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定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究
被引量：
1
1
作者
丁书龙
郭建
+2 位作者
颜晓红
宣凯
林铁军
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第F11期74-75,83,共3页
用化学气相沉积方法（CVD），以纯锌粉为原料，在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌（ZnO）纳米线，并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征；对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较，证实...
用化学气相沉积方法（CVD），以纯锌粉为原料，在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌（ZnO）纳米线，并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征；对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较，证实其生长过程遵循气固生长机理。
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关键词
半导体材料
气相生长
化学气相沉积
ZNO
纳米
结构
生长机理
定向氧化锌纳米线
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职称材料
题名
定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究
被引量：
1
1
作者
丁书龙
郭建
颜晓红
宣凯
林铁军
机构
湘潭大学材料与光电物理学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第F11期74-75,83,共3页
文摘
用化学气相沉积方法（CVD），以纯锌粉为原料，在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌（ZnO）纳米线，并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征；对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较，证实其生长过程遵循气固生长机理。
关键词
半导体材料
气相生长
化学气相沉积
ZNO
纳米
结构
生长机理
定向氧化锌纳米线
Keywords
semiconductor materials, growth from vapor, chemical vapor deposition
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ132.41 [化学工程—无机化工]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究
丁书龙
郭建
颜晓红
宣凯
林铁军
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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