本文基于分布式放大器原理,采用0.15um Ga As PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用7级分布式拓扑结构,为了提高放大器的增益,每级由两个晶体管组成共源共栅结构。最终结果表明该放大器在0.5-18GH...本文基于分布式放大器原理,采用0.15um Ga As PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用7级分布式拓扑结构,为了提高放大器的增益,每级由两个晶体管组成共源共栅结构。最终结果表明该放大器在0.5-18GHZ内,增益为18±1d B,噪声系数小于3.5d B,输入输出驻波比小于-15d B,1d B压缩点输出功率大于18d Bm,芯片面积为2.6mm×1.4mm。展开更多
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路...日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。展开更多
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路...日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。展开更多
文摘本文基于分布式放大器原理,采用0.15um Ga As PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用7级分布式拓扑结构,为了提高放大器的增益,每级由两个晶体管组成共源共栅结构。最终结果表明该放大器在0.5-18GHZ内,增益为18±1d B,噪声系数小于3.5d B,输入输出驻波比小于-15d B,1d B压缩点输出功率大于18d Bm,芯片面积为2.6mm×1.4mm。
文摘日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。
文摘日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路（成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016）。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。
