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维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件被引量：3: 1; 作者鄢永明曾云 +1 位作者夏宇张国梁《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期700-704,共5页; 为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明,随着N阱内P+区和P阱内N+区间距从6μm增加到22μm,ESD器件... 展开更多; 关键词静电放电失效电流维持电压可控硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

0．13μmDSP芯片静态电流测试失效分析研究: 2; 作者谈莉汪辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期578-580,共3页; 静态电流(IDDQ)测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术,针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分... 展开更多; 关键词静态电流失效激光束诱导电阻值变化电压对比离子注入成品率; 在线阅读下载PDF 职称材料

交流电涌保护器失效模拟试验探讨被引量：2: 3; 作者谢欢周歧斌《现代建筑电气》 2014年第9期43-46,共4页; 介绍和分析了IEC 61643-11:2011中新增加的SPD失效模拟试验。对试品安装方式、失效模拟试验设备的工作原理及试验程序进行详细了分析。在SPD样品上进行了失效模拟测试,对测试中的一些现象和结果进行分析。最后,讨论了制造厂标称的不同... 展开更多; 关键词电涌保护器失效模拟试验失效处理电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响: 4; 作者傅凡万发雨 +1 位作者汪煜洪根深《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期178-182,共5页; 基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体(Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS)的静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实... 展开更多; 关键词静电放电防护栅极接地NMOS 维持电压失效电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于健壮性单脉冲大电流问题的分析: 5; 作者张磊《集成电路应用》 2023年第2期1-3,共3页; 阐述芯片设计中的健壮性测试。由于芯片的健壮性设计不可前置仿真,导致芯片的健壮性测试中出现各种失效问题,大电流问题是其中之一,最终导致芯片的整体健壮性性能下降。在实际项目对健壮性的单脉冲测试中,探讨产生的大电流问题,并进行... 展开更多; 关键词电路设计健壮性测试单脉冲大电流失效 EMMI测试毛刺; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计被引量：2: 6; 作者梁海莲董树荣 +2 位作者顾晓峰李明亮韩雁《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2046-2050,共5页; 针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同... 展开更多; 关键词静电放电双向可控硅触发电压维持电压失效电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响被引量：2: 7; 作者鄢永明曾云 +1 位作者夏宇张国梁《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期572-578,共7页; 采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlled rectifier,SCR)静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护器件,获取工作状态的I-V曲线。结果表明,随... 展开更多; 关键词静电放电保护静电放电鲁棒性可控硅闩锁维持电压失效电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 8; 作者梁海莲董树荣 +2 位作者顾晓峰李明亮韩雁《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar... 展开更多; 关键词栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管静电放电双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺叉指金属布线失效电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究: 9; 作者张玉叶汪洋 +2 位作者杨帅康苏雪冰杨红姣《中国集成电路》 2023年第4期36-39,72,共5页; 基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的... 展开更多; 关键词双向可控硅(DDSCR) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件被引量：3: 1; 作者鄢永明曾云夏宇张国梁; 机构湖南大学物理与微电子科学学院长沙; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期700-704,共5页; 基金国家自然科学基金(61350007); 文摘为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明,随着N阱内P+区和P阱内N+区间距从6μm增加到22μm,ESD器件的维持电压线性增大,从2.29 V升高到9.64 V,幅度达421%;单位面积的失效电流线性减小,幅度约为63%。分析与仿真结果表明,该线性关系具有普遍适用性,可用于调节器件的健壮性和功率耗散能力,满足智能功率集成电路的高压ESD防护需求。另一组随着P阱内P+区和N+区间距增大,维持电压和失效电流呈现非线性的变化,但触发电压迅速降低,可用于实现高压SCR ESD器件的低触发电压设计。; 关键词静电放电失效电流维持电压可控硅; Keywords electrostatic discharge failure current holding voltage silicon controlled rectifier; 分类号 TN335 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名0．13μmDSP芯片静态电流测试失效分析研究: 2; 作者谈莉汪辉; 机构上海交通大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期578-580,共3页; 文摘静态电流(IDDQ)测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术,针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升。; 关键词静态电流失效激光束诱导电阻值变化电压对比离子注入成品率; Keywords IDDQ failure OBIRCH voltage contrast ion implant yield; 分类号 TN360 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名交流电涌保护器失效模拟试验探讨被引量：2: 3; 作者谢欢周歧斌; 机构上海市防雷中心防雷产品测试中心; 出处《现代建筑电气》 2014年第9期43-46,共4页; 文摘介绍和分析了IEC 61643-11:2011中新增加的SPD失效模拟试验。对试品安装方式、失效模拟试验设备的工作原理及试验程序进行详细了分析。在SPD样品上进行了失效模拟测试,对测试中的一些现象和结果进行分析。最后,讨论了制造厂标称的不同失效处理电流对测试的影响,为SPD的生产与测试工作提供了参考。; 关键词电涌保护器失效模拟试验失效处理电流; Keywords surge protection device（SPD） failure mode simulation test conditioning test current; 分类号 TM862 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响: 4; 作者傅凡万发雨汪煜洪根深; 机构南京信息工程大学电子与信息工程学院中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期178-182,共5页; 基金国家重点研发计划资助项目(2022YFE0122700) 北京东方计量测试研究所刘尚合院士专家工作站静电研究基金资助项目(BOIMTLSHJD20221004)。