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8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器
1
作者
王燕
周云波
+1 位作者
张国贤
杨晓花
《电子与封装》
2010年第10期16-20,共5页
为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法...
为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。
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关键词
静态存储器
字线局部译码电路
电
压降低转换
电
路
冗余修补
电
路
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职称材料
题名
8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器
1
作者
王燕
周云波
张国贤
杨晓花
机构
苏州大学电子信息学院
江南大学物联网工程学院
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2010年第10期16-20,共5页
文摘
为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。
关键词
静态存储器
字线局部译码电路
电
压降低转换
电
路
冗余修补
电
路
Keywords
SRAM
local word line decoder
VDC
redundancy repair circuit
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器
王燕
周云波
张国贤
杨晓花
《电子与封装》
2010
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