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阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真
被引量：
1
1
作者
李德君
代月花
+2 位作者
陈军宁
柯导明
胡媛
《现代电子技术》
2009年第2期1-3,共3页
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转...
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。
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关键词
非易失性
存储
器
电阻转变特性
存储单元结构
1T1R
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职称材料
题名
阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真
被引量：
1
1
作者
李德君
代月花
陈军宁
柯导明
胡媛
机构
安徽大学电子科学与技术学院
出处
《现代电子技术》
2009年第2期1-3,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60576066)
国家自然科学基金主任资助项目(60644007)
文摘
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。
关键词
非易失性
存储
器
电阻转变特性
存储单元结构
1T1R
Keywords
nonvolatile memory
resistive switching characteristics
memory cell circuit
1T1R
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真
李德君
代月花
陈军宁
柯导明
胡媛
《现代电子技术》
2009
1
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