“宽禁带功率半导体器件封装集成技术与可靠性优化研究”专题特约主编寄语

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作者 王来利 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5011-5012,共2页

随着“双碳”进程加快和能源转型优化,电力电子装备作为未来实现清洁能源并网、传输和利用等相关环节的核心扮演着愈发重要的作用,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件相对传统硅基器件具有高频、高压、高效及耐高温等... 随着“双碳”进程加快和能源转型优化,电力电子装备作为未来实现清洁能源并网、传输和利用等相关环节的核心扮演着愈发重要的作用,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件相对传统硅基器件具有高频、高压、高效及耐高温等优异特性,因而具有广阔的应用前景。然而,传统硅基电力电子器件的封装集成技术无法满足宽禁带半导体器件的性能与可靠性需求,该问题已成为制约整个产业发展的技术瓶颈。 展开更多

关键词 封装集成技术 宽禁带功率半导体器件

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宽禁带功率半导体器件技术 被引量：23

2

作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体

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宽禁带半导体器件研究现状与展望 被引量：34

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作者 朱梓悦 秦海鸿 +2 位作者 董耀文 严仰光 徐华娟 《电气工程学报》 2016年第1期1-11,共11页

电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究... 电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。 展开更多

关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅 氮化镓

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宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用 被引量：14

4

作者 周万幸 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期1-6,共6页

现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结... 现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望。 展开更多

关键词 雷达 宽禁带半导体功率器件 发射机

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对有源相控阵雷达的一些新要求与宽禁带半导体器件的应用(续完) 被引量：1

5

作者 张光义 王炳如 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2005年第3期1-4,共4页

关键词 宽禁带半导体 有源相控阵雷达 FET 场效应晶体管 器件 品质因素 功率 处理能力

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宽禁带半导体器件环境适应性验证技术 被引量：1

6

作者 汪邦金 朱华顺 关宏山 《雷达科学与技术》 2011年第5期469-473,478,共6页

应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设... 应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设计(器件研制源于工程、用于工程)、验证数据的可对比性设计(验证环节可追溯)方法及相关分析(指导工程设计),为宽禁带半导体微波功率器件的工程化研制提供数据支撑。文中的试验数据和设计思想可作为其他相关工程设计参考。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 验证技术 环境适应性 半导体器件 微波功率器件 工程设计 验证过程 相关分析

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宽禁带半导体功率器件 被引量：3

7

作者 刘海涛 陈启秀 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期1-4,8,共5页

阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。

关键词 宽禁带 半导体功率器件 功率器件 碳化硅 金刚石

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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) 被引量：1

8

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期81-103,共23页

3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效... 3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等,其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层。 展开更多

关键词 金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路

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SiC宽禁带功率器件在雷达发射机中的应用分析 被引量：20

9

作者 余振坤 郑新 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第3期61-65,共5页

介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与Si和GaAs半导体相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点。SiC宽禁带功率器件,尤其在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境... 介绍了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与Si和GaAs半导体相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有显著优点。SiC宽禁带功率器件,尤其在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性和总效率等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景。文章还详细论述了现代雷达对SiC功率器件的具体指标要求。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 碳化硅功率器件 雷达发射机

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宽禁带碳化硅功率器件在电动汽车中的研究与应用 被引量：120

10

作者 王学梅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期371-379,共9页

以碳化硅(silicon carbide,SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限,能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本,提高电力电子系统的性能。一直以来,高功率密度电动汽... 以碳化硅(silicon carbide,SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限,能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本,提高电力电子系统的性能。一直以来,高功率密度电动汽车电力驱动系统一直是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战,而宽禁带功率器件的应用,将对新一代电动汽车特别是混合电动汽车的发展产生重要影响。论文主要介绍SiC功率半导体器件的发展,对SiC器件在电动汽车中的研究现状与应用前景进行分析和展望,最后探讨SiC器件在电动汽车电力驱动系统应用中面临的主要问题。 展开更多

关键词 碳化硅 宽禁带 功率器件 电动汽车驱动系统

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三代半导体功率器件的特点与应用分析 被引量：33

11

作者 郑新 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2008年第7期10-17,共8页

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代... 以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 功率器件 雷达发射机

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新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅱ) 被引量：16

12

作者 郑新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期937-941,共5页

关键词 半导体功率器件 现代雷达 应用 宽禁带半导体 ALGAN/GAN 半导体技术 SIC单晶 美国军方

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新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅰ) 被引量：6

13

作者 郑新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期828-832,共5页

目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经... 目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品。但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。 展开更多

关键词 雷达 发射机 功率器件 宽禁带半导体 可靠性

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“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

