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基于简易实频技术的宽带高效率功率放大器设计
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作者 石金辉 王斌 《电子器件》 CAS 2024年第3期610-616,共7页
为了满足5G通信系统对功率放大器带宽和效率的要求,基于CGH40010F晶体管,采用简易实频技术,设计了一款工作在n77频段(3.3 GHz~4.2 GHz)的宽带高效率功率放大器。首先采用负载牵引的方法对各频点的基波最佳阻抗值以及二次谐波阻抗空间进... 为了满足5G通信系统对功率放大器带宽和效率的要求,基于CGH40010F晶体管,采用简易实频技术,设计了一款工作在n77频段(3.3 GHz~4.2 GHz)的宽带高效率功率放大器。首先采用负载牵引的方法对各频点的基波最佳阻抗值以及二次谐波阻抗空间进行提取,选择简易实频技术设计宽带匹配网络,在其仿真性能良好的前提下,进行了加工测试。测试结果表明,该功率放大器在3.3 GHz~4.2 GHz频段内,漏极效率为58.1%~64.5%,增益为11.1 dB~12.9 dB,饱和输出功率为39.6 dBm~41.3 dBm。该功率放大器的性能良好,且带宽和效率具有一定的优势,可为后续宽带高效率功率放大器的设计提供参考。 展开更多
关键词 功率放大器 简易实频技术 宽带 效率
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基于新型输出结构的宽带高效率功率放大器 被引量:2
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作者 刘国华 王维荣 +2 位作者 张志维 李素东 程知群 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期60-63,共4页
提出一种具有新型匹配网络的宽带高效率功率放大器,以及利用开路扇形微带线构成的紧凑型输出匹配网络,并给出了阻抗推导过程。该输出匹配网络在一定带宽条件下能满足晶体管的高效率所对应的阻抗设计空间要求。为了进一步拓展带宽,采用... 提出一种具有新型匹配网络的宽带高效率功率放大器,以及利用开路扇形微带线构成的紧凑型输出匹配网络,并给出了阻抗推导过程。该输出匹配网络在一定带宽条件下能满足晶体管的高效率所对应的阻抗设计空间要求。为了进一步拓展带宽,采用阶跃式阻抗匹配方法设计输入匹配网络。通过理论分析与仿真,最后设计并制作了一款频段为1~3.1 GHz的宽带高效率J类功率放大器。测试结果表明,在该频段内漏极效率为61.4%~70.2%,输出功率为39.3~41.7 dBm,增益为9.3~11.7 dB。 展开更多
关键词 功率放大器 宽带 效率 扇形微带线
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9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器 被引量:4
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作者 徐鼎 陈晓娟 +1 位作者 胡俊 袁婷婷 《电子设计工程》 2021年第1期24-29,共6页
基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;... 基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响,输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配,拓展了电路的宽带特性。测试结果表明,该放大器在9~15 GHz工作频率内,连续波饱和输出功率大于28 dBm,功率附加效率为35%~45%,功率回退至19 dBm下时,IMD3小于-34 dBc,该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm。 展开更多
关键词 GaAs PHEMT工艺 效率功率放大器 谐波抑制 宽带匹配
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X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计
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作者 刘涵潇 喻忠军 +1 位作者 范景鑫 张德生 《电子技术应用》 2025年第3期39-43,共5页
为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益... 为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 效率 X波段 连续类 单片微波集成电路
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0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器 被引量:1
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作者 张晓帆 银军 +4 位作者 倪涛 余若祺 斛彦生 王辉 高永辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期252-256,共5页
设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确... 设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确模型,设计了宽带阻抗变换器,在超宽频带内将50Ω的端口阻抗变换至约12.5Ω,再通过多节微带电路与预匹配后的GaN HEMT芯片实现阻抗匹配。最终,以较小的电路尺寸实现了功率放大器的超宽带性能指标。测试结果表明,功率放大器在0.2~2.0 GHz频带内,在漏极电压36 V、输入功率9 W、连续波的工作条件下,输出功率大于103 W,漏极效率大于50%,输入电压驻波比(VSWR)≤2.5。 展开更多
