4～12GHz三级宽带功率放大器 被引量：1

1

作者 陈中子 陈晓娟 +3 位作者 姚小江 袁婷婷 刘新宇 李滨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期35-37,共3页

设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4～12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。... 设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4～12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4～12GHz功率增益为30±3dB,输出功率大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能在全频段内小于-7dB。 展开更多

关键词 宽带功率放大器 平衡放大器 兰格耦合器 混合集成电路

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宽带功率放大器PGSC建模方法及预失真研究

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作者 南敬昌 曲昀 高明明 《计算机工程》 CAS CSCD 2014年第2期102-105,109,共5页

针对宽带功率放大器的强记忆效应特性,提出一种功放建模和数字预失真方法——PGSC模型。利用广义记忆多项式(GMP)、特定交叉项(SCT)及记忆时刻信号交叉项(CIMT)3个基函数来构造功放行为模型及数字预失真器,并搭建实际测试平台对模型的... 针对宽带功率放大器的强记忆效应特性,提出一种功放建模和数字预失真方法——PGSC模型。利用广义记忆多项式(GMP)、特定交叉项(SCT)及记忆时刻信号交叉项(CIMT)3个基函数来构造功放行为模型及数字预失真器,并搭建实际测试平台对模型的精度及线性化效果进行验证。测试结果表明,与PMEC方法相比,PGSC方法建模时的归一化均方误差减少了2.1 dB,数字预失真时输出信号的三阶邻信道功率比降低了4.94/2.03 dB;与GMP方法相比,PGSC方法仅利用73%的系数即可得到更高的模型精度和更好的线性化效果。 展开更多

关键词 无线通信 宽带功率放大器 行为模型 数字预失真 记忆效应 VOLTERRA级数

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利用ADS设计基于MESFET的宽带功率放大器 被引量：5

3

作者 邢凌燕 《光通信研究》 北大核心 2008年第6期58-61,共4页

文章介绍了一种在无法获取器件大信号模型的情况下采用小信号法设计宽带功率放大器的方法。基于微波砷化镓场效应管,采用小信号设计方法,利用ADS软件,依据宽带功率放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和仿真,设计出了满足预期... 文章介绍了一种在无法获取器件大信号模型的情况下采用小信号法设计宽带功率放大器的方法。基于微波砷化镓场效应管,采用小信号设计方法,利用ADS软件,依据宽带功率放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和仿真,设计出了满足预期期望值的宽带功率放大器。 展开更多

关键词 宽带功率放大器 ADS软件 S参数 增益

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500W射频宽带功率放大器设计 被引量：1

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作者 宋增志 《无线电通信技术》 2004年第3期26-27,44,共3页

分析了宽带功率射频放大器的工作原理,介绍了各单元电路的技术实现方法,重点描述了末级电路的设计要素、各部分器件的选用原则及宽带功率合成技术,在此基础上给出了一个宽带功率放大器的方案。

关键词 宽带功率射频放大器 宽带功率合成 传输线变压器 MOSFET 电控衰减器

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宽带功率放大器的非线性研究

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作者 程雨生 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2016年第2期75-77,共3页

功率放大器更多时候是工作在饱和区,此时其非线性特性成为需要考虑的重要因素之一。在宽带功率放大器中,低频段信号的二次谐波也在其工作频带之内。当前级功放模块产生的二次谐波与基频信号同时进入末级功放时,产生的二阶交调信号频率... 功率放大器更多时候是工作在饱和区,此时其非线性特性成为需要考虑的重要因素之一。在宽带功率放大器中,低频段信号的二次谐波也在其工作频带之内。当前级功放模块产生的二次谐波与基频信号同时进入末级功放时,产生的二阶交调信号频率与基频相同,对输出造成影响。文中从理论上分析了放大器的非线性表现形式以及产生的机理,介绍了X参数的优势,利用NVNA网络分析仪提取X参数,并且使用ADS软件进行谐波平衡仿真,研究了宽带功率放大器中二次谐波的相位对基频功率的影响。 展开更多

关键词 宽带功率放大器 非线性 谐波平衡 X参数

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一种实用的调频宽带功率放大器

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作者 张梅锁 张连生 王宝来 《工矿自动化》 北大核心 2005年第z1期205-207,共3页

本文介绍了一种在调频通信中实用的宽带线性功率放大器.给出了由摩托罗拉公司MRF148组成的一款60W推挽式调频宽带线性功率放大器的具体电路,并对电路的设计和PCB设计及散热问题进行了详细分析.

关键词 宽带线性功率放大器 射频通路 静态电流 MRF148

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基于GaN HEMT的1.5-3.5GHz宽带平衡功率放大器设计 被引量：8

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作者 冷永清 张立军 +6 位作者 曾云 鲁辉 郑占旗 张国梁 彭伟 彭亚涛 官劲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期815-820,共6页

阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片... 阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5-3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%-65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性. 展开更多

关键词 宽带功率放大器 GAN HEMT 平衡功率放大器

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基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器 被引量：7

8

作者 来晋明 罗嘉 +3 位作者 由利人 杨瑜 赵伟星 彭安尽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期44-48,72,共6页

