TB43 2002021346用于铁电存储器的 PZT 薄膜的制备与性能=Proper-ties of PZT thin films prepared by MOD methodfor ferroelectric memories[刊,中]/林殷茵,汤庭螯,黄维宁,宋浩然(复旦大学电子工程系微电子所.上海(200433))∥固体电...TB43 2002021346用于铁电存储器的 PZT 薄膜的制备与性能=Proper-ties of PZT thin films prepared by MOD methodfor ferroelectric memories[刊,中]/林殷茵,汤庭螯,黄维宁,宋浩然(复旦大学电子工程系微电子所.上海(200433))∥固体电子学研究与进展.—2001,21(2).—234-238。展开更多
文摘TB43 2002021346用于铁电存储器的 PZT 薄膜的制备与性能=Proper-ties of PZT thin films prepared by MOD methodfor ferroelectric memories[刊,中]/林殷茵,汤庭螯,黄维宁,宋浩然(复旦大学电子工程系微电子所.上海(200433))∥固体电子学研究与进展.—2001,21(2).—234-238。