14

作者 谢少军 《电源学报》 CSCD 2015年第5期I0002-I0002,共1页

基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件，碳化硅（SiC）器件在很多方面都已体现出了优越的性能，硅基氮化镓（GaN）器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案... 基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件，碳化硅（SiC）器件在很多方面都已体现出了优越的性能，硅基氮化镓（GaN）器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而，高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题，同时，器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。 展开更多

关键词 宽禁带半导体材料 功率电子器件 应用 征文 专辑 高功率密度 工作温度 功率技术

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SiC宽禁带功率放大器的设计与实践 被引量：10

15

作者 刘晗 郑新 +1 位作者 商坚钢 余振坤 《微波学报》 CSCD 北大核心 2008年第5期40-44,共5页

介绍了SiC宽禁带功率器件的特性,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段100W功率放大器。对SiC宽禁带功率放大器进行性... 介绍了SiC宽禁带功率器件的特性,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段100W功率放大器。对SiC宽禁带功率放大器进行性能测试和环境实验,分析了SiC宽禁带功率器件的性能特点和优势。SiC宽禁带功率器件有利于提高功率放大器的工作带宽,改善功率放大器的环境适应性。 展开更多

关键词 SiC功率器件 固态功率放大器 宽禁带

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第十二届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2018’中国半导体器件技术创新及产业发展论坛第一轮会议通知

16

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期431-431,共1页

一、征文范围与截稿日期 1.半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2.半导体分立器件的创新产品、创新技术;3.半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4.宽禁带半导体材料、器件及应用;5.电力电子... 一、征文范围与截稿日期 1.半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2.半导体分立器件的创新产品、创新技术;3.半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4.宽禁带半导体材料、器件及应用;5.电力电子器件及模块;6.半导体探测器、半导体激光器、固态照明、半导体光伏及相关技术;7.微电子机械系统（MEMS）;8.汽车电子、医疗电子、生物电子和物联网等领域技术、产业的最新进展;9.半导体分立器件技术的知识产权保护。 展开更多

关键词 半导体分立器件 半导体器件 技术创新 产业 行业协会 宽禁带半导体材料 中国 电力电子器件

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“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

17

《电源学报》 CSCD 2016年第1期131-131,共1页

基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件，碳化硅（SiC）器件在很多方面都已体现出了优越的性能，硅基氮化镓（GaN）器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。

关键词 宽禁带半导体材料 功率电子器件 征文 专辑 应用 高功率密度 工作温度 功率技术

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一种GaN宽禁带功率放大器的设计 被引量：7

18

作者 张方迪 张民 叶培大 《现代电子技术》 2010年第13期45-47,50,共4页

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种Si波段Ga... 氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种Si波段GaN宽禁带功率放大器（10W）。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 功率放大器 附加效率 GAN

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第十五届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2021年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知

19

《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期580-580,共1页

二、征文范围1、半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2、半导体分立器件的创新产品、创新技术;3、半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4、宽禁带半导体材料、器件及应用;5、电力电子器件及模... 二、征文范围1、半导体分立器件应用、市场分析和产业发展思路;2、半导体分立器件的创新产品、创新技术;3、半导体材料、器件、封装、测试以及相关标准化和可靠性,制造设备和技术;4、宽禁带半导体材料、器件及应用;5、电力电子器件及模块;6、半导体探测器、半导体激光器、固态照明、半导体光伏及相关技术. 展开更多

关键词 产业发展论坛 半导体分立器件 产业发展思路 半导体器件 电力电子器件 宽禁带半导体材料 半导体激光器 固态照明

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输入端谐波抑制的高效E类宽禁带功率放大器 被引量：1

20

作者 曹锐 安士全 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期201-204,共4页

文章提出对E类功率放大器进行谐波抑制的改进设计方法,有效利用输入端信号功率,从而提高功放的功率附加效率;分析了E类功率放大器的工作原理,结合新型宽禁带功率器件利用ADS软件进行了电路仿真设计,并对实际放大器电路进行了实际测试。... 文章提出对E类功率放大器进行谐波抑制的改进设计方法,有效利用输入端信号功率,从而提高功放的功率附加效率;分析了E类功率放大器的工作原理,结合新型宽禁带功率器件利用ADS软件进行了电路仿真设计,并对实际放大器电路进行了实际测试。结果表明,对输入端谐波抑制的改进可以使功率放大器在1.1～1.3GHz频段内输出功率保持在10W以上,功率附加效率达到了79.6%,比改进前E类功率放大器的效率有了明显的提高。 展开更多

关键词 E类功率放大器 宽禁带 谐波抑制 高效率

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