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高乙醇含量电解液体系下的宏孔硅阵列光电化学腐蚀技术研究
1
作者
宁宇
季旋
+2 位作者
周秀文
何玉丹
翁文茜
《现代化工》
北大核心
2025年第2期188-192,198,共6页
采用光电化学腐蚀单晶硅方法进行宏孔硅阵列制备技术研究,探究了高乙醇含量电解液体系下腐蚀电压对宏孔硅形貌的影响,分析了单晶硅定向溶解机理。结果表明,高乙醇电解液下,单晶硅的腐蚀主要为二价溶解过程,有别于常规电解液体系下单晶...
采用光电化学腐蚀单晶硅方法进行宏孔硅阵列制备技术研究,探究了高乙醇含量电解液体系下腐蚀电压对宏孔硅形貌的影响,分析了单晶硅定向溶解机理。结果表明,高乙醇电解液下,单晶硅的腐蚀主要为二价溶解过程,有别于常规电解液体系下单晶硅的四价溶解过程;在该体系下,单晶硅的溶解速度较快,具有较好的应用前景。在腐蚀电压为1.5 V、腐蚀时间为2 h,得到深宽比为23的宏孔硅阵列,腐蚀速度最快可达75μm/h;反应过程中有氢气产生,使腐蚀速度增大,腐蚀至115μm后,过量氢气堆积使孔尖腐蚀受抑制。
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关键词
宏孔硅阵列
光电化学腐蚀法
电解液
腐蚀机理
物质交换
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职称材料
题名
高乙醇含量电解液体系下的宏孔硅阵列光电化学腐蚀技术研究
1
作者
宁宇
季旋
周秀文
何玉丹
翁文茜
机构
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《现代化工》
北大核心
2025年第2期188-192,198,共6页
基金
国家自然科学基金青年科学基金(12104425)。
文摘
采用光电化学腐蚀单晶硅方法进行宏孔硅阵列制备技术研究,探究了高乙醇含量电解液体系下腐蚀电压对宏孔硅形貌的影响,分析了单晶硅定向溶解机理。结果表明,高乙醇电解液下,单晶硅的腐蚀主要为二价溶解过程,有别于常规电解液体系下单晶硅的四价溶解过程;在该体系下,单晶硅的溶解速度较快,具有较好的应用前景。在腐蚀电压为1.5 V、腐蚀时间为2 h,得到深宽比为23的宏孔硅阵列,腐蚀速度最快可达75μm/h;反应过程中有氢气产生,使腐蚀速度增大,腐蚀至115μm后,过量氢气堆积使孔尖腐蚀受抑制。
关键词
宏孔硅阵列
光电化学腐蚀法
电解液
腐蚀机理
物质交换
Keywords
macroporous silicon arrays
photoelectrochemical etching
electrolyte
corrosion mechanism
substance exchange
分类号
TQ035 [化学工程]
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作者
出处
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1
高乙醇含量电解液体系下的宏孔硅阵列光电化学腐蚀技术研究
宁宇
季旋
周秀文
何玉丹
翁文茜
《现代化工》
北大核心
2025
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