率电子 封装 宽禁带半导体材料 计算机辅助设计
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展
18
作者 黄桂娟 孔春阳 秦国平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第17期28-32,41,共6页
Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应... Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。 展开更多
关键词 Zn1-xMgxO薄膜 宽禁带半导体材料 P型掺杂
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郝跃院士获“2019年度陕西省最高科学技术奖” 被引量:1
19
作者 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期142-142,共1页
西电新闻网讯3月11日,省长刘国中主持召开省政府第六次常务会议,研究了2019年度省科学技术奖励工作。会议决定,授予杨绍卿、安芷生、郝跃三位院士2019年度陕西省最高科学技术奖,对"复杂疾病相关模式发现理论与方法研究"等260... 西电新闻网讯3月11日,省长刘国中主持召开省政府第六次常务会议,研究了2019年度省科学技术奖励工作。会议决定,授予杨绍卿、安芷生、郝跃三位院士2019年度陕西省最高科学技术奖,对"复杂疾病相关模式发现理论与方法研究"等260个项目进行奖励。多年来,郝跃院士奋斗在教学和科研第一线,长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养工作。自上世纪九十年代起,他开始研究第三代(宽禁带)半导体材料与器件,是我国第三代半导体电子学领域的开拓者和引领者。 展开更多
关键词 科学技术奖励 半导体电子学 半导体器件 宽禁带半导体材料 常务会议 新闻网 九十年代 集成电路
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物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底 被引量:1
20
《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3224-3224,共1页
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(Ga N)的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特... 碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(Ga N)的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。 展开更多
关键词 碳化硅单晶 衬底材料 大功率电子器件 宽禁带半导体材料 SIC单晶 物理 饱和漂移速度 肖特基二极管
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