; 文摘基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体(Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS)的静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制。本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对器件ESD防护性能的影响。结果表明,增加漂移区掺杂浓度可以有效提高器件失效电流;加强体接触和增加漂移区长度可以提高器件的维持电压,但失效电流会有所下降,占用版图面积也会更大。; 关键词静电放电防护栅极接地NMOS 维持电压失效电流; Keywords electrostatic discharge(ESD)protection GGNMOS holding voltage failure current; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于健壮性单脉冲大电流问题的分析: 5; 作者张磊; 机构北京中电华大电子设计有限责任公司; 出处《集成电路应用》 2023年第2期1-3,共3页; 文摘阐述芯片设计中的健壮性测试。由于芯片的健壮性设计不可前置仿真,导致芯片的健壮性测试中出现各种失效问题,大电流问题是其中之一,最终导致芯片的整体健壮性性能下降。在实际项目对健壮性的单脉冲测试中,探讨产生的大电流问题,并进行分析和定位,明提出一套分析健壮性大电流问题的方法,可快速的定位出大电流的失效及产生机理。; 关键词电路设计健壮性测试单脉冲大电流失效 EMMI测试毛刺; Keywords circuit design robustness test single pulse high current failure EMMI test burr; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计被引量：2: 6; 作者梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁; 机构江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室浙江大学微电子与光电子研究所; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2046-2050,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11074280 61171038 +3 种基金 61150110485) JUDCF13032); 文摘针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力,分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律,得到优化的GFDDSCR的结构参数.结果表明,与DDSCR的改进型结构(IBDSCR)相比,优化的GFDDSCR触发电压下降了27%,电压回滞幅度减小了53%,维持电压和失效电流基本不变,能够满足微纳米级集成电路窄小ESD设计窗口的需求.; 关键词静电放电双向可控硅触发电压维持电压失效电流; Keywords electrostatic discharge dual-directional silicon controlled rectifier trigger voltage holdingvoltage~ failure current; 分类号 TN335 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响被引量：2: 7; 作者鄢永明曾云夏宇张国梁; 机构湖南大学物理与微电子科学学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期572-578,共7页; 基金中国自然科学基金资助项目(No.61350007); 文摘采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlled rectifier,SCR)静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护器件,获取工作状态的I-V曲线。结果表明,随着漂移区间距缩小,单位面积的失效电流增大,器件的ESD保护水平提高,但器件的维持电压减小,器件的鲁棒性降低。仿真提取关键点的少数载流子浓度、电流密度、电压强度等电学特性,根据采样结果和理论分析,内部载流子输运能力增强,但导通电阻无明显变化是该现象的内在原因。采用0.5μm 5V/18V CDMOS(Complementary and double-diffusion MOS,互补型MOS和双扩散型MOS集成)工艺流片并测试器件,测试结果证实了仿真结论。为了提高器件的失效电流且不降低维持电压,利用忆阻器无源变阻的特性,提出了一种新型的LDMOS-SCR ESD保护器件(M-ESD器件),理论分析表明,该器件内部忆阻器与寄生晶体管组成的系统能够有效地协同工作,在不增大芯片面积和不降低维持电压的情况下,使器件的失效电流增加,提高器件保护水平。; 关键词静电放电保护静电放电鲁棒性可控硅闩锁维持电压失效电流; Keywords electrostatic discharge(ESD)protection ESD robustness silicon controlled rectifier(SCR) latch-up holding voltage breakdown current; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 8; 作者梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁; 机构轻工过程先进控制教育部重点实验室浙江大学微电子与光电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11074280 61171038 +3 种基金 61150110485) JUDCF12032); 文摘栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。; 关键词栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管静电放电双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺叉指金属布线失效电流; Keywords GGNMOS ESD BeD process finger metal routing failure current; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究: 9; 作者张玉叶汪洋杨帅康苏雪冰杨红姣; 机构湘潭大学物理与光电工程学院湖南省微光电与系统集成实验室; 出处《中国集成电路》 2023年第4期36-39,72,共5页; 基金湖南省教育厅优秀青年基金项目资助(No.19B557) 湖南省研究生科研创新项目资助(QL20210141)。; 文摘基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。; 关键词双向可控硅(DDSCR) 失效电流(It2) 维持电压(Vh) 传输线脉冲测试系统(TLP); 分类号 U463.6 [机械工程—车辆工程] TM461 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件	鄢永明曾云夏宇张国梁	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	0．13μmDSP芯片静态电流测试失效分析研究	谈莉汪辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	交流电涌保护器失效模拟试验探讨	谢欢周歧斌	《现代建筑电气》	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响	傅凡万发雨汪煜洪根深	《固体电子学研究与进展》 CAS	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于健壮性单脉冲大电流问题的分析	张磊	《集成电路应用》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计	梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响	鄢永明曾云夏宇张国梁	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响	梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究	张玉叶汪洋杨帅康苏雪冰杨红姣	《中国集成电路》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料