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AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响
1
作者
单恒升
李明慧
+4 位作者
李诚科
刘胜威
梅云俭
宋一凡
李小亚
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第1期83-88,124,共7页
本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(...
本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)谱分析表明,与含有AlGaN电子阻挡层的低In组分的量子阱结构太阳能电池外延材料相比,该结构材料具有较小的半峰全宽(FWHM),计算表明:此结构材料的位错密度降低了一个数量级,达到10^(7)cm^(-2);同时,有源区中的应变弛豫降低了51%;此外,此结构材料的发光强度增强了35%。研究结果表明含有AlGaN双势垒结构的外延材料可以减小有源区的位错密度,降低非辐射复合中心的数目,增大有源区有效光生载流子的数目,为制备高质量太阳能电池提供实验依据。
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关键词
金属有机化合物化学气相沉积
太阳能电池外延材料
AlGaN双势垒结构
InGaN/GaN
MQWs
位错密度
光生载流子
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职称材料
题名
AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响
1
作者
单恒升
李明慧
李诚科
刘胜威
梅云俭
宋一凡
李小亚
机构
陕西科技大学材料原子·分子科学研究所
西安电子科技大学
陕西科技大学材料科学与工程学院
西北大学信息科学与技术学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第1期83-88,124,共7页
基金
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金,710071(kdxkf2020-02)
国家自然科学基金(61901375)
+1 种基金
中国博士后科学基金(2019M663950XB)
陕西省自然科学基础研究计划(2021JM-384)。
文摘
本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)谱分析表明,与含有AlGaN电子阻挡层的低In组分的量子阱结构太阳能电池外延材料相比,该结构材料具有较小的半峰全宽(FWHM),计算表明:此结构材料的位错密度降低了一个数量级,达到10^(7)cm^(-2);同时,有源区中的应变弛豫降低了51%;此外,此结构材料的发光强度增强了35%。研究结果表明含有AlGaN双势垒结构的外延材料可以减小有源区的位错密度,降低非辐射复合中心的数目,增大有源区有效光生载流子的数目,为制备高质量太阳能电池提供实验依据。
关键词
金属有机化合物化学气相沉积
太阳能电池外延材料
AlGaN双势垒结构
InGaN/GaN
MQWs
位错密度
光生载流子
Keywords
metal organic chemical vapor deposition
solar cell epitaxial material
AlGaN double barrier structure
InGaN/GaN MQWs
dislocation density
photo-induced carrier
分类号
O484 [理学—固体物理]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响
单恒升
李明慧
李诚科
刘胜威
梅云俭
宋一凡
李小亚
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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