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室温长波光导探测器研究
1
作者
Jozef Piotrowski
《红外研究》
CSCD
北大核心
1990年第1期1-6,共6页
从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器,提出了室温光导半导体的广义优值,计算了10.6μm HgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器,描述了它的性能。结果表明10.6μm室温光导探测...
从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器,提出了室温光导半导体的广义优值,计算了10.6μm HgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器,描述了它的性能。结果表明10.6μm室温光导探测器的最佳探测率可高于1×10~8cmHz^(1/2)/W,已接近一般的热敏型探测器性能。
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关键词
HGCDTE
室温光导探测器
优值
极限性能
碲镉汞
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职称材料
题名
室温长波光导探测器研究
1
作者
Jozef Piotrowski
机构
Institute of Plasma Physics and Laser Microfusion
出处
《红外研究》
CSCD
北大核心
1990年第1期1-6,共6页
文摘
从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器,提出了室温光导半导体的广义优值,计算了10.6μm HgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器,描述了它的性能。结果表明10.6μm室温光导探测器的最佳探测率可高于1×10~8cmHz^(1/2)/W,已接近一般的热敏型探测器性能。
关键词
HGCDTE
室温光导探测器
优值
极限性能
碲镉汞
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
室温长波光导探测器研究
Jozef Piotrowski
《红外研究》
CSCD
北大核心
1990
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