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《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏发刊词
1
《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期I0001-I0001,共1页
宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难... 宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难以满足新型半导体器件的技术需求。 展开更多
关键词 电力电子系统 材料 电路 宽禁带半导体 器件
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
2
作者 郭宇锋 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第6期I0007-I0008,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
3
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第3期I0008-I0009,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴. 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体 功率半导体 战略机遇期 射频器件 快速充电 太赫兹 技术瓶颈
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
4
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第5期I0007-I0008,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
5
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第1期I0011-I0012,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 战略机遇期 太赫兹 射频器件
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
6
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第8期I0004-I0005,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
7
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第4期I0008-I0009,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 战略机遇期 太赫兹 射频器件
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
8
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第2期I0008-I0009,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 战略机遇期 太赫兹 射频器件
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
9
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第9期I0002-I0003,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。 展开更多
关键词 电路与系统 功率半导体 宽禁带半导体材料 战略机遇期 射频器件 快速充电 太赫兹 技术瓶颈
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
10
《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第7期I0003-I0004,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 原创性研究 专题栏目 太赫兹 GA2O3 射频器件
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超宽禁带半导体氧化镓器件热问题的解决策略
11
作者 刘丁赫 《电子与封装》 2024年第11期86-86,共1页
氧化镓是一种具有超宽带隙(4.5~4.9 eV)以及高达8 MV/cm理论临界击穿场强的半导体材料,在电子器件领域正迅速崭露头角。其以卓越的电子特性被业界广泛看好,有望成为继碳化硅和氮化镓之后的新一代半导体材料,在高频、高功率应用中发挥重... 氧化镓是一种具有超宽带隙(4.5~4.9 eV)以及高达8 MV/cm理论临界击穿场强的半导体材料,在电子器件领域正迅速崭露头角。其以卓越的电子特性被业界广泛看好,有望成为继碳化硅和氮化镓之后的新一代半导体材料,在高频、高功率应用中发挥重要作用。 展开更多
关键词 半导体材料 氧化镓 宽禁带半导体 电子特性 氮化镓 宽带隙 电子器件 碳化硅
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宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 被引量：67
12
作者 张波 邓小川 +1 位作者 张有润 李肇基 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期111-118,共8页
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功... 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 功率器件
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测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计 被引量：1
13
作者 苏春磊 欧阳晓平 +4 位作者 李达 刘洋 宋晓靓 余小任 欧阳潇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2359-2363,共5页
为解决强流混合场快中子注量率实时测量的难题,本文基于反冲质子法,以耐辐照性能强、噪声低的半绝缘型(SI)GaN半导体材料为基础,采用带石墨平衡体及聚乙烯转换靶的并联结构,设计补偿式电流型探测器的方案,有效地降低了γ射线灵敏度。利... 为解决强流混合场快中子注量率实时测量的难题,本文基于反冲质子法,以耐辐照性能强、噪声低的半绝缘型(SI)GaN半导体材料为基础,采用带石墨平衡体及聚乙烯转换靶的并联结构,设计补偿式电流型探测器的方案,有效地降低了γ射线灵敏度。利用该探测器测量了西安脉冲堆1#径向孔道内混合场的快中子注量率,其结果与已有测量结果符合较好,验证了该方案的可行性。 展开更多
关键词 中子、γ混合场 反冲质子法 宽禁带半导体 快中子注量率 补偿电流并联结构
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宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用 被引量：13
14
作者 周万幸 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期1-6,共6页
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结... 现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望。 展开更多
关键词 雷达 宽禁带半导体功率器件 发射机
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对有源相控阵雷达的一些新要求与宽禁带半导体器件的应用(续完) 被引量：1
15
作者 张光义 王炳如 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2005年第3期1-4,共4页
关键词 宽禁带半导体 有源相控阵雷达 FET 场效应晶体管 器件 品质因素 功率 处理能力
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宽禁带半导体关键设备技术及发展 被引量：11
16
作者 颜秀文 武祥 《电子工业专用设备》 2013年第5期4-8,共5页
宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关... 宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 离子注入机 关键设备
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超宽禁带半导体Ga_2O_3微电子学研究进展(续) 被引量：1
17
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期81-86,共6页
4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm... 4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而导致空穴的有效质量非常大。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 击穿场强 掺杂浓度 纳米薄膜 MOSFET GA2O3 漏极电流 击穿电压
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几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状 被引量：1
18
作者 杨静 杨洪星 《电子工业专用设备》 2016年第8期20-23,共4页
阐述了SiC、GaN、AlN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战。
关键词 碳化硅 氮化镓 宽禁带半导体 器件
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Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性
19
作者 范希武 申德振 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第S1期54-62,共9页
现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了Al... 现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念, 展开更多
关键词 光学特性 超晶格结构 激子 Ⅲ-Ⅴ族半导体 量子阱 光学非线性 薄膜生长 宽禁带半导体 双稳 非线性光学材料
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宽禁带半导体器件环境适应性验证技术
20
作者 汪邦金 朱华顺 关宏山 《雷达科学与技术》 2011年第5期469-473,478,共6页
应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设... 应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设计(器件研制源于工程、用于工程)、验证数据的可对比性设计(验证环节可追溯)方法及相关分析(指导工程设计),为宽禁带半导体微波功率器件的工程化研制提供数据支撑。文中的试验数据和设计思想可作为其他相关工程设计参考。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 验证技术 环境适应性 半导体器件 微波功率器件 工程设计 验证过程 相关分析
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