Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究 被引量：1

1

作者 杨红官 施毅 +7 位作者 卜惠明 吴军 赵波 张荣 沈波 韩平 顾书林 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期63-68,共6页

这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间... 这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间提高了 3～ 5个量级 ,有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾 ,使器件的性能得到明显改善。 展开更多

关键词 锗 硅 纳米结构 存储器 数值模拟 电荷存储特性 复合材料 MOSFET

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氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响

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作者 陈平 黄美浅 +1 位作者 李斌 李观启 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期13-17,共5页

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电... 采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 . 展开更多

关键词 Ba1-xSrxTiO3薄膜 电荷存储特性 MIOS结构 退火 氧空位 陷阱

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用C-V法观察介质-半导体界面的电荷存储效应 被引量：1

3

作者 费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》 1997年第6期16-19,共4页

用SiNX作钝化层的InGaAs／InP光电二极管和N沟道GaAsMESFET的高频特性和电性能稳定性问题与SiNx-半导体界面的电荷存储效应有密切关系。本工作用高频C－V法观察到SiNx－InP界面电行存储效应，从而加深了SiNX钝化层引起的器件最高工作频... 用SiNX作钝化层的InGaAs／InP光电二极管和N沟道GaAsMESFET的高频特性和电性能稳定性问题与SiNx-半导体界面的电荷存储效应有密切关系。本工作用高频C－V法观察到SiNx－InP界面电行存储效应，从而加深了SiNX钝化层引起的器件最高工作频率下降和特性不稳定的理解，找到了评价介质-半导体界面稳定性的方法并进行了减小SiNx－InP界面电荷存储效应的实验。 展开更多

关键词 C-V法 半导体 介质半导体界面 电荷存储效应

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ZrO_2纳米晶尺寸及密度对电荷存储器件性能的影响

4

作者 汤振杰 李荣 《安阳师范学院学报》 2013年第2期9-12,共4页

利用脉冲激光沉积方法制备了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器件,并系统研究了纳米晶尺寸及密度对器件存储性能的影响。利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(ZrO2)0.6(SiO2)0.4薄膜的形貌及纳米晶尺寸。研究结果表明60s退火处理的存... 利用脉冲激光沉积方法制备了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器件,并系统研究了纳米晶尺寸及密度对器件存储性能的影响。利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(ZrO2)0.6(SiO2)0.4薄膜的形貌及纳米晶尺寸。研究结果表明60s退火处理的存储器件具有最佳的存储窗口(4.4V)和数据保持能力(～5%)。 展开更多

关键词 高介电常数 ZrO2纳米晶 电荷存储 脉冲激光沉积

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电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 被引量：1

5

作者 李德君 刘明 +8 位作者 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期518-524,539,共8页

随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧... 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 高K材料 非挥发性存储器(NVM) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层

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a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应

6

作者 戴敏 鲍云 +6 位作者 石建军 张林 李伟 陈铠 王立 黄信凡 陈坤基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期445-448,共4页

采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特... 采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特性 ;采用 C-V测量方法 ,通过对退火和未退火样品的对比分析 ,对该三明治样品的电学性质进行了研究 ,观察到 nc-Si薄膜的电荷存储现象 ,并且该现象与 nc-Si层的厚度有着明显的关系。 展开更多

关键词 纳米硅 退火 电容-电压特性 电荷存储

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电荷俘获存储器阻挡层研究进展

7

作者 白杰 霍宗亮 +4 位作者 刘璟 刘紫玉 张满红 杨建红 刘明 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第6期360-368,共9页

随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介... 随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介电常数材料作为阻挡层时,其禁带宽度、介电常数、内部的缺陷密度以及退火工艺等方面对存储特性的影响进行了分析,同时对近年来研究较多的阻挡层能带工程进行了详细介绍,如SiO2和Al2O3的复合阻挡层结构、多层高介电常数材料的阻挡层结构等。最后,对目前研究进展中存在的问题以及未来的研究方向和趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 电荷俘获存储器(CTM) 阻挡层 高K材料 隧穿 AL2O3

