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夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究
被引量:
2
1
作者
商干兵
周勇
+3 位作者
余先育
丁文
周志敏
曹莹
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期194-196,199,共4页
采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,并在1~40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加,在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时,Hex...
采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,并在1~40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加,在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时,Hext为0.8kA/m时巨磁阻抗效应最大值达到32.06%。另外,夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应,在频率5MHz,Hext=9.6kA/m时,负最大巨磁阻抗效应可达-24.50%。
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关键词
巨磁阻抗效应
夹心结构feni/cu/feni多层膜
MEMS技术
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职称材料
题名
夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究
被引量:
2
1
作者
商干兵
周勇
余先育
丁文
周志敏
曹莹
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期194-196,199,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50275096
10402023)
+1 种基金
上海市纳米专项资助项目(0352nm014)
教育部重大科研资助项目(重大0307)
文摘
采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,并在1~40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应。纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加,在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小。在频率为5MHz时,Hext为0.8kA/m时巨磁阻抗效应最大值达到32.06%。另外,夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应,在频率5MHz,Hext=9.6kA/m时,负最大巨磁阻抗效应可达-24.50%。
关键词
巨磁阻抗效应
夹心结构feni/cu/feni多层膜
MEMS技术
Keywords
giant magneto-impedance
sandwiched
feni/
cu
/feni
films
MEMS
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究
商干兵
周勇
余先育
丁文
周志敏
曹莹
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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职称材料
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