基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开...基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。展开更多
为解决当前视觉SLAM(simultaneous localization and mapping,同时定位及地图构建)算法在近处纹理稀缺、动态物体遮挡等复杂交通环境下出现的定位失效的问题,提出一种基于关键目标的视觉SLAM算法。首先,以典型交通场景环境感知算法所检...为解决当前视觉SLAM(simultaneous localization and mapping,同时定位及地图构建)算法在近处纹理稀缺、动态物体遮挡等复杂交通环境下出现的定位失效的问题,提出一种基于关键目标的视觉SLAM算法。首先,以典型交通场景环境感知算法所检测的交通信号、标志等静止目标为基础,在静止目标中进行特征提取并筛选关键目标。其次,通过关键目标的类别和几何参数完成相连帧之间关键目标的匹配。然后,基于关键目标进行SLAM系统的初始化和跟踪,并通过最小化重投影误差求解当前相机位姿。最后,在局部建图线程中对相机位姿和关键目标三维坐标联合优化,并在局部地图中更新。经实验验证,所提算法能有效解决近处纹理缺失环境下的定位失效问题,保持了较高的定位精度,具有良好的环境适应性。展开更多
文摘基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。
文摘为解决当前视觉SLAM(simultaneous localization and mapping,同时定位及地图构建)算法在近处纹理稀缺、动态物体遮挡等复杂交通环境下出现的定位失效的问题,提出一种基于关键目标的视觉SLAM算法。首先,以典型交通场景环境感知算法所检测的交通信号、标志等静止目标为基础,在静止目标中进行特征提取并筛选关键目标。其次,通过关键目标的类别和几何参数完成相连帧之间关键目标的匹配。然后,基于关键目标进行SLAM系统的初始化和跟踪,并通过最小化重投影误差求解当前相机位姿。最后,在局部建图线程中对相机位姿和关键目标三维坐标联合优化,并在局部地图中更新。经实验验证,所提算法能有效解决近处纹理缺失环境下的定位失效问题,保持了较高的定位精度,具有良好的环境适应性。
