基于March算法的存储器内建自测试电路能够获得很高的故障覆盖率,但在测试小规模的存储器时暴露出了面积相对比较大的缺点。针对大屏幕Timing Controller芯片"龙腾TC1"中4块640×18 bit SRAM"按地址递增顺序连续进...基于March算法的存储器内建自测试电路能够获得很高的故障覆盖率,但在测试小规模的存储器时暴露出了面积相对比较大的缺点。针对大屏幕Timing Controller芯片"龙腾TC1"中4块640×18 bit SRAM"按地址递增顺序连续进行写操作"的工作特点,提出了一种新的存储器内建自测试方法。该方法按照地址递增顺序向存储器施加测试矢量,避免了直接采用March C算法所带来的冗余测试,简化了内建自测试电路,大大减少了由管子的数量和布线带来的面积开销,可达到March C+算法相同的"测试效果"。展开更多
自旋转移矩的随机存储器(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory,STT-MRAM)以其非易失性、读写速度快、数据保持时间长、完全兼容CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺等优势在新型存储器中脱颖而出.随着...自旋转移矩的随机存储器(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory,STT-MRAM)以其非易失性、读写速度快、数据保持时间长、完全兼容CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺等优势在新型存储器中脱颖而出.随着其产业化的投入暴增和应用规模的扩大,STT-MRAM存储器产品的质量和可靠性测试十分必要.当前,最常用的March测试算法在对STT-MRAM的性能进行验证时,存在测试复杂度与故障覆盖率两者不匹配的难题.针对于此,从STT-MRAM的制造缺陷形成和分类出发,将部分针孔故障的表现形式,采用March敏化的方式检测,并基于此类故障类型,提出了一种高故障覆盖率的March CM测试算法,根据此算法设计相应的内建自测试(Build-In Self-Testing,BIST)电路.仿真验证及对STT-MRAM的板级测试显示这一设计达到了兼容高复杂度和高覆盖率的测试要求.展开更多
文摘自旋转移矩的随机存储器(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory,STT-MRAM)以其非易失性、读写速度快、数据保持时间长、完全兼容CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺等优势在新型存储器中脱颖而出.随着其产业化的投入暴增和应用规模的扩大,STT-MRAM存储器产品的质量和可靠性测试十分必要.当前,最常用的March测试算法在对STT-MRAM的性能进行验证时,存在测试复杂度与故障覆盖率两者不匹配的难题.针对于此,从STT-MRAM的制造缺陷形成和分类出发,将部分针孔故障的表现形式,采用March敏化的方式检测,并基于此类故障类型,提出了一种高故障覆盖率的March CM测试算法,根据此算法设计相应的内建自测试(Build-In Self-Testing,BIST)电路.仿真验证及对STT-MRAM的板级测试显示这一设计达到了兼容高复杂度和高覆盖率的测试要求.
