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夹断电压可调的高压结型场效应管
1
作者
聂卫东
朱光荣
+1 位作者
易法友
于宗光
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期75-80,共6页
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过...
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。
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关键词
高压结型场效应管
夹断电压可调
P型埋层变掺杂
双重降低表面电场
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职称材料
题名
夹断电压可调的高压结型场效应管
1
作者
聂卫东
朱光荣
易法友
于宗光
机构
江南大学数字媒体学院
无锡友达电子有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期75-80,共6页
基金
江苏省333工程科研项目(BRA2011112)
文摘
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。
关键词
高压结型场效应管
夹断电压可调
P型埋层变掺杂
双重降低表面电场
Keywords
high voltage J-FET
pinch-off voltage-adjustable
varied doping of P-buried
doubleRESURF
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
夹断电压可调的高压结型场效应管
聂卫东
朱光荣
易法友
于宗光
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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