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宽中频CMOS下变频器单片
被引量：
2
1
作者
杨格亮
李斌
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第6期1603-1608,共6页
该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下...
该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5~12 GHz。在频率为30 GHz、幅度为4 dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5~–5.5 dB。当固定IF为0.5 GHz、LO幅度为4 dBm时,变频增益随25~45 GHz的RF信号在–7.9~–5.9 dB范围内变化,波动幅度为2 dB。LO-IF,LO-RF,RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,50,43 dB。该下变频器芯片采用TSMC 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.4 mm^(2)。
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关键词
CMOS集成电路
毫米波
变频器
宽中频
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职称材料
一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析
被引量：
3
2
作者
余振兴
冯军
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期405-411,共7页
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频...
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W.
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关键词
分布式混频器
宽中频
栅注入混频器(GPM)
功率合成
毫米波(MMW)
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职称材料
题名
宽中频CMOS下变频器单片
被引量：
2
1
作者
杨格亮
李斌
机构
中国电子科技集团公司第五十四研究所
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第6期1603-1608,共6页
基金
河北省省级科技计划(18960202D)。
文摘
该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5~12 GHz。在频率为30 GHz、幅度为4 dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5~–5.5 dB。当固定IF为0.5 GHz、LO幅度为4 dBm时,变频增益随25~45 GHz的RF信号在–7.9~–5.9 dB范围内变化,波动幅度为2 dB。LO-IF,LO-RF,RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,50,43 dB。该下变频器芯片采用TSMC 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.4 mm^(2)。
关键词
CMOS集成电路
毫米波
变频器
宽中频
Keywords
CMOS integrated circuit
Millimetre-wave
Mixer
Wide IF
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析
被引量：
3
2
作者
余振兴
冯军
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期405-411,共7页
基金
国家自然科学基金(No.2010CB327404)
文摘
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W.
关键词
分布式混频器
宽中频
栅注入混频器(GPM)
功率合成
毫米波(MMW)
Keywords
distributed mixer
wide-IF
gate-pumped mixer（GPM）
power combining
millimeter-wave（MMW）
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
宽中频CMOS下变频器单片
杨格亮
李斌
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析
余振兴
冯军
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
在线阅读
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职称材料
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