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InGaAsP/InP宽调谐有源Bragg反射集成半导体激光器
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作者 赵宇 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第Z1期34-35,共2页
目前,由InGaAsP/InP双异质结构成的工作在1.3或1.55μm的半导体激光器由于适用于光纤通信系统,其可调单模激光器受到了人们日益的重视。因为不少实际应用场合都需要波长的调谐。一般,除了依靠器件的工作温度来达到少量的调节外、半导体... 目前,由InGaAsP/InP双异质结构成的工作在1.3或1.55μm的半导体激光器由于适用于光纤通信系统,其可调单模激光器受到了人们日益的重视。因为不少实际应用场合都需要波长的调谐。一般,除了依靠器件的工作温度来达到少量的调节外、半导体激光器本身是不能调谐的。用带有可调光栅反射器的外腔结构,可以实现20-60nm的调谐范围,它只受到了激射材料增益光谱的限制。不用外部光学元件的单片集成激光器,调谐可以用多段式的分布反馈(DFB) 展开更多
关键词 半导体激光器 BRAGG INGAASP/INP 调谐范围 分布反馈 实际应用场合 光纤通信系统 激射 载流子密度 增益区
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