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题名沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
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作者
卜夏正
武一宾
商耀辉
牛晨亮
赵辉
崔琦
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第4期221-225,230,共6页
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文摘
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。
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关键词
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
砷化镓铟沟道
失配应力
热应力
电性能
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Keywords
GaAs PHEMT （pseudomorphic high electron mobility transistor）
InGaAs channel
mismatch-strain
thermo-strain
electronic property
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分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名2D-C/SiC复合材料的面内剪切本构模型
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作者
林江嵘
杨成鹏
贾斐
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机构
西北工业大学力学与土木建筑学院
西安电子科技大学机电工程学院
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出处
《航空材料学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期139-149,共11页
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基金
国家自然科学基金(12072274)
陕西省自然科学基础研究计划(2021JM-123)。
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文摘
为了表征2D-C/SiC复合材料的面内剪切行为,考虑基体开裂、界面脱粘、纤维桥连弯曲等损伤机制,提出宏细观两尺度下的含损伤体元模型;引入热失配应力的影响,在分别表征卸载弹性应变和残余应变的基础上,建立材料的温度相关面内剪切本构模型。开展室温单调加载和加卸载面内剪切实验,发现残余应变和弹性应变均随剪应力的增大逐渐增大,而卸载模量随剪应力的增大持续减小。将模型用于2D-C/SiC复合材料剪切行为的模拟,结果表明:模型对于弹性应变、残余应变、卸载模量和整体应力-应变曲线的预测值均与实验数据吻合,验证了分析模型的合理性与准确性;在此基础上,给出2D-C/SiC复合材料在不同温度下的面内剪切应力-应变关系曲线,为热结构设计提供参考。
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关键词
2D-C/SIC复合材料
面内剪切
热失配应力
高温性能
损伤机理
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Keywords
2D-C/SiC composites
in-plane shear
thermal misfit stress
high-temperature property
damage mechanism
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分类号
V254
[一般工业技术—材料科学与工程]
TB332
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名40nm节点低阻接触栓的电迁移可靠性优化
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作者
张亮
张慧君
曹永峰
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期532-538,553,共8页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02501)
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文摘
研究了40 nm工艺中低阻值接触栓的电迁移性能的提升。高性能芯片要求接触栓电阻尽可能小,而接触栓尺寸的减小使低电阻率钨成为必然选择。新材料的引入和尺寸减小等因素使传统工艺中较为稳定的接触栓的电迁移可靠性面临新的挑战。通过减少电化学腐蚀、改善金属填充、强化界面结合力及减少应力失配等,形成综合性解决方案。最终封装级电迁移可靠性测试结果为:激活能Ea为0.92 eV,电流密度指数n为1.12,寿命为86.3年(超过10年的标准)。与最初工艺相比,消除了顶部腐蚀和中心空隙的缺陷形貌,接触栓电阻优于设计标准,抗电迁移寿命提高超过一千万倍,极大地提高了接触栓的电迁移性能。
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关键词
电迁移可靠性
低电阻率
钨
化学腐蚀
界面结合力
应力失配
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Keywords
electro-migration reliability
low resistivity
tungsten
chemical erosion
interface adhesion
stress mismatch
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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