基于Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）技术,研制了在0.8-4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器。采用3 d B耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性... 基于Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）技术,研制了在0.8-4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器。采用3 d B耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与Si C接近的铜-钼-铜载板作为Ga N HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁。测试结果表明,在0.8-4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 d B,增益平坦度为±1.5 d B,饱和输出功率值大于58.2 W,漏极效率为41%-62%。 展开更多

关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 宽带功率放大器 平衡功率放大器 宽带匹配 3dB耦合器

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一种新的永久周期磁铁聚焦的高功率宽带放大器 被引量：1

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作者 丁武 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期649-654,共6页

　提出了一种新的高功率宽带放大器,它由速调管和自由电子脉塞组成,用永久周期磁铁聚焦。研究了这种器件的电子束聚焦、群聚和辐射。在速调管提供一阶调制系数为30%,波导管的半径1.51cm,摇摆器的磁场振幅0.16T,周期7.92cm,电子束的电压4... 　提出了一种新的高功率宽带放大器,它由速调管和自由电子脉塞组成,用永久周期磁铁聚焦。研究了这种器件的电子束聚焦、群聚和辐射。在速调管提供一阶调制系数为30%,波导管的半径1.51cm,摇摆器的磁场振幅0.16T,周期7.92cm,电子束的电压490kV,电流50A和半径0.368cm的条件下,预估这种器件的辐射波频率为11.4GHz,输出辐射功率为18MW,输出辐射带宽为44%。 展开更多

关键词 高功率宽带放大器 速调管 自由电子脉塞 永久周期磁铁

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2～26GHzGaAs单片功率放大器 被引量：5

10

作者 陈雪军 高建峰 +1 位作者 陈效建 林金庭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期140-142,共3页

报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 ... 报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 0GHz内测得输出功率大于 30 0mW ,噪声系数为 3 5～ 5 5dB .单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路 ,芯片面积为 3 2mm× 1 2 75mm× 0 1mm . 展开更多

关键词 微波单片集成电路 超宽带功率放大器 砷化镓

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新型光纤声光可调滤波器的宽带信号放大器设计 被引量：3

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作者 方水平 《激光杂志》 北大核心 2015年第4期24-26,共3页

为了改进现有宽带信号放大器的设计并优化器件的性能,采用了基于新型声致光纤光栅光路的设计方法,通过对放大器的理论的计算和调试,针对产生声致长周期光纤光栅所需的MHz量级声波信号需要,设计了一个新型射频放大电路。进行了理论分析... 为了改进现有宽带信号放大器的设计并优化器件的性能,采用了基于新型声致光纤光栅光路的设计方法,通过对放大器的理论的计算和调试,针对产生声致长周期光纤光栅所需的MHz量级声波信号需要,设计了一个新型射频放大电路。进行了理论分析和实验验证,取得了声致光纤光栅透射光谱中谐振峰的透射深度检验放大电路的性能数据,结果表示:该放大器能够满足产生声致长周期光纤光栅的器件要求,这一结果对大幅改善和优化宽带信号放大器的性能是有帮助的。 展开更多

关键词 光学设计 声致光纤光栅 射频宽带功率放大器 声光可调滤波器

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记忆效应非线性功放扩展Volterra模型分析与构建 被引量：10

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作者 南敬昌 刘元安 +1 位作者 李新春 高锦春 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第8期2021-2024,共4页

通用Volterra级数行为模型由于较高计算复杂性使它受限用于弱非线性放大器。为了减少Volterra级数计算复杂性和级数核系数的数量,本文提出了两种方案:基于正交多项式函数Chebyshev和基于正交多项式函数Laguerre的Volterra级数,推导了Vol... 通用Volterra级数行为模型由于较高计算复杂性使它受限用于弱非线性放大器。为了减少Volterra级数计算复杂性和级数核系数的数量,本文提出了两种方案:基于正交多项式函数Chebyshev和基于正交多项式函数Laguerre的Volterra级数,推导了Volterra-Chebyshev和Volterra-Laguerre的行为模型数学表达式,并对Volterra-Laguerre模型进行了仿真。数学理论分析和仿真结果表明,与普通Volterra级数模型相比,Volterra-Chebyshev和Volterra-Laguerre行为模型具有简化的结构和减少的系数。 展开更多

关键词 宽带功率放大器 行为模型 VOLTERRA级数 LAGUERRE Chebyshev 记忆效应

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射频强场电磁环境试验系统可行性研究 被引量：7

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作者 魏光辉 《实验室研究与探索》 CAS 2005年第6期21-24,共4页

从高技术战争特点和我军武器装备发展需要出发,论述了建设射频强场电磁环境试验系统的必要性。从射频功率产生系统和射频场形成装置两方面,详细分析了在实验室内和野外电磁环境试验场建设射频强场电磁环境试验系统的技术可行性,计算确... 从高技术战争特点和我军武器装备发展需要出发,论述了建设射频强场电磁环境试验系统的必要性。从射频功率产生系统和射频场形成装置两方面,详细分析了在实验室内和野外电磁环境试验场建设射频强场电磁环境试验系统的技术可行性,计算确定了射频宽带功率放大器的技术指标,配置了辐射天线并进行了选型分析。结果表明:建设200V/m以上的射频强场电磁环境试验系统,满足武器装备电磁环境效应试验的需要具有技术可行性和经济合理性。 展开更多

关键词 射频 电磁场 模拟 混响室 天线 宽带功率放大器

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