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题名In掺杂MoO_(3)纳米带的室温氢敏性能研究
被引量：1
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作者
殷涛
刘宇航
薛倩倩
杨树林
王钊
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机构
湖北大学微电子学院
黄冈师范学院物理与电信学院
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出处
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第8期8118-8123,共6页
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基金
国家自然科学基金项目(52072115)
湖北省科技厅项目(2022CFB525)。
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文摘
通过水热法成功制备了In掺杂的MoO_(3)纳米带,并探究了In掺杂浓度对其物相、形貌和室温氢敏性能的影响。结果表明,In掺杂后产物均为正交相MoO_(3)纳米带,平均长度约为5μm,直径约为200 nm。随着In掺杂浓度从2%(原子分数)提高到6%,材料的室温氢敏性能逐渐增强,但当掺杂浓度进一步提高到10%时,室温氢敏性能反而恶化。其中,6%掺杂的MoO_(3)纳米带表现出最佳的室温氢敏性能,对3000×10^(-6) H_(2)的响应度约为1.84,响应时间约为42 s。此外,所得In掺杂MoO_(3)纳米带具有良好的重复性、选择性和稳定性。
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关键词
氢气传感器
三氧化钼
纳米带
铟掺杂
室温氢敏
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Keywords
hydrogen sensor
molybdenum trioxide
nanobelts
In doping
room temperature hydrogen sensing
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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