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在任何服装上绣制电荷存储图案成为可能

8

作者 cnBeta.COM 《纺织科学研究》 2018年第12期7-7,共1页

据报道,马萨诸塞大学安姆斯特分校的研究人员找到了可穿戴电子设备的突破方向,即他们找到了一种方法来为可穿戴设备创建替代电池的布料。该技术涉及在任何服装上绣制电荷存储图案,设计方法是使用微型超级电容器、蒸汽涂层导电线和聚合... 据报道,马萨诸塞大学安姆斯特分校的研究人员找到了可穿戴电子设备的突破方向,即他们找到了一种方法来为可穿戴设备创建替代电池的布料。该技术涉及在任何服装上绣制电荷存储图案,设计方法是使用微型超级电容器、蒸汽涂层导电线和聚合物薄膜。 展开更多

关键词 电荷存储 图案 服装 电子设备 超级电容器 聚合物薄膜 研究人员

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扫描静电力显微镜及其电荷捕获/释放技术 被引量：3

9

作者 王志勇 张鸿海 +2 位作者 鲍剑斌 郭文明 汪学方 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期232-237,共6页

介绍扫描静电力显微测量及用其实现电荷捕获释放的技术现状、发展动向 ,以及关键技术的一些最新成果。前者已被广泛应用于测量半导体表面电荷密度分布、表面电势以及铁电材料铁电体结构的研究中 ;后者可望用于研制速度和存贮容量都比现... 介绍扫描静电力显微测量及用其实现电荷捕获释放的技术现状、发展动向 ,以及关键技术的一些最新成果。前者已被广泛应用于测量半导体表面电荷密度分布、表面电势以及铁电材料铁电体结构的研究中 ;后者可望用于研制速度和存贮容量都比现在提高成千上万倍的量子器件。最后 。 展开更多

关键词 扫描探针显微镜 扫描力显微镜 静电力显微镜 电荷存储 捕获释放技术 扫描静电力显微镜 量子器件 测量技术 铁电材料 半导体 微晶振

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纳米晶非挥发性存储器研究进展

10

作者 管伟华 刘明 +4 位作者 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期225-230,共6页

介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器... 介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器

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名词释义——分子存储器

11

《微纳电子技术》 CAS 2006年第7期322-322,共1页

分子存储器和现有的存储器的工作原理是一致的，区别在于电容的存储电荷方式。分子存储器的电荷是存储在分子中，而传统存储器的电荷是存储在氧化物上的体材料中。

关键词 分子存储器 释义 名词 存储电荷 工作原理 体材料 氧化物

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基于无机电荷产生层的量子点电致发光器件 被引量：2

12

作者 战胜 刘佳田 +1 位作者 张汉壮 纪文宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期1469-1477,共9页

利用WO_(3)/ZnO作为电荷产生层(CGL)制备了具有倒置结构的量子点电致发光器件(QLED),相比于传统的基于单层ZnO作为电子传输层的QLED,利用CGL-QLED的电流效率提高了近30%。这主要归因于CGL的电子注入具有电场依赖特性,从而使得器件中的... 利用WO_(3)/ZnO作为电荷产生层(CGL)制备了具有倒置结构的量子点电致发光器件(QLED),相比于传统的基于单层ZnO作为电子传输层的QLED,利用CGL-QLED的电流效率提高了近30%。这主要归因于CGL的电子注入具有电场依赖特性,从而使得器件中的电荷注入更加平衡,提高了激子的形成效率,抑制了载流子导致的猝灭过程。此外,我们通过瞬态电致发光光谱技术及电容特性测试,分析了基于CGL的QLED的器件工作机制,发现CGL中可以存储大量的载流子,从而使得器件在脉冲电压驱动时出现发光过冲现象。其环境稳定性也与常规的基于ZnO的器件一致。而由于CGL独特的电荷产生机制,使得其不依赖于电极功函数特性。我们相信,这种器件结构在改善器件稳定性及良率方面有着巨大潜力。 展开更多

关键词 量子点发光器件 电荷产生层 过冲 电荷存储

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新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析 被引量：2

13

作者 徐静平 余岳辉 +1 位作者 彭昭廉 陈涛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期29-33,共5页

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但... 本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。 展开更多