关键词 GaN电子迁移率功率管(HEMT) 功率放大器 集成无源器件(IPD) 宽带 传输线变压器(TLT)
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V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制 被引量:1
6
作者 高茂原 《通讯世界》 2024年第6期10-12,共3页
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功... 由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究,包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现,并对功率放大器进行测试和结果分析,包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在40 GHz~75 GHz频段内,其饱和输出功率大于2 W,附加效率大于15%,功率增益大于18 dB,可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。 展开更多
关键词 V波段 功率 效率 功率放大器 MMIC
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基于扩展连续B/J类的带宽增强功率放大器设计
7
作者 杨正好 程知群 +4 位作者 贾民仕 王坤 钟保全 朱浙鸣 李冰鑫 《微波学报》 北大核心 2025年第1期10-15,25,共7页
介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点... 介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点,在宽频段内实现最佳的二次谐波阻抗匹配,从而实现了功率放大器的带宽扩展和效率提高。为了验证所提出的设计理论,设计并制备了一个多倍频程的功率放大器,采用10 W氮化镓高电子迁移率晶体管器件,对设计思想进行了验证。所实现的功率放大器在0.45 GHz~2.55 GHz带宽范围内的相对带宽为140%。带内实现了39.3 dBm~42.4 dBm的输出功率、61.2%~76.7%的漏极效率和9.3 dB~12.4 dB的增益。 展开更多
关键词 扩展连续B/J类 宽带效率 功率放大器 多倍频程 氮化镓
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一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
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作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 效率 功率合成
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一种双频高效率滤波功率放大器设计
9
作者 魏正华 叶小兰 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第4期304-308,共5页
为了解决无线终端难以选择无线工作频率发射信号以及发射机对带外信号抑制不足的难题,设计一种具有二次谐波抑制的双频高效率滤波功率放大器,提出了双功能双频阻抗控制器和双频滤波阻抗变换器的结构及设计方法,通过解析计算方式获取了... 为了解决无线终端难以选择无线工作频率发射信号以及发射机对带外信号抑制不足的难题,设计一种具有二次谐波抑制的双频高效率滤波功率放大器,提出了双功能双频阻抗控制器和双频滤波阻抗变换器的结构及设计方法,通过解析计算方式获取了该结构的全部设计参数.电磁仿真结果表明,工作频率为1.785GHz和2.415GHz的输出功率分别为40.8dBm和40.1dBm,漏极效率分别为62.9%和60.8%,增益分别为10.8dB和10.1dB,在二次谐波频率3.57GHz和4.83GHz的抑制分别达到43.7dBc和69.7dBc. 展开更多
关键词 双频 阻抗变换器 效率 谐波控制 功率放大器
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两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计
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作者 魏正华 叶小兰 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第5期353-357,共5页
为了解决矿井下多频无线终端中双频功率放大器极易干扰其他终端的难题,提出具有两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计方法.该双频阻抗变换电路由解析的计算方式获得全部设计参数,同时可通过调节两个自由变量将全部的传输线特... 为了解决矿井下多频无线终端中双频功率放大器极易干扰其他终端的难题,提出具有两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计方法.该双频阻抗变换电路由解析的计算方式获得全部设计参数,同时可通过调节两个自由变量将全部的传输线特性阻抗参数调整到合适范围,另外还将二次谐波控制电路和两个传输零点产生电路融合到双频基波阻抗变换电路中.仿真结果表明,在0.7 GHz和2.6 GHz的最大功率附加效率为81.0%和71.5%;当输入功率分别为25.5 dBm和29.5 dBm时,在0.9 GHz和2.1 GHz两个频率相应的输出功率分别为-0.9dBm和-22.9dBm,从而验证了本文设计方法的有效性. 展开更多
关键词 双频阻抗变换电路 传输零点 效率功率放大器
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1.5~2.7GHz宽带高效率混合连续类功率放大器设计 被引量:3
