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ZnGeP_2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进
被引量：
3
1
作者
赵欣
朱世富
程江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第7期516-519,553,共5页
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍...
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。
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关键词
磷锗锌
多晶合成
安瓿爆炸
垂直布里奇曼法
晶体生长
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职称材料
题名
ZnGeP_2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进
被引量：
3
1
作者
赵欣
朱世富
程江
机构
中国民航飞行学院研究生处
四川大学材料科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第7期516-519,553,共5页
基金
国家自然科学基金(50732005)
四川省科技厅资金(2010ZR0123)
文摘
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离。经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料。以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达Φ20 mm×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体。
关键词
磷锗锌
多晶合成
安瓿爆炸
垂直布里奇曼法
晶体生长
Keywords
ZnGeP2
polycrystalline synthesis
ampoule explosion
vertical Bridgman method（VBM）
crystal growth
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnGeP_2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进
赵欣
朱世富
程江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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