关键词 薄发射极晶闸管 关断时间 通态压降 存储电荷

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用于核物理实验研究中的束流脉冲调制器 被引量：1

14

作者 董菊心 唐靖宇 苏旭晖 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期474-476,共3页

描述了一台用于核物理实验研究中的束流脉冲调制器。它已成功地用于兰州重离子加速器(HIRFL)的放射性离子束流线 (RIBL L)

关键词 束流调制 存储电荷 驱动器 核物理实验 束流脉冲调制器

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多孔三维寡层类石墨烯:超高功率超级电容器碳材料 被引量：2

15

作者 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第5期855-856,共2页

双电层超级电容器（EDLC）通过表面静电吸附存储电荷，具有功率密度高、循环寿命长、安全性好等优点，得到科技界的广泛重视。理想的EDLC电极材料应同时具备：（i）高的比表面积以确保足够的电荷存储空间；

关键词 超级电容器 超高功率 碳材料 类石墨 三维 多孔 存储电荷 比表面积

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SiGe HBT大信号扩散电容模型研究

16

作者 胡辉勇 张鹤鸣 +3 位作者 戴显英 宣荣喜 李立 姜涛 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期82-84,87,共4页

基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础... 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。 展开更多

关键词 SIGE 异质结双极晶体管 存储电荷 扩散电容 PSPICE

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高速瞬态脉冲“缓冲减速”原理和模型 被引量：1

17

作者 陈宇晓 杨谟华 +1 位作者 唐丹 尹显东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期787-789,共3页

提出皮秒级电脉冲“缓冲减速”的原理是利用电容电荷存储网络来实现的。建立了电容电荷存储网络模型和有源缓冲电荷存储网络模型,设计出一种由GaAsMESFET和高频n沟道JFET构成的二级缓冲电荷存储网络。电路仿真结果表明,多级缓冲网络将... 提出皮秒级电脉冲“缓冲减速”的原理是利用电容电荷存储网络来实现的。建立了电容电荷存储网络模型和有源缓冲电荷存储网络模型,设计出一种由GaAsMESFET和高频n沟道JFET构成的二级缓冲电荷存储网络。电路仿真结果表明,多级缓冲网络将快速的样品信号转换为低速的慢信号,信号模拟带宽从1.68GHz降到323kHz,可直接提供给低通带放大器和低速AD进行波形数据读取和处理,从而避免采用昂贵的宽带放大器和高速AD。 展开更多

关键词 高速瞬态脉冲 缓冲减速 电容电荷存储网络

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开关电源中二极管反向恢复的电压浪涌与损耗 被引量：5

18

作者 杨志华 《通信电源技术》 1998年第4期5-8,共4页

给出二极管反向恢复时所产生的反向电流、电压浪涌和开关损耗的定量计算公式,并讨论如何选用合适的二极管,设计恰当的吸收回路以降低二极管反向恢复产生的电压浪涌和损耗。

关键词 反向恢复 存储电荷 开关损耗 软恢复 开关电源

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氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响

19

作者 陈平 黄美浅 +2 位作者 李观启 李斌 陈蒲生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期396-401,共6页

利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的... 利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响。 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 物理特性 电学特性 介电常数 电荷存储

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铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜在锂离子电池电极中的应用

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作者 夏丽 刘宪云 方佳怡 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期150-154,共5页

锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb_3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良... 锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb_3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良好,电荷存储容量较高;初始放电容量为378.8 mA·h/g,在初始充电过程中测试得到充入电容量为205.2 mA·h/g、库仑效率为54.1%;在第二个充放电周期获得了低了些的放电容量为222.6 mA·h/g和相应的充电容量205.2 mA·h/g,库仑效率为92.2%,从第二个循环周期开始锂离子电池已经有较高的充放电效率;在50个充放电周期后CoSb_3纳米薄膜的电容量下降到55.4 mA·h/g。在CoSb_3纳米薄膜的充放电周期中如此重大的电容量损失是归因于在锂化过程中产生了大型结构变化。 展开更多

关键词 CoSb3纳米颗粒薄膜 锂离子电池 电荷存储容量 低压化学气相淀积

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