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作者 何晋 何松柏 陈金虎 《成都信息工程学院学报》 2015年第5期428-432,共5页
基于混合连续型功率放大器进行1.5-2.7GHz宽带高效率功放设计。功率管电流源平面的最优阻抗结合功率管等效输出寄生模型计算得到封装端面的阻抗解,利用Load-pull技术确定各频点的高效率的谐波阻抗区域。基于封装端面最优阻抗结合特... 基于混合连续型功率放大器进行1.5-2.7GHz宽带高效率功放设计。功率管电流源平面的最优阻抗结合功率管等效输出寄生模型计算得到封装端面的阻抗解,利用Load-pull技术确定各频点的高效率的谐波阻抗区域。基于封装端面最优阻抗结合特定的谐波控制网络进行输出匹配网络的设计。所实现的宽带高效率功率放大器在1.4~2.7GHz频段内饱和漏极效率40.3-42.2dBm,饱和漏极效率为70.4%~78.3%。峰均比为6dB的单载波宽带5MHzWCDMA信号测试下,当ACLR临界低于-30dBc时,平均输出功率为35.2~38.1dBm,平均漏极效率为42.2%~50.8%。 展开更多
关键词 电路与系统 宽带 连续类 效率 功率放大器
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31~38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片
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作者 韩芹 刘永强 +1 位作者 刘会东 魏洪涛 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第1期169-173,共5页
为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31~38GHz频段的毫米波宽... 为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31~38GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31~38GHz宽带范围内,线性增益为26~29dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37%,在32~35 GHz内最高效率达45%。 展开更多
关键词 功率放大器 毫米波 砷化镓 宽带 效率 单片集成电路
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基于EFJ模式的宽带高效率Doherty功率放大器设计 被引量:4
13
作者 张志维 程知群 +1 位作者 柯华杰 刘国华 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期29-31,47,共4页
将EFJ模式功率放大器应用于Doherty功率放大器的载波功率放大器,利用EFJ类功率放大器的阻抗特性改善了Doherty功率放大器的带宽。此外,还引入后谐波控制网络来提高Doherty功率放大器的效率。功放的输入匹配电路采用阶跃式阻抗匹配来进... 将EFJ模式功率放大器应用于Doherty功率放大器的载波功率放大器,利用EFJ类功率放大器的阻抗特性改善了Doherty功率放大器的带宽。此外,还引入后谐波控制网络来提高Doherty功率放大器的效率。功放的输入匹配电路采用阶跃式阻抗匹配来进一步拓展工作带宽。使用CGH40010F GaN晶体管设计并加工完成了一款宽带高效率Doherty功率放大器。测试结果显示,在3.2~3.7 GHz频段内,饱和输出功率达到43dBm,饱和漏极效率60%~72.5%,增益大于10 dB。功率回退6 dB时,漏极效率40%~48.5%。 展开更多
关键词 效率 宽带 EFJ模式 DOHERTY功率放大器 后谐波控制
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一种宽带高效率J类功率放大器的设计 被引量:1
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作者 侯宪允 游飞 +2 位作者 丁炫 童仁彬 何松柏 《中国电子科学研究院学报》 2012年第6期603-606,共4页
针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输... 针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输入匹配网络中,使用了具有宽带效应的混合集中和分布元件的π形匹配网络。设计中使用10 W GaN HEMT晶体管对理论进行验证,测试结果显示,在2.2 GHz~2.8 GHz之间的频带内,J类功率放大器的漏极效率大于61%,增益大于10.4 dB。该J类功率放大器在下一代无线通信系统中具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 宽带 π形匹配网络 J类功率放大器 效率
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基于GaN HEMT器件的宽带高效功率放大器 被引量:17
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作者 曹韬 曾荣 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第6期76-79,88,共5页
介绍一种宽带高效放大器设计方法,并基于GaN HEMT器件研制了宽带高效功率放大器。采用源牵引和负载牵引方法获得适应宽带条件的最佳源阻抗和负载阻抗,然后综合宽带匹配网络并实现测试电路设计。实测结果表明,该放大器在0.9~2.7GHz工作... 介绍一种宽带高效放大器设计方法,并基于GaN HEMT器件研制了宽带高效功率放大器。采用源牵引和负载牵引方法获得适应宽带条件的最佳源阻抗和负载阻抗,然后综合宽带匹配网络并实现测试电路设计。实测结果表明,该放大器在0.9~2.7GHz工作频带范围内,放大器输出功率均大于10W,工作效率在51%~72%之间,增益大于13dB。为改善放大器线性度指标,采用商用预失真芯片搭建简单的预失真电路对放大器进行线性化校正,并给出了详细的测试结果。 展开更多
