碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)

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作者 王强 李玉国 +1 位作者 石礼伟 孙海波 《微纳电子技术》 CAS 2003年第9期39-43,共5页

概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。

关键词 碳化硅 宽带隙半导体材料 生长技术 光电子学 微电子

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半导体信息功能材料与器件的研究新进展 被引量：11

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作者 王占国 《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第1期26-30,共5页

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能... 首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述。 展开更多

关键词 半导体微电子 光电子材料 宽带隙半导体材料 自旋电子材料 有机光电子材料

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宽带隙半导体CdAl_2S_4电子结构、弹性和光学性质的研究 被引量：5

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作者 张丽丽 马淑红 焦照勇 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期357-361,共5页

采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体Cd Al_2S_4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究.研究结果表明：Cd Al2S4为直接带隙的宽带隙半导体材料;是弹性稳定的具有各向异性的延展性材料;该晶体... 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体Cd Al_2S_4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究.研究结果表明：Cd Al2S4为直接带隙的宽带隙半导体材料;是弹性稳定的具有各向异性的延展性材料;该晶体的光学性质在中能区（3.5~12.5 e V）具有较强的各向异性,其强反射峰处于紫外能量区域,因此其可用作紫外光探测或屏蔽材料. 展开更多

关键词 宽带隙半导体材料 光学性能 第一性原理计算

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新型深紫外光子学材料研制成功

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《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期132-132,共1页

厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组成功研制出新型宽带隙半导体材料，为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。相关研究成果日前发表于《自然》出版集团旗下的《科学报告》。

关键词 光子学材料 深紫外 宽带隙半导体材料 机电工程学院 大学物理 《自然》 研究成果

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厦大自主研发深紫外光子学材料获新进展

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《中国材料进展》 CAS CSCD 2014年第1期19-19,共1页

厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的“秘诀”在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。近期，相关... 厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的“秘诀”在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。近期，相关研究成果刊登在《自然》出版集团旗下的在线开放刊物《科学报道》上。 据了解，这项成果出自厦大物理与机电工程学院康俊勇教授课题组，该课题组长期致力于研究深紫外光宽带隙半导体，这也是近年来物理学界的一个热门研究领域。所谓深紫外光，是指波长短于280 nm 的紫外线。这种光源波长短、频率高，可在水及空气净化、疾病治疗、信息技术等领域发挥独特作用。传统的深紫外光源通常由高压汞灯产生，体积大、电压高、毒性大，而用氮化铝基宽带隙半导体来产生深紫外光，一般体积不足米粒大、只要数伏特、无毒无害，且寿命长数百倍。 展开更多

关键词 光子学材料 自主研发 深紫外 宽带隙半导体材料 紫外光源 机电工程学院 结构质量 相互转化

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弯曲生长SiC纳米线的TEM表征 被引量：1

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作者 张跃飞 韩晓东 +4 位作者 郑坤 刘显强 张泽 郝雅娟 郭向云 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期44-45,共2页

关键词 Β-SIC TEM表征 纳米线 宽带半导体材料 生长 弯曲 一维纳米材料 集成电子器件

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ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展 被引量：10

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作者 陈汉鸿 叶志镇 《半导体情报》 2001年第2期37-39,共3页

本征的 Zn O为高阻材料 ,电阻率高达 1 0 12 Ω· cm,如何对 Zn O进行掺杂 ,精确控制其电学性能 ,制备高质量的 n型和 p型材料是实现 Zn O应用的关键。目前 ,研究表明通过掺杂 ,n型 Zn O的制备已经能够精确控制 ,但由于 Zn O中存在... 本征的 Zn O为高阻材料 ,电阻率高达 1 0 12 Ω· cm,如何对 Zn O进行掺杂 ,精确控制其电学性能 ,制备高质量的 n型和 p型材料是实现 Zn O应用的关键。目前 ,研究表明通过掺杂 ,n型 Zn O的制备已经能够精确控制 ,但由于 Zn O中存在的缺陷 ,如氧空位和锌间隙原子 ,Zn O天然呈 n型 ,p型的制备还有一定难度 。 展开更多

关键词 薄膜 宽带半导体材料 有效掺杂 p型转变 氧化锌

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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 被引量：2

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作者 孙国胜 王雷 +5 位作者 罗木昌 赵万顺 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期135-138,共4页

在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (S... 在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构 ,获得了界面平整光滑、没有空洞形成的 3 C-Si C外延材料 ,并采用 X-射线衍射 (XRD)、双晶 X-射线衍射 (DXRD)和霍尔(Hall) 展开更多

关键词 无坑洞立方相碳化硅 低压化学气相淀积 单晶硅树底 SiC 外延生长 LPCVD 宽带隙半导体材料

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自组装ZnO孪晶纳米结构的透射电镜研究

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作者 张志华 刘海华 +2 位作者 简基康 邹凯 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期46-47,共2页

关键词 纳米结构 透射电镜 ZnO 自组装 孪晶 宽带隙半导体材料 一维纳米材料 TEM

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ZnO薄膜结构表征的研究现状

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作者 肖祁陵 徐鹏 张萌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期300-303,共4页

ZnO薄膜是继CaN材料之后的另一种具有应用前景的直接宽带隙半导体材料。针对目前对ZnO薄膜结构的分析，综述了ZnO薄膜结构表征的常用方法，着重分析了XRD在ZnO薄膜结构方面的应用。

关键词 ZNO薄膜 结构分析 XRD 直接宽带隙半导体材料

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前沿

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《河南科技》 2011年第6期6-7,共2页

我国科学家首创出新型太阳能电池 厦门大学物理与机电工程学院康俊勇敦授课题组成功研发出一种新型太阳能电池，即将氧化锌和钠化锌两种宽带隙半导体材料用作太阳能电池，从而使太阳能电池的性能更加稳定，并大大延长了其使用寿命、这... 我国科学家首创出新型太阳能电池 厦门大学物理与机电工程学院康俊勇敦授课题组成功研发出一种新型太阳能电池，即将氧化锌和钠化锌两种宽带隙半导体材料用作太阳能电池，从而使太阳能电池的性能更加稳定，并大大延长了其使用寿命、这也是国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。 展开更多

关键词 宽带隙半导体材料 太阳能电池 机电工程学院 大学物理 使用寿命 氧化锌 科学家

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国内可再生能源新闻

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《太阳能》 2011年第10期61-62,共2页

我国科学家首创出新型太阳电池 日前，厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组研发成功一种新型太阳电池，即将氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料用作太阳电池，从而大大稳定了太阳电池的性能并使其寿命延长。这也是国际上首次... 我国科学家首创出新型太阳电池 日前，厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组研发成功一种新型太阳电池，即将氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料用作太阳电池，从而大大稳定了太阳电池的性能并使其寿命延长。这也是国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳电池中的应用。近期，英国皇家化学学会的《材料化学》杂志发表了这一成果，在国际上引起广泛关注。 展开更多

关键词 可再生能源 宽带隙半导体材料 《材料化学》 太阳电池 新闻 国内 机电工程学院 大学物理

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