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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
谢俊领
程伟
+3 位作者
王元
常龙
牛斌
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期424-428,共5页
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件...
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。
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关键词
可靠性
热应力
存储加速寿命试验
磷化铟
双异质结双极性晶体管
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职称材料
题名
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
谢俊领
程伟
王元
常龙
牛斌
陈堂胜
机构
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期424-428,共5页
文摘
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。
关键词
可靠性
热应力
存储加速寿命试验
磷化铟
双异质结双极性晶体管
Keywords
reliability
thermal stress
storage accelerated aging test
InP
double heterojunction bipolar transistor(DHBT)
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响
谢俊领
程伟
王元
常龙
牛斌
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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