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宽波段响应硅雪崩光电探测器研究
1
作者
彭红玲
卫家奇
+6 位作者
宋春旭
王天财
曹澎
陈剑
邓杰
ZHUANG Qian-Dong
郑婉华
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期464-471,共8页
本文基于目前对宽波段探测器的应用需求,设计了一种在250~1100 nm范围有较高响应的硅雪崩光电探测器(Si APD),不需要拼接即可实现紫外-可见-近红外波段光的高效探测。分别对硅的紫外增强和(近)红外增强进行了分析,在此基础上,为获得宽...
本文基于目前对宽波段探测器的应用需求,设计了一种在250~1100 nm范围有较高响应的硅雪崩光电探测器(Si APD),不需要拼接即可实现紫外-可见-近红外波段光的高效探测。分别对硅的紫外增强和(近)红外增强进行了分析,在此基础上,为获得宽波段响应Si APD,对器件结构进行模拟设计,采用光背入射等方式,提高短波吸收,同时保证近红外吸收。模拟优化的Si APD器件峰值波长940 nm左右,在250 nm和1100 nm处响应光电流均超过峰值的15%,这种结构的器件适用于多光谱及未来高精度探测等应用领域。
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关键词
硅雪崩光电
探测器
宽波段响应探测器
紫外增强
近红外增强
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职称材料
题名
宽波段响应硅雪崩光电探测器研究
1
作者
彭红玲
卫家奇
宋春旭
王天财
曹澎
陈剑
邓杰
ZHUANG Qian-Dong
郑婉华
机构
中国科学院半导体研究所固态光电信息技术实验室
中国科学院大学电子与通信工程学院
西南技术物理研究所
Physics Department
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期464-471,共8页
基金
国家重点研发计划(2018YFE0200900)。
文摘
本文基于目前对宽波段探测器的应用需求,设计了一种在250~1100 nm范围有较高响应的硅雪崩光电探测器(Si APD),不需要拼接即可实现紫外-可见-近红外波段光的高效探测。分别对硅的紫外增强和(近)红外增强进行了分析,在此基础上,为获得宽波段响应Si APD,对器件结构进行模拟设计,采用光背入射等方式,提高短波吸收,同时保证近红外吸收。模拟优化的Si APD器件峰值波长940 nm左右,在250 nm和1100 nm处响应光电流均超过峰值的15%,这种结构的器件适用于多光谱及未来高精度探测等应用领域。
关键词
硅雪崩光电
探测器
宽波段响应探测器
紫外增强
近红外增强
Keywords
silicon avalanche photodetector
wideband response
ultraviolet enhancement
near-infrared enhancement
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TN23 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
宽波段响应硅雪崩光电探测器研究
彭红玲
卫家奇
宋春旭
王天财
曹澎
陈剑
邓杰
ZHUANG Qian-Dong
郑婉华
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
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