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用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究 被引量:2
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作者 岳瑞峰 董良 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期277-281,共5页
采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17... 采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。 展开更多
关键词 a-Si薄膜 室温红外探测器 PECVD 热敏材料 硼掺杂 电阻温度系数
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基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器 被引量:2
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作者 董良 岳瑞峰 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第6期534-539,共6页
基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空... 基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构。MOSFET在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路。分析表明,探测器的探测率可高达109~1010cmHz1/2W-1。 展开更多
关键词 MOSFET 漏电流温度特性 室温红外探测器 SOI
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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 被引量:1
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作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期764-766,770,共4页
对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 SIO2栅介质
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非晶硅TFT室温红外探测器的光学特性研究
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作者 张万杰 董良 +1 位作者 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期300-301,306,共3页
针对非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的实际结构,提出了两种计算红外吸收率的数学模型,并结合光学导纳矩阵法研究了它的光学特性。对钝化层的结构和材料进行了优化设计,并用在了实际阵列的制作中。
关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 红外吸收率
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用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管
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作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期709-711,共3页
研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探... 研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a-SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 电流温度系数 宽长比 探测
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光学工艺 微细加工技术与设备
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《中国光学》 CAS 2005年第1期96-96,共1页
TN305 2005010726 全数字化激光直写转台系统=An all-digital rotating platform system for laser direct writer[刊,中]/梁宜勇(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027))∥光电工程.-2004,31(5).-1-3,10 为提高极... TN305 2005010726 全数字化激光直写转台系统=An all-digital rotating platform system for laser direct writer[刊,中]/梁宜勇(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027))∥光电工程.-2004,31(5).-1-3,10 为提高极坐标激光直写设备的性能,设计了全数字化的转台系统,增强了与平台、调焦、光强系统的同步。提出数字锁相积分、可编程PID控制及变周期稳速判据等概念,并应用于转台控制器设计。配合改进的快速光强调制系统,使极坐标激光直写设备具备制作精确环、任意孤和变宽线条的能力。图5参5(严寒) 展开更多
关键词 微细加工 光学工艺 全数字化 光刻胶 激光直写技术 曝光量 微电子机械系统 电子技术实验 室温红外探测器 激光直写光刻
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