设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡...设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡的问题,采用了缩放技术、噪声消除技术以及两级的全差分放大器作为输出缓冲级,来有效降低电路的噪声系数,提高增益和输出平衡度。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M RF CMOS工艺设计仿真和流片,测试结果表明:在0.05~2.5 GHz频带范围内,该LNA的最高功率增益达24.5 d B,全频段内噪声系数为2.6~4 d B,输入反射系数小于-10 d B,输出差分信号幅度和相位差分别低于0.6 d B和1.8°。展开更多
3 GaN HEMT
GaN HEMT具有宽禁带半导体材料的高击穿电压、高电子饱和速率和高导热率等特点,已实现1,0.5,0.25,0.2和0.15μm及100,60,45和20 nm栅长的GaN HEMT工艺,广泛应用于UHF,L,S,C,X和Ku等微波频段以及Ka,E和W等毫米波频段的高线...3 GaN HEMT
GaN HEMT具有宽禁带半导体材料的高击穿电压、高电子饱和速率和高导热率等特点,已实现1,0.5,0.25,0.2和0.15μm及100,60,45和20 nm栅长的GaN HEMT工艺,广泛应用于UHF,L,S,C,X和Ku等微波频段以及Ka,E和W等毫米波频段的高线性、高功率、高功率密度和宽带的功率放大器、抗功率冲击和宽带低噪声放大器、高功率开关、腔体振荡器和移相器等,是当前固态微波电子学研究的热点。展开更多
文摘设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡的问题,采用了缩放技术、噪声消除技术以及两级的全差分放大器作为输出缓冲级,来有效降低电路的噪声系数,提高增益和输出平衡度。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M RF CMOS工艺设计仿真和流片,测试结果表明:在0.05~2.5 GHz频带范围内,该LNA的最高功率增益达24.5 d B,全频段内噪声系数为2.6~4 d B,输入反射系数小于-10 d B,输出差分信号幅度和相位差分别低于0.6 d B和1.8°。
文摘3 GaN HEMT
GaN HEMT具有宽禁带半导体材料的高击穿电压、高电子饱和速率和高导热率等特点,已实现1,0.5,0.25,0.2和0.15μm及100,60,45和20 nm栅长的GaN HEMT工艺,广泛应用于UHF,L,S,C,X和Ku等微波频段以及Ka,E和W等毫米波频段的高线性、高功率、高功率密度和宽带的功率放大器、抗功率冲击和宽带低噪声放大器、高功率开关、腔体振荡器和移相器等,是当前固态微波电子学研究的热点。