关键词 效率 宽带 GAN 功率放大器 预失真
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采用寄生补偿的高效率逆F类GaN HEMT功率放大器 被引量:10
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作者 尤览 丁瑶 +1 位作者 杨光 刘发林 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第5期50-54,共5页
为了提高无线通信系统的工作效率,提出了一种基于逆F类结构的新型高效率功率放大器。结合功率晶体管的寄生参数,设计了一种添加了寄生补偿电路的输出端谐波控制网络,对2到5次谐波阻抗进行了处理。针对电路中寄生反馈元件的存在,在输入端... 为了提高无线通信系统的工作效率,提出了一种基于逆F类结构的新型高效率功率放大器。结合功率晶体管的寄生参数,设计了一种添加了寄生补偿电路的输出端谐波控制网络,对2到5次谐波阻抗进行了处理。针对电路中寄生反馈元件的存在,在输入端对2次和3次谐波阻抗也分别进行了开路和短路处理。该功率放大器选用GaN工艺的HEMT器件作为功率晶体管,当工作在940MHz频率时,经测试所获得的最大漏极效率为87.4%,最大功率附加效率为78.6%,饱和输出功率为39.8dBm。 展开更多
关键词 逆F类 效率 寄生补偿 功率放大器
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Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC 被引量:3
17
作者 杜鹏搏 张务永 +5 位作者 孙希国 崔玉兴 高学邦 付兴昌 吴洪江 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期97-100,共4页
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilki... 采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36~40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。 展开更多
关键词 砷化镓 KA波段 单片微波集成电路 功率放大器 效率
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1.25GHz高效率F类射频功率放大器 被引量:5
18
作者 李玉龙 宋树祥 +1 位作者 岑明灿 蒋品群 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第10期143-146,共4页
传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证... 传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证后得知,功率放大器工作在1.25GHz时,该功率附加效率达到74.3%以上,输出功率为47.6dBm,带宽为240 MHz. 展开更多
关键词 射频功率放大器 F类 效率 ADS 寄生参数
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微波宽带高效率GaN MMIC功率放大器设计
19
作者 刘宪锁 徐跃杭 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期310-312,共3页
本文基于国产SiC衬底的0.25um GaN HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率GaN MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的该MMIC功率放大器在2-6GHz范围内,输出功率大于36d Bm,增益大于... 本文基于国产SiC衬底的0.25um GaN HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率GaN MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的该MMIC功率放大器在2-6GHz范围内,输出功率大于36d Bm,增益大于21d B,功率附加效率(PAE)大于41%,其中输入功率为15d Bm,Vgs1=-1.5V,Vgs2=-2V,Vds=28V。整体版图尺寸3.5×2.4mm。 展开更多
关键词 GAN MMIC 功率放大器 宽带 效率
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L波段高效率F类功率放大器的研究与设计 被引量:5
20
作者 倪春 吴先良 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1249-1252,共4页
F类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,在移动通信领域有着广阔的发展前景。文章介绍了F类功率放大器的电路结构、工作原理,并对效率进行了分析;在L波段对电路进行了设计和试验,实测结果和仿真结果基本吻合... F类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,在移动通信领域有着广阔的发展前景。文章介绍了F类功率放大器的电路结构、工作原理,并对效率进行了分析;在L波段对电路进行了设计和试验,实测结果和仿真结果基本吻合,验证了研究结果的一致性。 展开更多
关键词 F类功率放大器 效率 L波段
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