期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
跨阻放大器的带宽扩展技术
被引量：
1
1
作者
韩良
张兴宝
+1 位作者
王新胜
赵富菊
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第12期41-44,共4页
提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)～(1/2),该...
提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)～(1/2),该电路的功耗仅为15.4mW.
展开更多
关键词
CMOS
RGC
跨阻放大器
容性退化
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
跨阻放大器的带宽扩展技术
被引量：
1
1
作者
韩良
张兴宝
王新胜
赵富菊
机构
哈尔滨工业大学微电子中心
哈尔滨工业大学(威海)微电子中心
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第12期41-44,共4页
文摘
提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)～(1/2),该电路的功耗仅为15.4mW.
关键词
CMOS
RGC
跨阻放大器
容性退化
Keywords
CMOS
RGC
Transimpedance amplifier
Capacitive Degeneration
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
跨阻放大器的带宽扩展技术
韩良
张兴宝
王新胜
赵富菊
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
